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公开(公告)号：CN119342950A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410441294.5
申请日：2024-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10H20/81 , H10H20/813 , H10H20/819 , H10H20/821 , H10H20/84 , H10H20/01 , H10H29/14 , H10H29/24 , H01L25/075 , F21K9/20 , F21K9/90 , G09F9/33 , F21Y115/10
Abstract: 一种发光装置包括：基础半导体层；提供在基础半导体层上的至少一个芯，至少一个芯包括在第一方向上延伸的主体部分和提供在主体部分的上端处的屏蔽部分，其中所述屏蔽部分的下表面在与第一方向正交的第二方向上的宽度大于主体部分在第二方向上的宽度；提供在基础半导体层的上表面和屏蔽部分的上表面上的第一绝缘层；以及提供在主体部分的侧表面上的至少一个发光部分。
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公开(公告)号：CN110010740B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201811486130.5
申请日：2018-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种紫外发光装置，包括：第一导电类型AlGaN半导体层；有源层，其设置在所述第一导电类型AlGaN半导体层上并且具有AlGaN半导体；第二导电类型AlGaN半导体层，其设置在所述有源层上，并且具有被划分为第一区域和第二区域的上表面；第二导电类型氮化物图案，其设置在所述第二导电类型AlGaN半导体层的第一区域上，并且所述第二导电类型氮化物图案的能带隙小于所述第二导电类型AlGaN半导体层的能带隙；透明电极层，其覆盖所述第二导电类型氮化物图案和所述第二导电类型AlGaN半导体层的第二区域；透光介电层，其设置在所述第二导电类型氮化物图案之间的透明电极层上；以及金属电极，其设置在覆于所述第二导电类型氮化物图案上的透明电极层上以及所述透光介电层上。
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公开(公告)号：CN117497657A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310967137.3
申请日：2023-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了发光器件、显示装置及其制造方法。发光器件包括：掺有n型掺杂剂并具有第一晶格常数的第一氮化物半导体层；提供在第一氮化物半导体层上并具有大于第一晶格常数的第二晶格常数的有源层，该有源层包括包含铟的氮化物半导体材料；插置在第一氮化物半导体层和有源层之间并具有在第一晶格常数和第二晶格常数之间的第三晶格常数的应力松弛层，该应力松弛层包括包含铟的氮化物半导体材料；以及提供在有源层上并掺有p型掺杂剂的第二氮化物半导体层，其中有源层包括：提供在应力松弛层的上表面上的上有源区，以及提供在应力松弛层的侧表面上的侧有源区。
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公开(公告)号：CN117497656A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310265604.8
申请日：2023-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光器件以及包括该发光器件的显示器和电子设备。该发光器件包括基底半导体层、三维(3D)发光结构和形成为平坦形状的平坦发光结构，其中平坦发光结构产生具有与3D发光结构的波长不同的波长的光。缓和基底半导体层与平坦发光结构之间的晶格失配的应变缓和层可以在基底半导体层上布置在其中至少形成平坦发光结构的区域中。
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公开(公告)号：CN115528152A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210738705.8
申请日：2022-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化镓发光器件、包括该氮化镓发光器件的显示装置以及该氮化镓发光器件的制造方法。该氮化镓发光器件可以是条型发光器件并且包括n‑GaN半导体层、与n‑GaN半导体层间隔开的p‑GaN半导体层、布置在n‑GaN半导体层和p‑GaN半导体层之间的有源层、以及包括铟簇和空隙的应变松弛层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109799865B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201811358057.3
申请日：2018-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05F3/24
Abstract: 参考电压产生电路包括：运算放大器，包括连接到第一节点的第一输入端子和连接到第二节点的第二输入端子；第一晶体管，连接在接地端子和第一节点之间，其中第一电流在第一晶体管中流动；第二晶体管，连接到接地端子；第一可变电阻器，连接在第二晶体管和第二节点之间，其中第一可变电阻器具有用于基于由形成第一晶体管的工艺的变化引起的、第一晶体管的电流特性的改变来调整第一电流的第一电阻值。参考电压产生电路基于第一节点的电压和第一可变电阻器两端的电压提供参考电压。
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公开(公告)号：CN110068401B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910011131.2
申请日：2019-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 温度感测设备包括：温度‑电压转换器，输出具有不随温度变化的零温度系数的第一电压以及具有与温度成反比变化的负温度系数的第二电压；多路复用器，根据转变信号交替地输出第一电压和第二电压；和温度传感器，交替地接收第一电压和第二电压，并根据第一电压和第二电压的比率来感测温度。
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公开(公告)号：CN111710763A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010181351.2
申请日：2020-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一导电型半导体层；有源层，其覆盖第一导电型半导体层的一部分；以及第二导电型半导体层，其覆盖有源层的一部分，第二导电型半导体层的侧壁沿水平方向与有源层的侧壁间隔开。
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公开(公告)号：CN110649049A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910560832.1
申请日：2019-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/32 , G06K9/00
Abstract: 提供了一种发光器件封装件、一种包括发光器件封装件的显示装置和一种制造发光器件封装件的方法。所述发光器件封装件包括：衬底，其具有第一表面和第二表面，并且具有彼此间隔开的第一开口和第二开口；发光结构，其布置在衬底的第一表面上并且与第一开口竖直地重叠；以及图像传感器，其包括光电转换区，光电转换区布置在衬底中，并且与第二开口竖直地重叠。来自发光结构的光通过第一开口朝着衬底的第二表面发射。
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