公开(公告)号：CN114361154A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111176640.4

申请日：2021-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳志秀 ,  徐在禹 ,  俞炫圭 ,  白尚训 ,  郑钟勋

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供了一种集成电路及设计集成电路的方法。集成电路包括：第一单元，其具有第一高度，并且布置于在第一方向上延伸的第一行中；第二单元，其具有第二高度，并且布置于在第一方向上延伸并且与第一行相邻的第二行中，其中，第二单元在垂直于第一方向的第二方向上与第一单元相邻；以及电力线，其在第一方向上延伸，布置在第一单元与第二单元之间的边界上，并且被配置为将电力供应到第一单元和第二单元。第一单元沿着第二方向与电力线的具有第一宽度的部分叠置，并且第二单元沿着第二方向与电力线的具有第二宽度的部分叠置，并且第一宽度和第二宽度彼此不同。

公开(公告)号：CN113471191A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110208949.0

申请日：2021-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞炫圭 ,  柳志秀 ,  朴在浩

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528

Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括在第一方向上彼此相邻的第一单元区域和填充区域。所述半导体装置包括：有源图案，在所述第一单元区域内部在所述第一方向上延伸；栅电极，在所述有源图案上在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；栅极接触，电连接到所述栅电极的上表面；源极/漏极接触，电连接到所述有源图案的源极/漏极区，所述源极/漏极接触与所述栅电极的一侧相邻；连接线路，在所述第一单元区域和所述填充区域上方在所述第一方向上延伸，并且电连接到所述栅极接触或所述源极/漏极接触中的一者；和填充线路，位于所述填充区域内部。还提供一种相关的布图设计方法以及制造方法。

公开(公告)号：CN112635456A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011050878.8

申请日：2020-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳志秀 ,  俞炫圭 ,  林承万

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括：第一有源图案和第二有源图案，其在基板上在第一方向上延伸；第一栅电极和第二栅电极，其在第二方向上延伸以与第一有源图案和第二有源图案相交；第一源极/漏极接触，其在第二方向上延伸并分别连接到第一有源图案的第一源极/漏极区域和第二有源图案的第二源极/漏极区域；第一源极/漏极通路，其连接到第一源极/漏极接触；第一单元分隔膜，其在第二方向上延伸并与第一有源图案和第二有源图案交叉，在第一源极/漏极接触和第二栅电极之间；第一栅极通路，其连接到第二栅电极并与第一源极/漏极通路一起沿着第一方向排列；以及第一连接配线，其在第一方向上延伸并且连接第一源极/漏极通路和第一栅极通路。