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公开(公告)号：CN112631073A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011598871.X
申请日：2020-12-30
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明涉及一种导热光刻胶，在对紫外光敏感的树脂光刻胶中添加有亚微米级导热填料，形成导热光刻胶；所述导热填料无需预处理，直接按设定质量比与树脂光刻胶混合均匀分散即可。所述导热光刻胶应用于显示器件上的LED像素点之间。该导热光刻胶有利于提高显示器件的散热效果，进而提高其性能和寿命。
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公开(公告)号：CN119136626A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411052855.9
申请日：2024-08-01
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K71/18 , H10K71/10 , H10K50/115 , H01L21/68 , B41F16/00
Abstract: 本申请公开了一种制备高分辨率全彩量子点发光二极管的方法及设备，包括基板、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层等的制备以及设备的封装等步骤，该方法可以大幅提高量子点转移速度和转移精度，也增加了制备过程的稳健性和可重复性，因此，在量子点光电领域中，本申请相对于传统的制备方法具有独特的优势和创新点，可以大幅提高发光二极管在全彩显示、背景照明、生物成像等应用领域的性能和应用前景。
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公开(公告)号：CN113937244B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111005348.6
申请日：2021-08-30
Abstract: 本发明提出一种转印图案化电极制备微米LED的方法，所述方法中，先制备带图案凹槽的PDMS印章，再通过PDMS印章在PET面上印制图案形状的PVA图形，然后以印制出的PVA图形制备图案化的电极，在图案化的电极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜、电子传输层、金属阴极；本发明所述方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN112428646B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011430716.7
申请日：2020-12-09
IPC: B32B27/28 , B32B33/00 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B17/00 , B32B37/24 , B32B38/14 , B41M3/14
Abstract: 本发明涉及一种基于光学凸起面的可双层识别量子点防伪标签及制备方法。包括基板层，在基板层上设置的光学凸起面层和量子点发光层，以及在最上面的盖板层。通过在随机分布且密度可控的光学凸起上采用打印或是印刷工艺制备量子点发光层，通过盖板层进行封装后，利用光学颗粒的匀光能力和光学凸起面带来的空间落差，可以对同一个平面区域的不同高度采集到不同的不可复制的图案。本发明提出的可双层识别量子点防伪标签，其工艺过程简单、成本低，化学性质稳定，可适配柔性可拉伸应用，结合量子点的丰富色彩可实现多种颜色的双层递进式防伪，通过建立两套智能标签学习库，即可实现图像的识别。该量子点防伪标签的双层识别设计兼顾易检测性和防伪能力。
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公开(公告)号：CN113937243A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110984776.1
申请日：2021-08-26
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种基于基板表面亲疏水性处理的高PPI量子点阵列制备方法。先将基板浸入H2SO4:H2O2为3:1(v:v)的溶液中，从而使基板表面获得羟基，增加亲水性。接着利用含有阵列的PDMS模板将溶于己烷的十八烷基三氯硅烷(OTS)转移至基板上，形成具有亲疏水性图形化的基板，最后利用LB技术将量子点在基板上自组装形成高PPI量子点阵列。该方法具有方法简单，扩展性强，可在同层制备不同材料的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113937230A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110984774.2
申请日：2021-08-26
Abstract: 本发明涉及一种一步法转印制备高性能的超高分辨QLED。首先制备一种微结构圆柱的PDMS印章，然后将绝缘材料填充至微结构的底部。再将附有绝缘材料的PDMS印章去粘单层的量子点LB膜，使量子点被拾取到微结构顶部。最后将上述印章贴合到空穴传输层上，加热印章使绝缘材料和像素化量子点一起被转印到空穴传输层上。设计和制备不同尺寸印章并且采用转移印刷与LB膜技术相结合的方法，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，并通过在QD像素之间嵌入绝缘材料，作为电荷阻挡层。最终制备的高分辨QLED解决了器件中漏电流问题，这种高性能的超高分辨QLED可应用下一代显示。
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公开(公告)号：CN113512416A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110848617.9
申请日：2021-07-27
Abstract: 本发明公开了一种Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其是在以卤化锌为催化剂的条件下，将铟源与磷源经反应制成磷化铟核，然后掺入镓源以钝化磷化铟核内的缺陷，再在其表面包覆一层ZnS外壳，以提高量子点的稳定性以及发光效率，最后通过巯基类有机酸与量子点间强的结合力使其相互结合，进而制备出Ga掺杂的水溶性InP量子点。本发明制备的量子点不含Cd与Pb等重金属，对环境十分友好，并能溶于水，扩大了量子点的应用场景。
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公开(公告)号：CN112635685A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011599967.8
申请日：2020-12-30
Abstract: 本发明涉及一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管及制备方法，从下自上依次包括基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、修饰层、LB量子点薄膜、电子传输层以及阴极层。本发明可以直接通过提拉法将LB量子点薄膜转移到器件上，提高LB量子点薄膜在器件上的完整性，具有制备方法简单，量子点薄膜排列整齐致密，量子点薄膜厚度精确控制，易于大面积成膜的优点。
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公开(公告)号：CN112625680A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011595963.2
申请日：2020-12-29
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种提升混合卤素钙钛矿稳定性的方法，其是将混合卤化铅和四正辛基溴化铵混合溶于甲苯中得到溶液A；将碳酸铯、碳酸铷溶于正辛酸中得到溶液B；将乙酸甲脒溶于正辛酸中得到溶液C；将双十二烷基二甲基溴化铵溶于甲苯中得到溶液D；再将溶液B、C混合后迅速加入溶液A中，在室温、磁力搅拌条件下加入溶液D，并加入乙酸乙酯进行萃取，最终得到所述混合卤素钙钛矿。按本发明方法进行处理，可使获得的混合卤素钙钛矿材料具有较好的稳定性和光电性能，将其应用于钙钛矿发光器件的制备，具有较高的亮度和稳定性。
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公开(公告)号：CN119212520A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411052830.9
申请日：2024-08-01
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K71/12 , H10K71/40 , H10K71/15 , H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/80 , B41J3/407 , B41J11/00 , B29C35/02
Abstract: 本申请公开了一种超高分辨率QLED器件及其制备方法，将绝缘层材料纵横交错打印在基板、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层中的任意一层上，由于打印的绝缘层材料不能进行电荷的传输，使QLED器件形成均匀的阵列化图案，高效且简单地得到一种超高分辨率的QLED器件，其像素点大小可以达到约5um左右，为突破万级PPI像元显示技术提供另外一种简易的方法，制备过程安全无污染，不生成副产物并且工艺流程简单易操作，同时材料利用率高、精度高。
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