公开(公告)号：CN105654418B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201510844088.X

申请日：2015-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  刘昌孝

IPC: G06T1/20 ,  G06T19/20

Abstract: 提供了用于根据中央处理单元(CPU)的控制确定是否对第一模型执行细分的图形处理单元(GPU)。GPU从存储准备好的具有不同复杂度的模型的存储器中读取第一模型；计算第一模型的复杂度；将所计算的复杂度与参考复杂度进行比较；并根据比较结果确定是否对第一模型执行细分操作。

公开(公告)号：CN110600472A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910427945.4

申请日：2019-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵真英 ,  金锡勋 ,  柳廷昊 ,  李承勋 ,  郑根熙

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件以及制造集成电路器件的方法，其中该集成电路器件包括：鳍型有源区，在衬底上沿着平行于衬底的顶表面的第一方向延伸；栅极结构，在鳍型有源区上延伸，并且沿着平行于衬底的顶表面且不同于第一方向的第二方向延伸；以及源极/漏极区，在从栅极结构的一侧延伸到鳍型有源区中的凹入区域中，源极/漏极区包括：在凹入区域的内壁上的上半导体层，具有第一杂质浓度，并且包括间隙；以及间隙填充半导体层，其填充间隙并且具有大于第一杂质浓度的第二杂质浓度。

公开(公告)号：CN104103687B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201410136127.6

申请日：2014-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  权兑昱 ,  郑秀珍 ,  金永弼 ,  李炳赞 ,  具本荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：鳍，在基板上；栅电极，在基板上交叉鳍；源/漏极，形成在栅电极的两侧的至少一个上，并包括第一膜和第二膜；以及应力膜，布置在基板上的隔离膜与源/漏极之间，并形成在鳍的侧表面上。

公开(公告)号：CN109786334A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811324293.3

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张星旭 ,  金锡勋 ,  李承勋 ,  许洋 ,  柳廷昊 ,  柳宗烈 ,  曹荣大

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以将掺杂剂注入到衬底中以形成初始杂质区并加热衬底以将初始杂质区转换成杂质区。加热衬底可以在约800℃至约950℃的环境温度下执行约20分钟至约50分钟。该方法还可以包括在杂质区中形成第一沟槽和第二沟槽以限定有源鳍，以及分别在第一沟槽和第二沟槽中形成第一隔离层和第二隔离层。第一隔离层和第二隔离层可以暴露有源鳍的相反侧。该方法还可以包括形成在有源鳍的相反侧和上表面上延伸的栅极绝缘层，以及形成横越有源鳍的栅电极。

公开(公告)号：CN104715443A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410771945.3

申请日：2014-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘昌孝 ,  金锡勋

IPC: G06T1/20

CPC classification number: G06T15/405

Abstract: 本发明提供了一种图形处理单元、系统芯片和数据处理系统。所述图形处理单元包括：图元装配器，其被配置为产生第一图元的位置信息和第二图元的位置信息；以及可见性测试机，其被配置为基于第二图元的位置信息和第一图元的三角形关联信息来执行可见性测试，并且在操作光栅化器之前，基于可见性测试的结果去除第二图元。

公开(公告)号：CN104282035A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410324670.9

申请日：2014-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  朴容河 ,  刘昌孝 ,  李佶桓

IPC: G06T15/00

CPC classification number: G06T17/20 ,  G06T11/40 ,  G06T15/005 ,  G06T15/04 ,  G06T17/205

Abstract: 本发明提供了由图形处理器在图形管线中镶嵌表面的方法以及图形处理设备、图形处理器和图形处理装置。一种镶嵌方法包括向面片中的多个点中的每一个指派镶嵌因子，并且在多个点中的第一点的附近基于指派给第一点的第一镶嵌因子来生成至少一个新点。至少一个第一新点对应于第一点。

公开(公告)号：CN103094207A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210330245.1

申请日：2012-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金相秀 ,  高铤槿 ,  李善佶 ,  赵真英

IPC: H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/7847 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供支撑栅电极的衬底；通过执行预非晶化注入（PAI）工艺并且在PAI工艺中或与PAI工艺分离地将C或N注入源/漏区中而将位于栅电极两侧的源/漏区非晶化和掺杂；在衬底上形成引力诱导层以覆盖非晶化的源/漏区；以及随后通过对衬底进行退火而使源/漏区再结晶。然后，可去除应力诱导层。此外，在源/漏区已经非晶化之后可将C或N注入整个源/漏区中，或者仅注入非晶化的源/漏区的上部分。

公开(公告)号：CN117936460A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311376878.0

申请日：2023-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  金锡勋 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  俞秀旼 ,  郑谞珍

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法和一种半导体器件，该制造方法包括：在子栅极牺牲图案和半导体图案的堆叠结构上形成彼此间隔开的多个主栅极牺牲图案；在主栅极牺牲图案之间形成第一绝缘层；去除主栅极牺牲图案；去除子栅极牺牲图案；在从其去除了主栅极牺牲图案的空间中形成主栅极虚设图案；在从其去除了子栅极牺牲图案的空间中形成多个子栅极虚设图案；在去除了第一绝缘层的空间下方形成凹陷；在凹陷内形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成第二绝缘层；去除主栅极虚设图案和子栅极虚设图案；以及在去除了主栅极虚设图案和子栅极虚设图案的空间中形成栅极电极。

公开(公告)号：CN110600472B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910427945.4

申请日：2019-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵真英 ,  金锡勋 ,  柳廷昊 ,  李承勋 ,  郑根熙

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件以及制造集成电路器件的方法，其中该集成电路器件包括：鳍型有源区，在衬底上沿着平行于衬底的顶表面的第一方向延伸；栅极结构，在鳍型有源区上延伸，并且沿着平行于衬底的顶表面且不同于第一方向的第二方向延伸；以及源极/漏极区，在从栅极结构的一侧延伸到鳍型有源区中的凹入区域中，源极/漏极区包括：在凹入区域的内壁上的上半导体层，具有第一杂质浓度，并且包括间隙；以及间隙填充半导体层，其填充间隙并且具有大于第一杂质浓度的第二杂质浓度。

公开(公告)号：CN117766562A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311131264.6

申请日：2023-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  金锡勋 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  郑㥠珍

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，其在衬底上与有源区交叉并且在第二方向上延伸，其中，有源区包括在栅极结构的至少一侧的凹进区；多个沟道层，其在有源区上，在基本上垂直于衬底的上表面的第三方向上彼此间隔开，并且被栅极结构至少部分地围绕；以及源极/漏极区，其在有源区的凹进区中并且连接至多个沟道层。