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公开(公告)号：CN100458981C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610022014.9
申请日：2006-10-09
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的缓冲层的方法，该方法包括以下步骤：将丙烯酸或甲基丙烯酸单体加入N，N-二甲基甲酰胺(DMF)中，聚合生成聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸，并将其溶解于N，N-二甲基甲酰胺(DMF)中，形成有机溶剂体系；将稀土硝酸盐和硝酸铋溶解于有机溶剂体系中，制得胶体；再将胶体涂覆在基片上；干燥后，放入烧结炉中烧结成相。本发明的另一方案是将稀土硝酸盐溶解于有机溶剂体系中制得胶体，其余的与第一种方案相同。该方法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境。
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公开(公告)号：CN100415680C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200610022016.8
申请日：2006-10-09
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/624 , H01B12/00
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种无氟的化学溶剂沉积制备钇钡铜氧高温超导涂层导体的方法。该方法包括以下步骤：将甲酸钇或乙酸钇、甲酸钡或乙酸钡或丙酸钡、甲酸铜或乙酸铜或丙酸铜溶解在乙酸或丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或聚乙二醇(PEG)或聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，并在氧气中退火即得钇钡铜氧YBCO涂层导体。该方法成本低，制作工艺简单，操作控制容易，且制备过程中不含严重污染环境的氟化物，不污染环境。
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公开(公告)号：CN101104951A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710048814.2
申请日：2007-04-05
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种制备钐钡铜氧单畴超导块材的方法，具体做法是：a、用液相法制得纳米级的SmBa2Cu3Ox和Sm2BaCuOy两种前驱粉；b、将两种前驱粉按摩尔比1∶0.1～0.4混合并研磨成粉末；c、将b步的混合粉末压制成块，并在块的顶部加入MgO单晶作籽晶；d、将a步的Sm2BaCuOy粉末压制成片；并将c步的块叠放在片上；再放在基片上，罩住后放在箱式马弗炉中；e、将马弗炉升温至910～960℃，保温10～40小时，再升温至1058～1062℃，保温10～40分钟；然后以100～150℃/小时的速度降温至1045～1030℃，进行10～50小时且温度变化不超过2℃的恒温保温，炉冷至室温，即得。该方法工艺简单，生长速度快，节约能源；利于批量生产；制备的超导块材取向性良好。
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公开(公告)号：CN1959866A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610022014.9
申请日：2006-10-09
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的缓冲层的方法，该方法包括以下步骤：将丙烯酸或甲基丙烯酸单体加入N，N－二甲基甲酰胺(DMF)中，聚合生成聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸，并将其溶解于N，N－二甲基甲酰胺(DMF)中，形成有机溶剂体系；将稀土硝酸盐和硝酸铋溶解于有机溶剂体系中，制得胶体；再将胶体涂覆在基片上；干燥后，放入烧结炉中烧结成相。本发明的另一方案是将稀土硝酸盐溶解于有机溶剂体系中制得胶体，其余的与第一种方案相同。该方法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境。
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公开(公告)号：CN103938148B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201410139569.6
申请日：2014-04-09
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种在空气中制备高温超导涂层导体用NiO缓冲层的方法，依次由以下步骤构成：a、电化学抛光：将用乙醇清洗过的Ni基片放入抛光液中，在恒电流下进行抛光；b、表面腐蚀和修饰：将冰乙酸和质量浓度为53%的浓硝酸以1：1的体积比配制成腐蚀液，再将Ni基片用腐蚀液腐蚀30‑60s，再放入氨水进行30‑60s的修饰；c、表面自氧化外延：将b步处理后的Ni基片放入烧结炉中，快速升温到1000℃‑1200℃后保温3‑5分钟，然后随炉冷至室温。该法制备得到的NiO层的NiWO4含量低，织构性能好；厚度足，其阻隔Ni扩散的作用强；致密平整。且其制作工艺简单，操作容易，成本低，不污染环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102912332B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210318962.2
申请日：2012-09-03
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种化学溶液沉积法制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层的方法，其具体作法是：a、M2Zr2O7薄膜的制备：将M(NO3)3.6H2O和ZrO(NO3)3.2H2O按照离子浓度M+3：Zr+4为1：1溶于羟乙基甲基醚，加入氧化聚乙烯20000合成胶体；将胶体涂覆于Ni基合金基带上，干燥后放入H2/Ar还原气氛保护的热处理炉内分解成相；b、RexCe1-xOy薄膜的制备：按稀土离子（Re）与铈离子（Ce）比x：1－x，0≤x≤0.5配制稀土硝酸盐混合物，将混合物溶解于高分子有机溶剂合成胶体，将胶体涂覆于M2Zr2O7基底上，干燥后放入气氛烧结炉中,在H2/Ar还原气氛保护下分解成相。本发明采用全硝酸盐体系化学溶液沉积法，来制备RexCe1-xOy/M2Zr2O7双层缓冲层，该制备方法与物理法相比简单易行、成本低、无污染、可大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN102851655A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210318922.8
申请日：2012-09-03
Applicant: 西南交通大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 本发明提供一种化学溶液沉积制备Gd2Zr2O7缓冲层的方法，其具体作法是：a、Gd2Zr2O7前驱溶液的制备：将适量的Gd(NO3)3.6H2O和ZrO(NO3)3.2H2O按照离子浓度Gd+3：Zr+4为1：1溶于羟乙基甲基醚中，加入氧化聚乙烯20000调节溶液的黏度，获得前驱溶液；b、湿膜的制备:将前驱溶液均匀涂覆在织构基带上，获得湿膜；c、干膜的制备:将湿膜进入干燥设备，去除薄膜中水份；d、分解成相:然后放入通有H2/Ar还原气氛的热处理炉内，先以1℃/min-5℃/min速率升温至350℃－600℃，让有机物和硝酸盐充分分解，后直接升温至成相高温区1100℃－1200℃，保温0.5－2小时，获得Gd2Zr2O7薄膜。该采用化学方法硝酸盐体系制作Gd2Zr2O7缓冲层成本低廉、工艺简单、操作容易控制、不污染环境，有利于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN102061439B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110036396.1
申请日：2011-02-11
Applicant: 西南交通大学
IPC: C23C8/12
Abstract: 一种中温表面氧化外延制备双轴织构NiO(200)涂层导体缓冲层的方法，其步骤是，将退火处理后的双轴织构NiW(200)合金基带，经过丙酮、乙醇等清洗干净后，再在用冰乙酸和硝酸按摩尔比1∶1配制成的表面腐蚀溶液中浸渍10-90秒，然后在95-99份重的氨水和1-5份重的双氧水配制的混合修饰液中，浸渍10-120秒；再将合金基带在氩气气氛或空气气氛中、在600℃-850℃温度条件下，氧化热处理5-30分钟。该方法可以实现涂层导体缓冲层的低成本制备、中温下连续制备、制备效率高，适用于大规模工业化生产；同时制备出的NiO(200)缓冲层薄膜织构性能好、薄膜致密度高、厚度容易控制、能有效起到阻挡作用。
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公开(公告)号：CN102133563A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110049633.8
申请日：2011-03-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: B05C1/04
Abstract: 本发明公开了一种无氟化学溶液沉积法动态连续制备高温超导带材设备，主要包括连续涂覆装置（4）、连续干燥装置（6）、连续热处理炉（9）、放卷装置（1）和收卷装置（10）,其特征在于,所述的放卷装置（1）、收卷装置（10）由伺服电机驱动;连续涂覆装置（4）内的狭缝模出口（17）下方设置一带材（3）导向轮（5）；连续干燥装置（6）后设置一带材（3）导向轮（8）。本发明可实现带材在连续涂覆装置、连续干燥装置和连续热处理炉之间的连续运动，从而达到动态连续制备带材的目的。本发明设备使得生产工艺可在非真空条件下进行且无需配套排氟设施，成本低廉、工艺简单，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102061439A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201110036396.1
申请日：2011-02-11
Applicant: 西南交通大学
IPC: C23C8/12
Abstract: 一种中温表面氧化外延制备双轴织构NiO(200)涂层导体缓冲层的方法，其步骤是，将退火处理后的双轴织构NiW(200)合金基带，经过丙酮、乙醇等清洗干净后，再在用冰乙酸和硝酸按摩尔比1∶1配制成的表面腐蚀溶液中浸渍10-90秒，然后在95-99份重的氨水和1-5份重的双氧水配制的混合修饰液中，浸渍10-120秒；再将合金基带在氩气气氛或空气气氛中、在600℃-850℃温度条件下，氧化热处理5-30分钟。该方法可以实现涂层导体缓冲层的低成本制备、中温下连续制备、制备效率高，适用于大规模工业化生产；同时制备出的NiO(200)缓冲层薄膜织构性能好、薄膜致密度高、厚度容易控制、能有效起到阻挡作用。
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