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公开(公告)号：CN110587252A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910826906.1
申请日：2019-09-03
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
Abstract: 本发明涉及一种晶硅光伏组件的接线盒拆除装置。本发明的另一个技术方案是提供了一种晶硅光伏组件的接线盒拆除方法。本发明设计的晶硅光伏组件接线盒拆除方法和装置是在原拆除方法上做了很大改进，为了减少组件损伤及提高接线盒拆除效率，本发明在操作台面上具备位置识别功能，先采用剪线装置将接线盒后部多余电线剪去，以便于此部分电线的直接回收利用，另外采用机械铲刀，左右两边的刀刃分别从接线盒两侧进入接线盒与组件粘接的胶层，用锋利的刀刃对接线盒与组件之间粘接的胶进行切割，使得接线盒能保持完整的状态被切下，且能保持较好的组件层压件状态，组件层压件无破损。需要的情况下可预加热，使得硅胶软化，更容易拆下接线盒。
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公开(公告)号：CN108615775A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810715221.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/074
Abstract: 本发明公开了一种叉指背接触异质结单晶硅电池，包括：一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；设于N型单晶硅基体正面的掺杂N+层和正面N型非晶硅层；间隔设于N型单晶硅基体背面的P型非晶硅层和背面N型非晶硅层。本发明的叉指背接触异质结单晶硅电池，减薄常规背接触异质结N型单晶硅电池正面N型非晶硅层的厚度，并在非晶硅氧合金层下设置轻掺杂的N+层，既可减少N型非晶硅层的光吸收、光损失，又可利用N+层实现部分场钝化功能，提高了电池的光电转换效率；同时N+层还可提供光生载流子的横向低阻导电通道，从而降低串联电阻损耗，提高电池的短路电流、填充因子和转换效率。
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公开(公告)号：CN106098949B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201610516751.8
申请日：2016-07-04
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法，其包括步骤：提供一玻璃衬底并在所述玻璃衬底上制备形成透明电极；在透明电极上制备形成电子传输层；所述电子传输层包括按照远离所述透明电极的方向依次设置的TiO2致密层和TiO2介孔层；在TiO2介孔层上应用喷涂工艺制备形成PVP界面修饰层；在PVP界面修饰层上制备形成钙钛矿吸光层；在钙钛矿吸光层上制备形成空穴传输层；在空穴传输层上应用喷涂工艺制备形成炭黑材料层；在炭黑材料层上制备形成金属电极。本发明的制备方法获得的钙钛矿薄膜太阳能电池中，PVP界面修饰层和炭黑材料层分别提升了对应电极对空穴‑电子对的收集能力，从而提高了钙钛矿电池的性能。
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公开(公告)号：CN107785460A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201711181087.7
申请日：2017-11-23
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , C23C16/04
CPC classification number: H01L31/202 , C23C16/042 , H01L31/0747
Abstract: 本发明公开了一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板，包括：底座和盖板。所述底座包括容置凹槽，所述容置凹槽用于容置HIBC电池中待沉积异质结非晶硅层的基底。所述盖板覆设在所述底座上，所述盖板上设置有露出所述容置凹槽的开口，开口上设置有多个间隔排列的遮挡件，遮挡件将开口划分为交错间隔的遮挡区和开口区。在制备P区时，遮挡区用于遮挡P区和所述N区的间隔区域以及N区；在制备N区时，遮挡区用于遮挡P区和N区的间隔区域以及P区。所述掩膜板可避免对其他工序生成的非晶硅层的特性产生影响，起到保护已生成的非晶硅层的作用；而且所述掩膜板结构简易，操作难度低，有利于提高生产效率。
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公开(公告)号：CN119765414A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202311666310.2
申请日：2023-12-06
Applicant: 国家电投集团青海光伏产业创新中心有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
Abstract: 本公开实施例涉及光储发电技术领域，公开了一种直流耦合光储系统及通信控制方法，所述系统包括：协调控制器、GOOSE网交换机、MMS网交换机、逆变模块DC/AC、光纤终端盒、能量管理系统、光伏系统、储能系统和调度系统；所述光伏系统和储能系统连接于逆变模块的直流侧；所述GOOSE网交换机的第一端与储能系统、光伏系统和逆变模块DC/AC连接，所述GOOSE网交换机的第二端与协调控制器的第一端连接；所述MMS网交换机的第一端与逆变模块DC/AC、储能系统和能量管理系统的第一端连接；所述MMS网交换机的第二端与光纤终端盒的第一端连接；所述能量管理系统的第二端与光伏系统连接。本公开的示例性实施例，协调控制器可以根据逆变模块实时出力，灵活调整光储系统出力阈值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119730654A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311289977.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 国家电投集团青海光伏产业创新中心有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
Abstract: 本发明属于太阳能电池领域，公开了一种CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜、电池及其制备方法，制备方法包括清洗FTO玻璃；以清洗好的FTO玻璃为衬底，采用溶胶‑凝胶法制备TiO2致密层，得到FTO/TiO2基片；利用一步旋涂法在FTO/TiO2基片表面制备CH3NH3PbI3中间相薄膜；室温下将IPA溶液旋涂在所述中间相薄膜的表面，得到CH3NH3PbI3薄膜。本发明通过使用分子间交换的方法制备CH3NH3PbI3薄膜，使CH3NH3PbI3薄膜具有更好的结晶性，并有效地修复相膜缺陷，提高所制备电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN119726990A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311247494.9
申请日：2023-09-26
Applicant: 国家电投集团青海光伏产业创新中心有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海省先进储能实验室有限公司
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明提出一种电池系统、均衡方法、均衡系统、存储介质和电子设备，涉及动力电池技术领域，该电池系统包括单体电池、电池数据监测系统和电池均衡控制系统；电池数据监测系统与单体电池连接，监测单体电池的参数信息；单体电池与第一开关串联后再与第二开关并联形成单体电池组；多个单体电池组以矩阵形式排布，相邻的两个单体电池组通过第三开关串联形成电池组；电池均衡控制系统控制第一开关和所述第二开关的开合，以使单体电池与电池系统连接或断开。当监测到的单体电池出现故障或者需要均衡时，控制第一开关断开，第二开关闭合，将单体电池与整个电池系统断开，但是由于第二开关处于闭合状态，使整个电池系统正常可靠运行。
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公开(公告)号：CN119725411A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311258168.8
申请日：2023-09-27
Applicant: 国家电投集团青海光伏产业创新中心有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海省先进储能实验室有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/13 , H01M4/38 , H01M4/60 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯‑铜‑硅复合材料制备方法及其锂电池负极，属于锂电池负极材料技术领域。所述石墨烯‑铜‑硅复合材料制备方法包括将硅粉、铜粉、聚甲酯丙烯酸甲酯颗粒研磨混合均匀，得黑色粉末；将所诉黑色粉末干燥，随后将干燥后的黑色粉末置于惰性保护气体中热处理，得红色粉末；将所述红色粉末置于酸溶液中搅拌腐蚀，随后进行真空抽滤、干燥，得黄白色粉末，所得黄白色粉末为石墨烯‑铜‑硅复合材料。所述石墨烯‑铜‑硅复合材料中石墨烯包裹着铜纳米颗粒与硅纳米颗粒，石墨烯外壳作用为抑制硅纳米颗粒在脱嵌锂过程中的体积膨胀，此外，铜纳米颗粒与石墨烯外壳共同形成导电网络，增强石墨烯‑铜‑硅复合材料整体导电性。
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公开(公告)号：CN119724954A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311247131.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 国家电投集团青海光伏产业创新中心有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海省先进储能实验室有限公司
Abstract: 本发明属于碳纳米管制备及应用领域，公开了一种电极材料及其制备方法，制备方法包括：将泡沫镍置于反应器中，将反应器内置换为保护气氛；向反应器内同时通入含氮化合物和第一去离子水，加热并保温30‑40分钟，在泡沫镍的多孔表面原位生长氮掺杂纳米碳材料；使用第二去离子水对生长氮掺杂纳米碳材料的所述泡沫镍进行水蒸气纯化，得到氮掺杂碳纳米管/泡沫镍电极材料。本发明采用催化化学气相沉积法，在泡沫镍上生长氮掺杂碳纳米管，从而制备氮掺杂碳纳米管/泡沫镍高性能电极材料，减少了活性物质与集流体之间的接触电阻，提高了电极材料的电化学性能，简化了电极材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN109920873B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910287804.7
申请日：2019-04-11
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司
IPC: H01L31/05 , H01L31/0475
Abstract: 本发明涉及一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，N片串联的晶体硅太阳能电池片一，N≥2，每片晶体硅太阳能电池片一用于将吸收的太阳能转化为对外输出的电能，其特征在于，还包括N片晶体硅太阳能电池片二，N片晶体硅太阳能电池片二仅作为PN结分别并联在N片晶体硅太阳能电池片一上，仅当晶体硅太阳能电池片一被遮挡时，并联在当前晶体硅太阳能电池片一上的晶体硅太阳能电池片二导通，对当前晶体硅太阳能电池片一起到旁路保护作用。本发明极大减少了现有晶体硅太阳电池组件由于阴影遮挡造成的功率损失，提升了晶体硅组件在有阴影遮挡下的发电量。
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