一种纳米稀土氧化物掺杂钼合金的制备方法

    公开(公告)号:CN101328550A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200810150463.0

    申请日:2008-07-25

    Abstract: 本发明公开了一种纳米稀土氧化物掺杂钼合金的制备方法,该方法以稀土二钼酸铵晶体为原料,采用焙烧和氢气还原的方法得到钼合金粉末,将还原后的粉体在180-200MPa压强下冷等静压压制成型,成型后的坯料在1100-1300℃的马弗炉中进行预烧结,之后在1600-1900℃的真空中频感应烧结炉中烧结,烧结时间10-24小时。烧结后的材料可采用常规机加工方法制备满足需要的钼合金杆材或板材等不同形状的材料和制品。本发明所制备的含有纳米稀土氧化物的钼合金,具有高的强度、延展性和韧性,用途广泛。

    一种异形钛及钛合金构件的制备方法

    公开(公告)号:CN117753994A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311486606.6

    申请日:2023-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种异形钛及钛合金构件的制备方法,包括以下步骤:一将氢化钛放入熔炉中,升温使氢化钛熔化得到液态氢化钛;二将液态氢化钛利用3D打印机喷头打印得到异形构件,然后经过原位冷却固化和稳定得到氢化钛异形构件;三将氢化钛异形构件在原位或放入真空炉中进行脱氢处理,获得异形钛及钛合金构件。本发明使用氢化钛为原料,利用氢化钛低熔点可以大幅降低异形钛及钛合金构件的制备温度,显著降低原料、能耗与设备折旧等成本;特别地,通过脱氢过程中的相变过程细化晶粒作用,可制备细晶复杂形状金属钛,异形钛及钛合金构件性能显著提升。本发明制备成本低、流程短、效率高、无污染可实现连续化和规模化制备。

    一种钼酸铵原位分解制备多孔钼铜合金骨架的方法

    公开(公告)号:CN115612883A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211342188.9

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 一种钼酸铵原位分解制备多孔钼铜合金骨架的方法,通过在钼粉中加入钼酸铵,借助于钼酸铵在400℃以上分解生成氨气+三氧化钼时氨气的膨胀与排出形成一次造孔;当温度升高至620℃以上时,三氧化钼开始升华并产生二次气体膨胀,阻止高温下钼粉末烧结而闭合,进而有效防止闭孔的产生,为熔融态铜液全面熔渗进钼骨架开辟了良好的路径和通道,最终实现钼铜合金成分与组织的均匀化。通过对粉末成分及配比和工艺温度的精确控制,实现空隙大小一致、空隙分布均匀的低封闭孔隙率的钼骨架制备,从而提高熔渗所得钼铜合金致密度,满足其日益增长的性能需求。

    一种钼气相沉积成型一体化装置和方法

    公开(公告)号:CN114606479B

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202210241275.9

    申请日:2022-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种钼气相沉积成型一体化装置和方法,成型装置包括钼源气化升华区、反应还原区、强化沉积区和在线固结成型区;以气态三氧化钼为原料,以均匀气相还原为基础,以电场强化定向沉积为核心,实现产品定型和高效沉积和在线固结成型。本发明以物理升华法制备高纯MoO3含钼气源,突破传统钼气相沉积法以氟化钼和羰基钼在原料制备过程中的毒性与沉积过程的污染;以均匀气相还原实现钼粒子尺度的精确控制;提供电场的定向作用实现钼粒子高效定向沉积,显著提升沉积效率;本发明克服传统钼气相沉积原料毒性、过程气体污染、效率低、成本高的缺点,实现钼金属材料短流程、高效、连续和绿色化制造,对钼金属材料成型技术的发展具有颠覆性影响。

    一种常压氩气保护金属镁连续化还原方法及装置

    公开(公告)号:CN113801998B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202111033194.1

    申请日:2021-09-03

    Abstract: 本发明公开了一种常压氩气保护金属镁连续化还原方法及装置,包括在封闭式料仓内装入镁原料;在封闭的反应炉中通入氩气,对反应炉反应腔进行预热,反应炉与结晶器形成氩气循环回路;镁原料投入反应炉经螺旋盘进入反应腔中,对反应炉和反应腔螺旋盘同步加热,控制反应腔内氩气流量和温度,镁原料与氩气反应产出镁蒸汽,镁蒸汽进入结晶器内,结晶形成结晶镁;镁渣粉化经隔篦分隔渣料坠入渣车;氩气经结晶器加热、反应炉预热后,再次进入反应腔携带镁蒸汽。本发明解决了粘管、结釉、球团破碎、竖管受热受力变形等问题,提高镁冶金效率,降低能耗,消除污染,改善环境,降低成本。

    一种窄分布超细钼粉气相还原与收集装置及方法

    公开(公告)号:CN115365511A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202211087137.6

    申请日:2022-09-07

    Abstract: 一种窄分布超细钼粉气相还原与收集装置及方法。本发明利用MoO3在900℃左右升华效率最高的特点,通过加热实现MoO3升华。通过对升华过程的温度和压力调控控制MoO3升华气量和分子量,同时及时吹离保证MoO3稳定升华。通过设置微通道反应器的方法,实现气相钼源与氢气在时间与空间内的瞬间的均匀混合与完全一致的反应条件,实现三氧化钼在极短时间内被全部还原,保证超细钼粉粒度窄的分布区间。以无水酒精作为冷却与收集液,当产物通入酒精产生气泡时,通过带有锯齿型的叶轮的搅拌装置碎化气泡,急剧减小气泡大小,扩大含钼粉微粒的气泡与酒精的接触面积,实现超细钼粉的快速冷却与收集,减少超细钼粉团聚现象。

    一种无碳化铅冶炼装置及方法

    公开(公告)号:CN115216641A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210296373.2

    申请日:2022-03-24

    Abstract: 本发明公开一种无碳化铅冶炼装置及方法,无碳化铅冶炼装置上部为硫化铅低温流化床焙烧区,中部为铅还原区,下部为炉渣精炼区;所述硫化铅低温流化床焙烧区包括硫化铅进料仓、流化床焙烧炉和PbO熔化炉;还原区包括铅还原炉和流态化床;铅还原炉通过连通管路连接PbO熔化炉下方,铅还原炉外部设置有保温仓,所述下部炉渣精炼区包括铅熔池和气体底吹装置;铅熔池设置在保温仓下方,气体底吹装置设置在铅熔池底部,实现了铅资源的物料与热量连续性,节约资源能耗;实现SO2气体的循环高效利用,降低处理成本,无碳式工艺设计,降低焦炭等成本,实现了铅资源的高效利用,也减少烟尘中的污染与浪费。

    一种内向旋压制备薄壁无缝管的装置

    公开(公告)号:CN115090739A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210651429.1

    申请日:2022-06-10

    Abstract: 本发明提供了一种内向旋压制备薄壁无缝管的装置,涉及管材制备装置技术领域,包括进料机构、主体旋压机构和校直拉拔机构,主体旋压机构包括旋压驱动机构和旋压执行机构,旋压驱动机构与旋压执行机构相连且能驱动旋压执行机构转动;旋压执行机构包括周向分布的多个旋压凸轮组,旋压凸轮组沿入口端至出口端径向向外倾斜设置,以形成用于旋压管材的锥状螺旋旋压腔;本发明通过旋压压头的分体式设计,将多重旋压集成于主体旋压机构中,实现了管材沿螺旋线多道次、小变形量的连续变形,在降低设备吨位的同时,实现难变形管坯减径、减壁大形变量的快速加工,有效保证了管材的周向塑性和产品一致性,显著提升了生产效率与产品精度,适合产业化推广。

    一种无碳化铅冶金装置及冶金方法

    公开(公告)号:CN114657391A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210299241.5

    申请日:2022-03-25

    Abstract: 本发明公开了一种无碳化铅冶金装置及冶金方法,所述无碳化铅冶金装置包括将硫化铅氧化为氧化铅的底吹氧化炉和将氧化铅还原为金属铅的氢气底吹炉;底吹氧化炉内设有倾斜的多孔板,多孔板将底吹氧化炉分为气仓和料仓,气仓的顶端设有氧气进气管道;料仓靠近顶端的位置设有带进料阀门的进料仓和第一排气口;料仓的底端通过第一旋转出料器与中转仓连通,中转仓连接有氮气进气管道,中转仓的底部通过第二旋转出料器与氢气底吹炉的顶部连通;氢气底吹炉的底部设有气体底吹装置。本发明还涉及将上述无碳化铅冶金装置用于铅冶金的方法。本发明以底吹氧化焙烧PbS+底吹氢气还原PbO技术为核心,可实现无碳化铅冶金,具有高效、低耗的优点。

    高温连续化提取皮江法炼镁工艺中结晶镁的方法及装置

    公开(公告)号:CN113737019B

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202110981694.1

    申请日:2021-08-25

    Abstract: 高温连续化提取皮江法炼镁工艺中结晶镁的方法及装置,本发明针对皮江法炼镁及其衍生工艺存在的上述问题,充分利用难熔金属/陶瓷与结晶镁的熔点差异大,相互浸润性小的特点,以难熔金属/陶瓷球体群形成的动态多孔滤网,作为镁结晶蒸汽结晶载体。金属或者陶瓷球体流道与镁蒸气流道之间采用多孔板隔开。多孔板的孔径<金属或陶瓷球体直径即可。镁蒸气遇到低温的难熔金属或者陶瓷颗粒时,降温并液化或者结晶,而难熔金属颗粒或者陶瓷颗粒因为与镁蒸气之间的热交换而升温至500℃以上。温度>500℃难熔金属颗粒或者陶瓷颗粒带着表面的液化镁或者结晶镁离开镁冷凝区。

Patent Agency Ranking