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公开(公告)号:CN100378557C
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN200410070280.X
申请日:2004-08-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 山崎康二
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/0688 , H01L27/12
Abstract: 在基板上,具有作为内置遮光膜的数据线,扫描线,含有扫描信号靠扫描线所供给的半导体层的TFT,图像信号靠数据线经由TFT所供给的像素电极,配置于数据线的下侧的保持电容器,以及覆盖这些而形成的绝缘膜而成,前述数据线避开起因于前述保持电容器的高度而形成的前述绝缘膜的表面的台阶而形成。借此,通过提高薄膜晶体管对半导体层的遮光性能,抑制光漏电流的发生,因此显示没有闪烁等的高质量的图像。
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公开(公告)号:CN1291273C
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN200310103081.X
申请日:2003-10-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/136227
Abstract: 一种电光装置,在基板上具备:沿第一方向延伸的数据线;沿着与上述数据线交叉的第二方向延伸的扫描线;被配置为与上述数据线及上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管;电气连接到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容;被配置在上述数据线和上述像素电极之间的屏蔽层;作为上述像素电极的基底配置的层间绝缘膜;以及在上述层间绝缘膜上形成的用于电气连接上述薄膜晶体管和上述像素电极之间的接触孔。并且,在上述接触孔内部的全部区域中具备有填充材料。
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公开(公告)号:CN1220106C
公开(公告)日:2005-09-21
申请号:CN03124043.7
申请日:2003-04-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 山崎康二
IPC: G02F1/136 , G02F1/1335 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/3272 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/3276
Abstract: 在基板上具备像素电极、包含与它连接的半导体层的TFT、与该TFT连接的扫描线以及数据线。其中扫描线,包含与半导体层中的沟道区域相对的作为栅极电极的窄幅部以及不与上述沟道区域相对的宽幅部。由此,在电光装置中,通过预先防止对TFT的光的入射,可以显示高品质的图像。
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公开(公告)号:CN1580921A
公开(公告)日:2005-02-16
申请号:CN200410070280.X
申请日:2004-08-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 山崎康二
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/0688 , H01L27/12
Abstract: 在基板上,具有作为内置遮光膜的数据线,扫描线,含有扫描信号靠扫描线所供给的半导体层的TFT,图像信号靠数据线经由TFT所供给的像素电极,配置于数据线的下侧的保持电容器,以及覆盖这些而形成的绝缘膜而成,前述数据线避开起因于前述保持电容器的高度而形成的前述绝缘膜的表面的台阶而形成。借此,通过提高薄膜晶体管对半导体层的遮光性能,抑制光漏电流的发生,因此显示没有闪烁等的高质量的图像。
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公开(公告)号:CN2625931Y
公开(公告)日:2004-07-14
申请号:CN03257083.X
申请日:2003-04-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 山崎康二
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/3272 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/3276
Abstract: 在基板上具备像素电极、包含与它连接的半导体层的TFT、与该TFT连接的扫描线以及数据线。其中扫描线,包含与半导体层中的沟道区域相对的作为栅极电极的窄幅部以及不与上述沟道区域相对的宽幅部。由此,在电光装置中,通过预先防止对TFT的光的入射,可以显示高品质的图像。
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