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公开(公告)号:CN1714431A
公开(公告)日:2005-12-28
申请号:CN200380103627.X
申请日:2003-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L29/786 , H01L27/00 , G02F1/136 , G02F1/1345 , C22F1/08 , C22C9/10
CPC classification number: H01L29/4908 , C22C9/00 , G02F1/133345 , G02F1/136286 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 提供一种用于LCD装置的TFT基板及其制造方法。基板(10)、扩散阻挡层(11)和铜合金层(12)相继形成在TFT基板上。铜合金包括约0.5at%至约15at%的一种材料从而形成栅极布线层。该材料用于形成扩散阻挡层(11)。包括诸如Zr、Ti、Hf、V、Ta、Ni、Cr、Nb、Co、Mn、Mo、W、Rh、Pd、Pt等的材料的化合物沉积在扩散阻挡层(11)上至约50至约5,000的厚度。然后所沉积的化合物被热处理从而将所沉积的化合物转变为硅化物化合物(11b)。该晶体管基板具有低电阻和高电导。另外,利用薄扩散阻挡层,蚀刻工艺被简化并且相互扩散被防止。