公开(公告)号：CN1575089A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410037201.5

申请日：2004-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔熙焕 ,  金湘甲 ,  姜聖哲 ,  宋仁虎

IPC: H05H1/00 ,  H05H1/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082

Abstract: 本发明涉及一种等离子箱体，该等离子箱体包括下部电极和上部电极，并用于干蚀刻液晶显示器，包括：主电源部，包括用于产生具有预定主频率的主电压的主电源和用于阻抗匹配主电压的第一阻抗匹配电路；偏压电源部，包括用于产生具有预定偏压频率的偏电压的偏压电源和用于阻抗匹配偏电压的第二阻抗匹配电路；以及混频器，与第一阻抗匹配电路和第二阻抗匹配电路连接、接收并混合主电压和偏电压，且向下部电极和上部电极中的一个电极输出的混合电压。就这种配置而言，本发明提供一种等离子箱体，其中将诸如蚀刻率、蚀刻剖面、选择比等这类的工艺条件进行精确调整。

公开(公告)号：CN1574244A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048125.8

申请日：2004-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔熙焕 ,  宋仁虎 ,  姜聖哲 ,  金湘甲

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明涉及一种干蚀刻装置，包括箱体，用于形成等离子进行干蚀刻工序；下部电极，包含排出箱体内部反应气体的排气口，并且设置基片；上部电极，与下部电极隔开面对。而且，这种干蚀刻装置包括清洗部，清洗部与电源进行电连接，包括：清洗时为了形成包含清洗用气体的等离子的清洗用电极；可引导清洗用电极水平移动的电极引导部件及支撑清洗用电极并引导清洗用电极垂直移动的电极支撑体。向清洗用电极施加电源形成等离子，并通过它除去箱体内壁残留的污染物。

公开(公告)号：CN103034004A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210434760.4

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  吴旼锡 ,  崔熙焕 ,  金时烈

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2202/02

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：栅极线；数据线，与所述栅极线交叉；半导体，布置在所述数据线下方；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极；第一绝缘层，布置在所述数据线上并且包括有机材料；像素电极，布置在所述第一绝缘层上并且连接至所述漏电极；屏蔽电极，与所述像素电极布置在相同层上并且传输共电压，所述屏蔽电极包括沿所述数据线延伸且覆盖所述数据线的第一部分。

公开(公告)号：CN102747367A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210034420.2

申请日：2012-02-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 金善一 ,  崔新逸 ,  朴智荣 ,  金湘甲 ,  权五柄 ,  金童基 ,  金相泰 ,  朴英哲 ,  刘仁浩 ,  尹暎晋 ,  李昔准 ,  李俊雨 ,  林玟基 ,  张*勋 ,  秦荣晙

IPC: C23F1/16 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/0023 ,  H01L2251/308

Abstract: 本发明的示例性实施例公开了一种用于蚀刻铟氧化物层的非卤化蚀刻剂和一种使用该非卤化蚀刻剂制造显示基底的方法，所述非卤化蚀刻剂包括硝酸、硫酸、含有铵的缓蚀剂、基于环胺的化合物和水。

公开(公告)号：CN101221925B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200710306900.9

申请日：2007-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  吴旼锡 ,  金湘甲 ,  崔在镐 ,  丁有光

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供了一种制造包括几个区域的液晶显示设备的方法。在形成栅极线层、栅极绝缘体、半导体层、数据层和光刻胶层之后，使用掩模限定光刻胶层的多个区域。某些区域在显影后具有不同厚度的光刻胶层。当曝光栅极垫和数据垫时，同时对栅极垫和数据垫应用刻蚀处理。然后，钝化层被沉积在通过接触孔暴露的栅极垫和数据垫之上。当在覆盖层中形成其它接触孔时，数据垫和栅极垫可被暴露以在相同的时间段内进行刻蚀处理。

公开(公告)号：CN101645423A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910162048.1

申请日：2009-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  金湘甲 ,  崔新逸 ,  李基晔 ,  杨东周 ,  秦洪基 ,  丁有光

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  G03F7/00 ,  G03F7/36

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)基板，其制造简单且成本降低，以及提供一种制造TFT基板的方法。该TFT基板包括：绝缘基板；在绝缘基板上沿第一方向延伸的栅极布线；在栅极布线上沿第二方向延伸且包括下层和上层的数据布线；以及设置在数据布线下方且除了沟道区之外与数据布线具有基本相同形状的半导体图案，其中数据布线顶表面的均方根粗糙度是3nm或更低。

公开(公告)号：CN100454495C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200410048125.8

申请日：2004-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔熙焕 ,  宋仁虎 ,  姜聖哲 ,  金湘甲

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明涉及一种干蚀刻装置，包括箱体，用于形成等离子进行干蚀刻工序；下部电极，包含排出箱体内部反应气体的排气口，并且设置基片；上部电极，与下部电极隔开面对。而且，这种干蚀刻装置包括清洗部，清洗部与电源进行电连接，包括：清洗时为了形成包含清洗用气体的等离子的清洗用电极；可引导清洗用电极水平移动的电极引导部件及支撑清洗用电极并引导清洗用电极垂直移动的电极支撑体。向清洗用电极施加电源形成等离子，并通过它除去箱体内壁残留的污染物。

公开(公告)号：CN101009250A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610142803.6

申请日：2006-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  吴旼锡 ,  秦洪基 ,  金湘甲 ,  丁有光

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。

公开(公告)号：CN1790750A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510124866.4

申请日：2005-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  金时烈 ,  朴弘植 ,  崔熙焕 ,  秦洪基 ,  吴旼锡

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极，在所述基板上的栅极绝缘层，沟道图案，源电极和漏电极。所述沟道图案包括：形成在所述栅电极上并覆盖所述栅电极的半导体图案；以及形成在所述半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。所述源电极包括顺序形成在所述第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。所述漏电极包括顺序形成在所述第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。所述第一和第二导电粘合图案的蚀刻部分具有基本竖直的轮廓从而防止了源电极和漏电极的暴露，由此改善了薄膜晶体管的特性。

公开(公告)号：CN1767175A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510102853.7

申请日：2005-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  柳慧英 ,  金湘甲 ,  金彰洙

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：形成包括栅电极的栅极线，在栅极线上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成半导体带，在半导体带上形成欧姆接触层，在欧姆接触层上形成包括源电极和漏电极的数据线，在数据线和漏电极上沉积钝化层，及形成连接到漏电极的像素电极。