公开(公告)号：CN204408188U

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201420843740.7

申请日：2014-12-25

Applicant: 长安大学

Inventor： 李演明 ,  柴红 ,  吴凯凯 ,  仝倩 ,  杨晓冰 ,  张豪 ,  文常保 ,  邱彦章

IPC: H02M1/44

Abstract: 本实用新型公开了一种双输出的DC-DC振荡器电路，加入基准电压VR1和使能信号EN时，内部振荡电路产生两个频率固定相同却反相的方波信号V1和V2，经两个脉冲产生电路产生两路相位差为180度的窄脉冲信号V3和V4，这两路脉冲信号既直接作为电路的输出信号，触发开关管的开启，又分别在输入电压VIN、基准电压VR2和使能信号EN的作用下，经锯齿波产生电路产生两路相位差为180度的锯齿波信号V5与V6作为电路的另一种输出信号，有效地降低了双路DC-DC输入的RMS电流，消除了两路输出之间的干扰；本实用新型的锯齿波产生单元提供一个斜坡电压信号，具有斜坡低电平控制和输入电压前馈控制的斜坡电压信号增强了电压模环路的稳定性。

公开(公告)号：CN203013281U

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201220735047.9

申请日：2012-12-27

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  李清华 ,  邱彦章 ,  巨永锋

IPC: G21H1/06

Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池，包括由N型SiC基片构成的衬底和设置在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有欧姆接触电极，N型SiC外延层上部设置有肖特基接触电极；N型SiC欧姆接触掺杂区、欧姆接触电极和肖特基接触电极均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构，欧姆接触电极的垂直指条与肖特基接触电极的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构；N型SiC外延层上部除去欧姆接触电极和肖特基接触电极的区域设置有二氧化硅层。本实用新型设计新颖合理，能量转换效率和封装密度高，有利于集成，实用性强，推广应用价值高。

公开(公告)号：CN203722881U

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201420040039.1

申请日：2014-01-22

Applicant: 长安大学

Inventor： 李演明 ,  仝倩 ,  杨晓冰 ,  柴红 ,  吴凯凯 ,  邱彦章

IPC: H05B37/02

CPC classification number: Y02B20/42

Abstract: 本实用新型公开了一种新型LED驱动电路，主要解决现有电压控制模式的电路结构输入响应速度慢，包括调光控制单元，峰值电流检测采样单元和恒定关断时间控制单元。调光控制单元通过模拟和数字两种调光方式调节流过LED上的平均电流的大小来实现亮度的调节，分别输出峰值电流检测阈值VCST1给峰值电流检测采样单元，而且输出两个使能VEN1和VEN2给恒定关断时间控制单元；峰值电流检测采样单元将比较结果输入到恒定关断时间控制单元；恒定关断时间控制单元在检测到峰值电流时，产生一个恒定的关断时间。本实用新型提高了输入响应速度，可实现快速的数模混合调光，可应用于LED驱动电路。

公开(公告)号：CN203011560U

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201220734974.9

申请日：2012-12-27

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  李演明 ,  邱彦章 ,  巨永锋

IPC: G01K7/01 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47

Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅温度传感器，包括由N型SiC基片构成的衬底和设置在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部中间位置处设置有圆形的肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设置有圆环形的N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有圆环形的欧姆接触电极，N型SiC欧姆接触掺杂区、欧姆接触电极和肖特基接触电极同心设置，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间的N型SiC外延层上部，以及位于欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设置有二氧化硅层。本实用新型设计新颖合理，线性度和封装密度好，有利于集成，工作可靠性高，实用性强，应用范围广，推广应用价值高。

公开(公告)号：CN202662614U

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201220260708.7

申请日：2012-06-05

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  李演明 ,  邱彦章

IPC: H01L29/812 ,  H02M7/537 ,  H02M3/155

CPC classification number: Y02B70/1483

Abstract: 本实用新型公开了一种JFET及使用该JFET的微型逆变器，其JFET包括衬底和设在衬底上的SiC外延层，SiC外延层的上半部分为台阶状且为JFET的N型SiC沟道层，SiC外延层的下半部分为JFET的SiC漂移层，N型SiC沟道层的上部设有N型SiC欧姆接触层，衬底的下部设有漏极欧姆接触电极，N型SiC沟道层的上部设有源极欧姆接触电极，SiC漂移层的上部和N型SiC沟道层的侧壁上设有两个栅极肖特基接触电极；其微型逆变器包括电容C1、C2和C3，电感L1，JFET1、JFET2和JFET3，以及碳化硅肖特基二极管D1、D2、D3和D4。本实用新型设计新颖合理，实现方便，提高了微型逆变器的工作频率和工作可靠性，降低了电能损耗和电价。