公开(公告)号：CN101075629A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200610165950.5

申请日：2006-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成逸 ,  赵重来 ,  李殷洪 ,  柳寅儆

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  H01L27/112 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明公开了一种使用缺氧金属氧化物层的非易失性存储装置和一种所述非易失性存储装置的制造方法，其特征在于：所述非易失性存储装置具有开关装置和连接到开关装置的存储节点，其中存储节点包括下电极、在下电极上形成的缺氧金属氧化物层、在缺氧金属氧化物层上形成的数据存储层、和在数据存储层上形成的上电极。

公开(公告)号：CN101068038A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200610159882.1

申请日：2006-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 埃尔·M·布里姆 ,  李殷洪 ,  赵重来

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种包括可变电阻材料的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；形成在该下电极上的缓冲层，该缓冲层由氧化物构成；形成在该缓冲层上的氧化物层，该氧化物层具有可变电阻特性；以及形成在该氧化物层上的上电极。

公开(公告)号：CN101064359A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610142401.6

申请日：2006-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵重来 ,  李殷洪 ,  埃尔·M·布里姆 ,  文昌郁

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/52 ,  H01L29/24 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明公开了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件，该非易失存储器件包括：下电极；在下电极上形成的第一氧化物层；在第一氧化物层上形成且具有可变电阻特性的第二氧化物层；形成于第二氧化物层上的缓冲层；以及形成于缓冲层上的上电极。