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公开(公告)号：CN118955118A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411023847.1
申请日：2024-07-29
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/457 , C04B35/64 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟锡靶材及其制备方法和应用；本发明提供的一种氧化铟锡靶材，包括如下的原料：In2O3和玻璃粉；所述玻璃粉的成分包括SnO2、ZnO和B2O3。本发明选择以B2O3为玻璃网络形成剂、ZnO的玻璃态稳定剂，SnO2为玻璃的基体材料，将各种氧化物以玻璃粉的形式掺杂到In2O3中，能够显著降低烧结温度和细化晶粒尺寸，提高了靶材的致密度。
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公开(公告)号：CN118908696A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410907793.9
申请日：2024-07-08
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/35 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光伏电池用靶材技术领域，具体公开了一种高迁移率的氧化铟基靶材及其制备方法和应用。本发明的氧化铟基靶材制备原料包括氧化铟、X氧化物、Y氧化物和Z氧化物；其中，X氧化物包括Y2O3、Dy2O3和Gd2O3中的至少一种；Y氧化物包括B2O3和Bi2O3中的至少一种；Z氧化物包括Ta2O5、MoO3和WO3中的至少一种。该氧化铟基靶材最高烧结温度较低，致密度较高，本发明实现了在较低的掺杂量和烧结温度下，获得高致密且晶粒尺寸较低的氧化铟基靶材。使用该氧化铟基靶材镀膜得到TCO薄膜，具有高透光率和高载流子迁移率，可用于HJT电池，提高光电转化效率。
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公开(公告)号：CN118756101A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410728978.3
申请日：2024-06-06
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C23C14/34 , C22C29/12 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/10 , C23C14/08 , H01L31/0216 , H01L31/072 , H10K30/50 , H10K30/80
Abstract: 本发明公开了一种SnO2基复合靶材及其制备方法和应用；本发明的SnO2基复合靶材包括如下质量百分比的组分：SnO2的含量为91.5％～95.5％，银的含量为3％～5％，氧化铜的含量为1％～2％，氧化镧的含量为0.5％～1.5％，各组分用量之和为100％。本发明通过引入Ag、Cu和La的协同共掺杂，系统地提升SnO2的导电性、机械性能及烧结性能。进一步提高了靶材的致密度和降低了靶材的电阻率。
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公开(公告)号：CN118598638A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410595081.8
申请日：2024-05-14
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种ICO靶材及其制备方法与应用。涉及溅射靶材技术领域。上述ICO靶材，按摩尔百分比计，包括以下组分：Ce：0.5％～2.5％；Al：0.05％～0.2％；Si：0.05％～0.25％；In：97～99.5％。本发明在原有Ce掺杂的ICO靶材基础上引入Al、Si元素，通过调控ICO靶材中各元素的用量，从而实现了ICO靶材的高密度性能。
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公开(公告)号：CN118344127A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410440939.3
申请日：2024-04-12
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种多元氧化物掺杂氧化铟锌靶材及其制备方法和应用，本发明的掺杂氧化铟锌靶材包括如下质量百分比的组分：氧化铟的含量为80.0％～88.6％；氧化锌的含量为10.9％～15.8％，氧化锶的含量为0.2％～1.8％，氧化铋的含量为0.2％～0.6％，氧化钒的含量为0.4％～1.2％，其各组分之和为100％。本发明通过添加氧化锶、氧化铋和氧化钒粉末，经过混合球磨、压制成型、烧结制得靶材，提高靶材的致密度，降低靶材的电阻率，烧制靶材晶粒大小均匀、靶材强度提升，有效提高靶材性能；将制得的多元氧化物掺杂IZO靶材溅射镀膜，薄膜的电学稳定性能和薄膜迁移率都得到有效提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118291826A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410210106.8
申请日：2024-02-26
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
Abstract: 本申请涉及合金材料的技术领域，具体公开了一种半导体GeTe合金及其制备方法。一种半导体GeTe合金的制备方法包括S1、打磨；S2、熔融；S3、冷却；S4、淬火；其中，冷却过程具体为：向液态合金中加入精炼剂并混合均匀得到混合物，待混合物温度降至430‑440℃后得到冷却合金，所述精炼剂用量为金属粒子用量的1.5‑1.8wt%。本申请的制备方法可用于制备半导体GeTe合金，最终得到的半导体GeTe合金具有电导率高、热导率低、ZT值高、光电性能佳的优点。
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公开(公告)号：CN118184333A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410273594.7
申请日：2024-03-11
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64 , C25C5/02 , C23C14/08 , C23C14/35
Abstract: 本申请涉及ITO靶材技术领域，本申请公开了一种高均匀性ITO靶材及其制备方法。一种高均匀性ITO靶材，包括以下重量份数原料：ITO粉体96.5‑99.5份，Cu/Ni纳米复合物0.5‑3.5份；其中，ITO粉体中氧化铟和氧化锡的重量比为8.8‑9.3:1。本申请采用特定的原料以及配比，制备得到的ITO靶材综合性能优异，可有效地解决现有靶材内部微观组织不均匀以及在烧结过程中容易产生变形、翘曲、开裂等问题。
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公开(公告)号：CN118109707A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410221535.5
申请日：2024-02-28
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及铝合金靶材加工制备的技术领域，尤其是涉及一种高钪铝钪合金靶材及其制备方法；一种高钪铝钪合金靶材的制备方法，步骤如下：称取质量百分比为5‑50%的金属钪和质量百分比为50‑95%的金属铝；金属钪的纯度大于99.99％，金属铝的纯度大于99.99％；将部分金属铝放置在金属钪上进行熔炼，再加入剩余的金属铝进行熔炼，得到铝钪合金；将铝钪合金浇铸到模具中，得到铝钪合金靶坯；将铝钪合金靶坯在真空退火炉中退火，得到高钪铝钪合金靶材；本申请通过对制备工艺的改进，制备得到含氧量低、铝钪合金元素成分分布均匀、无开裂、均匀化的高钪铝钪合金靶材。
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公开(公告)号：CN118026645A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410134662.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/64 , C23C14/08 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种氧化镍基靶材的制备方法与应用，包括以下步骤：S1、将金属氧化物粉末材料制成浆料后造粒后得到球型颗粒，其中所述金属氧化物粉末材料包括重量份为70‑99份的微米级金属氧化物粉末和重量份为1‑30份的纳米级金属氧化物粉末；S2、将所述球型颗粒进行模压成型、冷等静压后得素坯靶材；S3、将所述毛坯靶材分段烧结后降温即得。本发明提出一种氧化镍基靶材的制备方法制备得到的氧化镍基靶材密度高、晶粒尺寸小、薄膜带隙可调节的氧化镍靶材来适配不同领域的半导体器件。
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公开(公告)号：CN115159975B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210777676.6
申请日：2022-07-04
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C23C14/34 , C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明属于靶材技术领域，公开了一种ITO溅射靶材的制备方法。该制备方法，包括以下步骤：将氧化铟、氧化锡和卤化物混合，然后加入粘合剂，干燥形成颗粒状粉末；然后将颗粒状粉末静压成型得成型体，再经成型体烧结，制得ITO溅射靶材；卤化物选自LiCl、NH4Cl、NH4F、NH4Br、MgCl或KF中的至少一种。本发明提供的ITO溅射靶材的制备方法，通过向氧化铟、氧化锡中加入卤化物，能对烧结时的反应起到催化作用，并通过控制卤化物的种类和添加量，能够提高ITO溅射靶材的密度和晶粒的均匀性，降低靶材晶粒的尺寸，抑制结瘤的发生。
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