公开(公告)号：CN119156515A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202380041513.4

申请日：2023-05-04

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 沃尔夫冈·亚历山大·伊夫

IPC: G01B9/0209

Abstract: 本发明涉及一种用于表征在衬底中（例如晶圆）蚀刻的结构的方法（200），对于至少一个结构，所述方法（200）包括：‑至少一个干涉测量步骤（106、108），该干涉测量步骤利用位于所述衬底的顶侧上的低相干干涉仪执行，用于利用测量光束测量与所述HAR结构的深度相关的至少一个深度数据；其中所述方法（200）还包括第一调整步骤（104），其用于根据与所述HAR结构的宽度相关的至少一个顶部‑CD数据来调整测量光束在所述顶面处的直径。本发明还涉及实现这种方法的系统。

公开(公告)号：CN109073566B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN201780021710.4

申请日：2017-03-14

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 菲利普·加斯塔尔多 ,  马约·杜朗德热维涅 ,  特里斯坦·孔比耶

IPC: G01N21/95

Abstract: 本发明涉及一种用于检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其包括：使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束，以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V)，收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分，获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号，在所述信号中检测所述收集的光的频率分量，所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。

公开(公告)号：CN111699378A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201880089068.8

申请日：2018-12-27

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 马约·杜朗德热维涅

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/95

Abstract: 本发明涉及一种用于检查衬底(2)的方法(100、200)并且涉及一种实施这种方法的检查系统，所述方法包括以下步骤：在源自同一个光源(20)的两个光束(4、5)的相交处创建测量空间，并且所述测量空间包含干涉条纹，所述衬底(2)相对于所述测量空间移动；获取(102、202)表示由衬底(2)散射的光的测量信号；计算(108、208)表示缺陷(3)穿过测量空间的期望信号的至少一个期望调制频率；确定(114、214)表示所述测量信号在邻域中的频率含量的特征值，以构成表示缺陷(3)的存在的已验证信号；以及分析所述已验证信号以定位和/或识别缺陷(3)。

公开(公告)号：CN106716112B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201580052315.3

申请日：2015-09-29

Applicant: 统一半导体公司

Inventor： 马约·杜朗德热维涅 ,  菲利普·加斯塔尔多

IPC: G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  G01B11/24

CPC classification number: G01B11/2441 ,  G01B9/02034 ,  G01B2210/56 ,  G01M11/331 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明涉及一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法，其包括：使晶片绕与所述晶片的主表面垂直的对称轴转动；从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束，以在两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间，缺陷通过所述测量空间的时间特征取决于缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值，所述干涉装置(30)和所述晶片相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸；收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分；捕获所收集的光并发射电信号；在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量；从所述缺陷通过的位置处的所述条纹间距的值，确定所述缺陷在径向方向和/或所述晶片的厚度中的位置。