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公开(公告)号：CN104900412A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510158432.X
申请日：2015-04-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开了一种双界面调控的n型单晶硅的处理方法，其包括如下步骤：S1.提供n型硅片，在n型硅片的背面制作Al掺杂的p+发射极，对背面制作有Al掺杂的p+发射极的n型硅片进行预退火处理，之后再对其进行二次退火处理；S2.在n型硅片的正面进行制绒，并对制绒面进行清洗；S3.在清洗过的制绒面上沉积形成Al2O3薄膜层；S4.在形成的Al2O3薄膜层进行贵金属修饰。本发明的双界面调控的n型单晶硅的处理方法使得光电化学电池中光生电子与空穴之间的俄歇复合率明显降低，且稳定性增强、使用寿命长，同时具有较高的光解水效率。
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公开(公告)号：CN102290450A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110271642.1
申请日：2011-09-14
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/06
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池，包括N型硅片、设于N型硅片上的扩散层，所述扩散层上依次设有第一钝化层和第二钝化层，构成双层结构；所述第一钝化层为PZT薄膜层，其厚度为10~100nm；所述第二钝化层为透明导电的氧化物薄膜层，其厚度为40~90nm。本发明降低了硅片上表面的复合率和电极复合率，提高了太阳能电池的光谱响应，尤其是长波长的光谱响应，提高了太阳能电池的短路电流及开路电压，从而达到提升太阳能电池的光电转换效率的目的。
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公开(公告)号：CN101483198A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910028977.3
申请日：2009-02-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/00 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Ag/硅复合结构紫外光探测器，从上至下依次为Ag薄膜层、单晶硅基片和欧姆接触金属电极；所述Ag薄膜层的厚度为20～80nm；所述单晶硅基片的厚度为100～300um；所述欧姆接触金属电极为Au、Pt或Al电极，且为平面接触，厚度为100～500nm；所述Ag薄膜层和单晶硅基片的接触面为抛光面。本发明还公开了上述紫外光探测器的制备方法。本发明将Ag薄膜的光学特性结合到Si的单晶基片上来实现紫外光的光电响应，得到了一种新型的Ag/Si复合结构的紫外光探测器，为紫外光探测技术的发展做出了贡献。
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公开(公告)号：CN119640312A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411557963.1
申请日：2024-11-04
Applicant: 上海陕煤高新技术研究院有限公司 , 苏州大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/061 , C25B1/04 , C25B11/052
Abstract: 本发明公开了一种具有三硫化二铬/二硫化三镍界面的纳米锥结构析氢电极及其制备方法，析氢电极包括导电基底以及在所述导电基底上原位生长的具有三硫化二铬/二硫化三镍界面的纳米锥结构催化涂层。本发明以镍网为导电基底，在镍网上原位生长具有三硫化二铬/二硫化三镍界面的纳米锥结构涂层作为析氢催化剂，其中，三硫化二铬/二硫化三镍界面层分解水活性较高，优化了二硫化三镍催化涂层氢原子脱附困难的问题，同时引入了更多的活性位点，大大降低了分解水所需的过电位，有效提升析氢效率；采用一步电化学沉积法，制备方法简单高效，催化剂稳定性强，制备的析氢电极在碱性电解水制氢领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115161675B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210799866.8
申请日：2022-07-06
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B3/26 , C23C16/06 , C23C28/02 , C25B3/21 , C25B11/059 , C25B11/081 , C25D3/48
Abstract: 本发明揭示了一种双晶面耦合的光阴极、制备方法及其应用，所述光阴极包括n+/p‑Si基底、沉积于n+/p‑Si基底上的Au(200)纳米颗粒、及沉积于Au(200)纳米颗粒上的Au(111)纳米颗粒。所述制备方法包括：S1、提供n+/p‑Si基底，并封装；S2、在n+/p‑Si基底上采用化学沉积工艺沉积Au(200)纳米颗粒；S3、在Au(200)纳米颗粒表面采用恒电流沉积工艺沉积Au(111)纳米颗粒。本发明中双晶面耦合的Au(111)/Au(200)/(n+/p‑Si)光阴极的制备工艺简单，制备过程能耗低；基于对Au催化剂的晶面调控效应，极大的提高了Si光阴极光电二氧化碳(CO2)还原生成一氧化碳(CO)的催化活性及选择性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117661015A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311583095.X
申请日：2023-11-24
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/031 , C25B1/04
Abstract: 本发明涉及一种镍铈复合氧化物/镍网电极及其制备方法与应用，该电极包括镍网，沉积于所述镍网上的镍铈复合氧化物，属于电解水领域。多孔的镍铈复合氧化物具有较高的本征活性，可提供大量的分解水活性位点，极大的降低分解水所需电压，且其超亲水性的特征也进一步促进了反应动力学过程；本发明的电极材料采用电沉积的方式制备，该制备方法高效，简单，安全性高，可大规模工业生产，且相较于目前商业使用的雷尼镍/镍网电极具有更高的催化性能。
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公开(公告)号：CN115161675A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210799866.8
申请日：2022-07-06
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B3/26 , C23C16/06 , C23C28/02 , C25B3/21 , C25B11/059 , C25B11/081 , C25D3/48
Abstract: 本发明揭示了一种双晶面耦合的光阴极、制备方法及其应用，所述光阴极包括n+/p‑Si基底、沉积于n+/p‑Si基底上的Au(200)纳米颗粒、及沉积于Au(200)纳米颗粒上的Au(111)纳米颗粒。所述制备方法包括：S1、提供n+/p‑Si基底，并封装；S2、在n+/p‑Si基底上采用化学沉积工艺沉积Au(200)纳米颗粒；S3、在Au(200)纳米颗粒表面采用恒电流沉积工艺沉积Au(111)纳米颗粒。本发明中双晶面耦合的Au(111)/Au(200)/(n+/p‑Si)光阴极的制备工艺简单，制备过程能耗低；基于对Au催化剂的晶面调控效应，极大的提高了Si光阴极光电二氧化碳(CO2)还原生成一氧化碳(CO)的催化活性及选择性。
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公开(公告)号：CN114717586A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210355842.3
申请日：2022-04-06
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/031 , C25B11/054 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明揭示了一种镍钴硫/镍网复合析氢析氧电极及其制备方法，所述复合析氢析氧电极包括镍网及均匀生长于镍网上且呈非晶‑结晶结构的镍钴硫三元复合材料，所述镍钴硫三元复合材料呈密集多孔的珊瑚状结构。本发明通过简单、经济、易于实现工业化的制备条件或方法，能制备出高效、高稳定性且价格低廉的工业电解水电极，降低了工业电解水析氢和析氧过电位，提高了工业电解水的效率，促进了工业电解水制氢的产业化发展。
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公开(公告)号：CN112501645B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011455092.4
申请日：2020-12-10
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/031 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种氢氧化镍/镍网复合析氢析氧电极、制备方法及其应用，属于电催化分解水催化剂领域，该复合析氢析氧电极包括在镍网基底上原位均匀生长的氢氧化镍多孔纳米片，或，所述氢氧化镍纳米片上均匀覆盖有铁钴合金纳米颗粒，形成铁钴合金颗粒/氢氧化镍/镍网复合电极。其在80摄氏度，3摩尔/升NaOH电解液中的初始过电位为1.471伏，优于在工业电解水制氢上广泛采用的雷尼镍/镍网电极。该复合析氢析氧电极稳定性也明显优于工业用雷尼镍/镍网电极，同时制备过程简单、成本低、且易于实现工业化量产，可为电解水制氢产业化发展提供一种新思路。
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公开(公告)号：CN108597974B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810447449.0
申请日：2018-05-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供n型单晶Si片，对n型单晶Si片的正反两面进行制绒，并对制绒面进行清洗；S2.在步骤S1制绒后的n型单晶Si片的正面制作硼掺杂的p+发射极，反面制作磷掺杂的n+发射极，然后刻蚀Si片的边缘，并进行清洗；S3.在步骤S2中硼掺杂的p+发射极面上依次沉积Al2O3和ITO薄膜层；S4.在步骤S2中磷掺杂的n+发射极面上依次沉积Al2O3薄膜层、Ti和Pt金属层。本发明基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法使得Si光阴极的光电流密度明显提高，具有较高的光解水效率，同时稳定性增强、使用寿命长。
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