公开(公告)号：CN1697195A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200410094244.7

申请日：2004-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  前坂明弘 ,  河内山彰 ,  对马朋人

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 一种存储器件10具有如下的结构，其中，存储器薄膜4夹在第一和第二电极2和6之间，该存储器薄膜4至少包含稀土元素，该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Cu、Ag、Zn中选出的任一种元素，而且该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Te、S、Se中选出的任一种元素。该存储器件能方便稳定地记录并读出信息，并且该存储器件能由相对简单的制造方法方便地制造。

公开(公告)号：CN1610942A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN03801799.7

申请日：2003-09-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 河内山彰 ,  荒谷胜久

IPC: G11B7/26 ,  G03F7/004

CPC classification number: G11B7/261 ,  Y10S425/81 ,  Y10T428/24802

Abstract: 一种光盘用原盘的制造方法和一种光盘的制造方法，该方法通过使用现有曝光系统，能够实现光盘的较高存储容量。制造光盘的方法的特征在于：使用形成有特定非均匀图案的原盘，所述图案是通过下列步骤形成的：在基片上形成抗蚀层，该抗蚀层由包含诸如W和Mo的过渡金属的不完全氧化物的抗蚀材料组成，不完全氧化物具有小于根据能够为过渡金属所拥有的化合价的理论配比成分的氧含量的氧含量，然后根据记录信号图案，使用激光束选择性曝光和显影抗蚀层，然后将非均匀图案传递到光盘上。