公开(公告)号：CN1574205A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410046180.3

申请日：2004-06-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井之辉 ,  南幅学 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之 ,  重田厚

IPC: H01L21/00 ,  B24B1/00 ,  C09K3/14 ,  C08J5/14 ,  C09G1/00

CPC classification number: H01L21/76808 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10867

Abstract: 本发明公开的是一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括：在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜，该浆料选自第一浆料和第二浆料，第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒，其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团，第一浆料的pH值为2～8，第二浆料包含初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。