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公开(公告)号：CN1442905A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03106204.0
申请日：2003-02-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 林正浩
CPC classification number: H01L27/0928
Abstract: 本发明提供一种在同一衬底上具有不同驱动电压的高压晶体管和低压晶体管的半导体装置。该半导体装置包括：具有第一导电型的半导体衬底(10)；第一三重势阱(20)，其形成在半导体衬底上并包括具有第二导电型的第一势阱(22)，以及在该第一势阱内形成的具有第一导电型的第二势阱(24)；第二三重势阱(30)，其形成在半导体衬底上并包括具有第二导电型的第三势阱(32)，以及在该第三势阱内形成的具有第一导电型的第四势阱(34)；在第二势阱形成的具有第二导电型的低压晶体管(100N)；以及在第四势阱(34)形成的具有第二导电型的高压晶体管(300N)。第一三重势阱的第一势阱(22)中的杂质浓度比第二三重势阱的第三势阱(32)的杂质浓度要高。
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