公开(公告)号：CN110885685B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201910825559.0

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金用泰 ,  林廷训 ,  金秀珍 ,  吴政玟 ,  田昇敏 ,  全夏英

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。

公开(公告)号：CN114868455A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202180007479.X

申请日：2021-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李尚玹 ,  吴政玟 ,  李卿元

IPC: H04W76/25 ,  H04W76/16 ,  H04W88/06 ,  H04W36/00

Abstract: 公开了一种用户设备(UE)，包括：与第一蜂窝网络相对应的第一用户识别模块、与第二蜂窝网络相对应的第二用户识别模块、无线通信电路、以及可操作地连接到第一用户识别模块、第二用户识别模块和无线通信电路的处理器。其中处理器被配置为：控制UE通过无线通信电路，利用第一用户识别模块的第一识别信息与支持EUTRA NR双连接(EN‑DC)的第一蜂窝网络执行数据通信；检测触发通过第二蜂窝网络的数据通信的活动；以及响应于检测到该活动，通过无线通信电路利用第二用户识别模块的第二识别信息与第二蜂窝网络连接数据通信，并且维持对UE能力的与第一蜂窝网络相关联的EN‑DC的支持。

公开(公告)号：CN110885685A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910825559.0

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金用泰 ,  林廷训 ,  金秀珍 ,  吴政玟 ,  田昇敏 ,  全夏英

IPC: C09K13/08 ,  C09K13/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。

公开(公告)号：CN102117698B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201010605685.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  尹普彦 ,  李根泽 ,  沈雨宽 ,  车知勋 ,  朴壬洙 ,  李晓山 ,  金伶厚 ,  吴政玟

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

公开(公告)号：CN1949482B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200610132163.0

申请日：2006-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  吴政玟 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  沈雨宽

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/90 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10852

Abstract: 一方面，提出了一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，其中模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔。该方法还包括：在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极，以及形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分。该方法还包括：至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁，以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。