公开(公告)号：CN100503251C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200510131045.3

申请日：2005-12-07

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 藤井正宽 ,  荒川克治

IPC: B41J2/135 ,  B41J2/04 ,  B41J2/16 ,  H02N1/00

Abstract: 提供具有施加相同电压时发生压力高且绝缘耐性优异的绝缘膜的静电驱动器、液滴喷头及液滴喷出装置，其对形成有振动板的腔室基板和形成有与该振动板隔开间隙对置的对置电极的玻璃电极基板进行接合，在腔室基板的对置电极一侧的表面形成有绝缘膜，通过外加电压使振动板向对置电极一侧弯曲，在振动板上作为绝缘膜层叠有高介电常数膜和覆盖高介电常数膜表面用于抑制残余电荷的表面层，高介电常数膜由氧氮化硅、氧化铝、氧化钽、氮化铪硅酸盐或氧氮化铪硅酸盐中任意一种构成，表面层由氧化硅或氮化硅构成，在腔室基板的与玻璃电极基板相接合的接合部分作为绝缘膜形成有不层叠高介电常数膜的氧化硅膜，腔室基板与玻璃电极基板经由氧化硅膜进行阳极接合。

公开(公告)号：CN101327682A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810126670.2

申请日：2008-06-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 大谷和史 ,  荒川克治

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/16

CPC classification number: B41J2/1433 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632

Abstract: 本发明提供一种可以实现排出特性提高、喷嘴密度高密度化的喷嘴基板、液滴喷头以及喷嘴基板、液滴喷头的制造方法和液滴喷出装置。其中，用于排出液滴的喷嘴孔(11)包括：形成为与硅基板表面垂直的第一喷嘴部(11a)；第二喷嘴部(11b)，与第一喷嘴部同轴设置，其剖面面积大于第一喷嘴部的剖面面积；以及倾斜部(11c)，其剖面面积从第一喷嘴部朝向第二喷嘴部递增。

公开(公告)号：CN101028760A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710084141.6

申请日：2007-02-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 荒川克治

IPC: B41J2/16 ,  B41J2/14

Abstract: 本发明提供一种喷嘴衬底的制造方法，在衬底加工时与支撑衬底牢固地粘接而不使衬底产生破损，可以容易地从衬底上剥离支撑衬底，另外，在衬底发生龟裂时，龟裂不到达喷出头部分，由此操作容易、有助于提高成品率和生产率。该方法具有以下工序：在被加工衬底(100)上，通过蚀刻加工形成成为喷嘴孔(11)的凹部的工序；在形成有凹部的加工侧的面上粘合第一支撑衬底(61)的工序；从粘合第一支撑衬底的面的相反侧的面，将被加工衬底薄板化加工为希望的厚度，从而使凹部的前端开口的工序；在凹部被开口的开口侧的面粘合第二支撑衬底(62)的工序；将第一支撑衬底从被加工衬底剥离，在该剥离面上接合第三支撑衬底的工序；将第二支撑衬底从被加工衬底剥离的工序。

公开(公告)号：CN1847003A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610074381.3

申请日：2006-04-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 藤井正宽 ,  荒川克治

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/04 ,  B41J2/16 ,  H02N1/00

CPC classification number: B41J2/16 ,  B41J2/14314 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646

Abstract: 提供一种实现振动板与对置电极之间的残留电化影响的降低，从而可以进行稳定的驱动的静电驱动器。静电驱动器具有由硅构成的振动板(12)、隔有间隙(10)地对置于振动板(12)且在与振动板(12)之间施加电压的对置电极(17)、以及形成在振动板(12)的与对置电极(17)的对置的面上的绝缘层(16)，绝缘层(16)是成膜于振动板(12)上的由介电常数比氧化硅高的物质构成的电介质层(16B)、和成膜于电介质层(16B)上的表面电荷密度的抑制率比电介质层(16B)高的表面层(16C)的叠层构造。

公开(公告)号：CN1604285A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410085728.5

申请日：2004-09-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小枝周史 ,  荒川克治 ,  大谷和史

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/6838 ,  Y10T29/49822 ,  Y10T29/53274 ,  Y10T29/53683

Abstract: 一种表面处理方法，包括：第一步骤，其中表面处理装置1和放置其上的基片10在处于基片10的正表面102与表面处理装置1面对的状态被输送至减压室的内部，以使多个凹入部分32(封闭空间)减压；第二步骤，其中通过使用在凹入部分32内部的负压和大气压的压力差，基片10处于被吸至表面处理装置1上的状态，把表面处理装置1和基片10从减压室的内部取出放入大气压下的环境；第三步骤，其中在基片10被表面处理装置1吸住的条件下，对基片10的所述背面101进行表面处理。