公开(公告)号：CN110299447B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201910221333.X

申请日：2019-03-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  G11C11/15

Abstract: 本发明提供一种磁阻效应器件，其包括MR元件和偏置磁场发生部。MR元件包括一个方向上较长的形状的自由层。偏置磁场发生部包括产生偏置磁场的铁磁性层。铁磁性层包括以包围自由层的外周的方式配置的两个主要部分、第一侧方部分和第二侧方部分。在与自由层的长度方向垂直的任意截面中，第一侧方部分与自由层之间的最短距离、和第二侧方部分与自由层之间的最短距离均为35nm以下。

公开(公告)号：CN115856730A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211143482.7

申请日：2022-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原弘道 ,  川森启太 ,  牧野健三 ,  桥野将亲

IPC: G01R33/09 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 磁传感器包含绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。绝缘层包含第一层和第二层，并且具有遍及第一层和第二层形成的第一及第二倾斜面。第一及第二MR元件各自包含磁化固定层及自由层。第一MR元件的磁化固定层及自由层配置在第一倾斜面之上。第二MR元件的磁化固定层及自由层配置在第二倾斜面之上。

公开(公告)号：CN115840167A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211142731.0

申请日：2022-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 渡部司也 ,  牧野健三

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁传感器具备：具有上表面的基板、具有倾斜面的绝缘层、以及配置在倾斜面之上的磁检测元件。磁检测元件具有第一侧面和第二侧面。第一侧面位于沿着倾斜面的一个方向即第一方向的前方。第二侧面位于沿着倾斜面的另一个方向即第二方向的前方。磁检测元件包含：第一变化部分，其中，沿着磁检测元件的长边方向，第一侧面的上端和第二侧面的上端的间隔变小。

公开(公告)号：CN115734702A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211041792.8

申请日：2022-08-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平木哲也 ,  牧野健三 ,  太田尚城

IPC: H10N50/10 ,  H10N59/00 ,  G01B7/00

Abstract: 磁传感器包含第1路径和第2路径、多个构造物及多个第1电极和多个第2电极。第1路径包含至少1个第1阵列。第2路径包含至少1个第2阵列。至少1个第1阵列和至少1个第2阵列以在第1方向上排列的方式配置。至少1个第1阵列和至少1个第2阵列各自包含以在第2方向上排列的方式配置的奇数个构造物。

公开(公告)号：CN108695432B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201810223951.3

申请日：2018-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  渡边克 ,  西冈康 ,  高桥宏和

IPC: H01L43/08

Abstract: 本发明的磁阻效应元件具备：磁化自由层，沿着第一面延伸；介入层，沿着第一面延伸，并且层叠在磁化自由层上；以及磁化固定层，沿着第一面延伸，并且隔着介入层设置在磁化自由层的相反侧。磁化自由层包括对第一面的最大倾斜角度小于等于42°的端面。

公开(公告)号：CN112946543A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011348315.7

申请日：2020-11-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田宪和 ,  牧野健三 ,  平林启

IPC: G01R33/06 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备磁阻效应元件和螺旋线圈。磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜。螺旋线圈具有并联部，并且设置为沿着第三轴向行进同时旋绕于磁阻效应元件的周围，并联部包含第一部分和第二部分，第一部分和第二部分各自在第二轴向上延伸同时在第三轴向上相邻且并联，第二轴向对第一轴向倾斜，第三轴向与第一轴向和第二轴向的双方不同。磁阻效应膜配置为在第四轴向上与第一部分和第二部分的双方互相重叠，第四轴向与第二轴向和第三轴向的双方正交。螺旋线圈通过供给电流，可以对磁阻效应膜形成沿着第三轴向施加的感应磁场。

公开(公告)号：CN109407017A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810940674.8

申请日：2018-08-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 内田圭祐 ,  牧野健三

IPC: G01R33/02

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，其具备：磁场转换部、磁场检测部、磁性膜。磁场转换部包含磁轭，所述磁轭接受包含平行于Z向的方向的输入磁场成分的输入磁场，产生包含平行于X向的方向的输出磁场成分的输出磁场。磁场检测部包含磁检测元件，所述磁检测元件接受输出磁场，生成对应于输出磁场成分的检测值。磁性膜吸收输出磁场成分以外的磁检测元件具有灵敏度的方向的磁场即噪声磁场的磁通的一部分。

公开(公告)号：CN113960508B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202110824391.9

申请日：2021-07-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器包括第1至第4电阻部和多个MR元件。多个MR元件各自属于第1至第4组中的任一个。第1至第4组基于MR元件的上表面的面积来规定。第1电阻部、第2电阻部、第3电阻部和第4电阻部分别由第1组、第2组、第3组和第4组构成，或者由第2组、第1组、第4组和第3组构成，或者由第1组、第4组、第3组和第2组构成，或者由第3组、第2组、第1组和第4组构成。

公开(公告)号：CN112946538B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202011338458.X

申请日：2020-11-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田宪和 ,  牧野健三 ,  平林启

IPC: G01R33/02 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备磁阻效应元件和导线。磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜，磁阻效应膜具有第一前端部、第二前端部和中间部，中间部夹在第一前端部和第二前端部之间。导线具有各自在第二轴向上延伸的第一部分和第二部分，并且通过供给电流可以对磁阻效应膜形成沿着第三轴向施加的感应磁场，第二轴向对第一轴向倾斜，第三轴向与第二轴向正交。在此，第一部分和第二部分设置为在第四轴向上分别与第一前端部和第二前端部互相重叠，第四轴向与第二轴向和第三轴向的双方正交。

公开(公告)号：CN112946543B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202011348315.7

申请日：2020-11-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田宪和 ,  牧野健三 ,  平林启

IPC: G01R33/06 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备磁阻效应元件和螺旋线圈。磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜。螺旋线圈具有并联部，并且设置为沿着第三轴向行进同时旋绕于磁阻效应元件的周围，并联部包含第一部分和第二部分，第一部分和第二部分各自在第二轴向上延伸同时在第三轴向上相邻且并联，第二轴向对第一轴向倾斜，第三轴向与第一轴向和第二轴向的双方不同。磁阻效应膜配置为在第四轴向上与第一部分和第二部分的双方互相重叠，第四轴向与第二轴向和第三轴向的双方正交。螺旋线圈通过供给电流，可以对磁阻效应膜形成沿着第三轴向施加的感应磁场。