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公开(公告)号：CN102194867B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110051882.0
申请日：2011-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/7783 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了表现双耗尽的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。HEMT包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极。双耗尽区域存在于源极和漏极之间。多个半导体层包括上材料层、中间材料层和下材料层，中间材料层的极性不同于上材料层的极性和下材料层的极性。
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公开(公告)号：CN102034861A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010292444.9
申请日：2010-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/207 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种包括2-维电子气(2DEG)沟道的电力电子器件、其制造方法以及包括该电力电子器件的集成电路模块。电力电子器件包括用于形成2DEG沟道的下材料层和上材料层，以及接触上材料层的上表面的栅极。在2DEG沟道的栅极下方的区域是2DEG的密度减小或为零的关区域。整个上材料层可以是连续的且可具有均匀的厚度。上材料层的在栅极下面的区域包括用于减小或消除下材料层与上材料层之间的晶格常数差的杂质。
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公开(公告)号：CN101794812A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010003917.9
申请日：2010-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F10/1936 , H01F10/3254
Abstract: 本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：栅电极；沟道，在栅电极上方由磁材料形成，以选择性地传输自旋极化的电子；源极，在沟道上；漏极和输出电极，在沟道上，输出从源极传输的电子。栅电极可控制沟道的磁化状态，以选择性地传输从源极注入到沟道的电子。
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公开(公告)号：CN101719510A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910177796.7
申请日：2009-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7613 , B82Y10/00 , H01L29/1029 , H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/66977
Abstract: 本发明公开了一种量子干涉晶体管及其制造和操作方法。一种量子干涉晶体管可以包括：源极；漏极；N个沟道(N≥2)，位于源极和漏极之间，并具有N-1个在源极和漏极之间的路径差；至少一个栅极，设置在N个沟道中的一个或多个沟道处。N个沟道中的一个或多个沟道可以形成在石墨烯片中。一种制造所述量子干涉晶体管的方法可以包括利用石墨烯片形成N个沟道中的一个或多个沟道。一种操作所述量子干涉晶体管的方法可以包括将电压施加到至少一个栅极。电压可以使穿过形成有所述至少一个栅极的沟道的电子波的相位移位。
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公开(公告)号：CN112993028B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202011107929.6
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112909073B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202010637763.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底；至少一个掩模层，在第一方向上与衬底间隔开；在衬底与至少一个掩模层之间的第一导电类型的第一半导体区域；在至少一个掩模层上的第二导电类型的第二半导体区域；以及在第一半导体区域上的第一导电类型的第三半导体区域。第三半导体区域可以接触第二半导体区域以在不同于第一方向的第二方向上形成PN结结构。该半导体结构可以应用于垂直功率器件，并且能够提高耐受电压性能和降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN112687732A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010337504.8
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层，使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。
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公开(公告)号：CN102034861B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201010292444.9
申请日：2010-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/207 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种包括2-维电子气(2DEG)沟道的电力电子器件、其制造方法以及包括该电力电子器件的集成电路模块。电力电子器件包括用于形成2DEG沟道的下材料层和上材料层，以及接触上材料层的上表面的栅极。在2DEG沟道的栅极下方的区域是2DEG的密度减小或为零的关区域。整个上材料层可以是连续的且可具有均匀的厚度。上材料层的在栅极下面的区域包括用于减小或消除下材料层与上材料层之间的晶格常数差的杂质。
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公开(公告)号：CN101794812B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201010003917.9
申请日：2010-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F10/1936 , H01F10/3254
Abstract: 本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：栅电极；沟道，在栅电极上方由磁材料形成，以选择性地传输自旋极化的电子；源极，在沟道上；漏极和输出电极，在沟道上，输出从源极传输的电子。栅电极可控制沟道的磁化状态，以选择性地传输从源极注入到沟道的电子。
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公开(公告)号：CN101685077B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910174231.3
申请日：2009-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N29/036 , G01N2291/0257 , Y10S977/957
Abstract: 本发明提供了一种使用薄膜感测部件的化学传感器，所述化学传感器可包括：第一电极，在基底上；感测部件，覆盖基底上的第一电极；多个第二电极，在感测部件的表面上，暴露感测部件的表面。化学传感器可构造为当将被感测的化合物被吸附到感测部件上时测量电特性的变化。还提供一种包括化学传感器的阵列的化学传感器阵列。
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