公开(公告)号：CN110504277A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910402023.8

申请日：2019-05-15

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 郑源伟 ,  陈刚 ,  毛杜立 ,  戴森·戴 ,  林赛·格朗

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

Abstract: 本申请案涉及与垂直晶体管组合的垂直溢流漏极。图像传感器像素包含：光电二极管，其安置在半导体材料中以响应于入射在所述半导体材料的背侧上的光而产生图像电荷；以及钉扎层，其安置在所述半导体材料中并耦合到所述光电二极管。所述像素还包含垂直溢流漏极，其安置在所述半导体材料中并且耦合到所述钉扎层，使得所述钉扎层安置在所述垂直溢流漏极与所述光电二极管之间。浮动扩散部靠近所述光电二极管安置在所述半导体材料中，及垂直转移晶体管部分安置在所述半导体材料中并且耦合到所述光电二极管，以响应于施加到所述垂直转移晶体管的所述栅极端子的转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部。

公开(公告)号：CN108695347B

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201810121152.5

申请日：2018-02-07

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 渡辺一史 ,  熊志伟 ,  戴森·H·戴 ,  林赛·格朗

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及高动态范围图像传感器的串扰减少。多色彩HDR图像传感器至少包含具有第一彩色滤光器的第一组合色彩像素以及具有不同于所述第一彩色滤光器的第二彩色滤光器的邻近第二组合色彩像素，其中每一组合色彩像素包含具有至少两个邻近光电二极管的至少两个子像素。在每一组合色彩像素内，存在用以将具有相同彩色滤光器的两个邻近子像素的两个邻近光电二极管隔离的介电深沟槽隔离d‑DTI结构以便防止电串扰。在具有不同彩色滤光器的两个邻近组合色彩像素之间，存在用以将具有不同彩色滤光器的两个邻近子像素的两个邻近光电二极管隔离的混合深沟槽隔离h‑DTI结构以便防止光学串扰及电串扰两者。每一组合色彩像素在所有侧上由所述混合深沟槽隔离h‑DTI结构围封。