公开(公告)号：CN102637794B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210032437.4

申请日：2012-02-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 李商文 ,  尹义埈 ,  朴珍燮 ,  朴成铉

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02398 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维(3D)表面形式并由非极性氮化物半导体形成；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。

公开(公告)号：CN104600070A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410601952.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  穆罕默德·拉基布·乌丁 ,  李明宰 ,  李商文 ,  李成训 ,  赵成豪

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02645 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开了一种衬底结构、包括该衬底结构的互补金属氧化物半导体CMOS器件和制造该CMOS器件的方法，其中衬底结构包括：衬底；位于衬底上的由包括硼B和/或磷P的材料形成的至少一个晶种层；以及位于晶种层上的缓冲层。该衬底结构可减小缓冲层的厚度，并且还提高了形成有该衬底结构的半导体器件的性能特征。

公开(公告)号：CN101414608A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810129778.7

申请日：2008-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  李商文 ,  田重锡 ,  白光铉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)装置及其制造方法。该CMOS装置包括：外延层，可形成在基底上；第一半导体层和第二半导体层，可分别形成在外延层的不同区域上；PMOS晶体管和NMOS晶体管，可分别形成在第一半导体层上和第二半导体层上。