公开(公告)号：CN101197186B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200710187566.X

申请日：2007-12-03

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出泰纪

IPC: G11C11/22

Abstract: 本发明提供了一种铁电存储装置及电子设备，其可以提高铁电存储装置的读出容限，而且，可以提高铁电存储装置的读出特性。其中，该铁电存储装置包括：第一p沟道型MISFET(P1-L)，连接在第一节点(Vmn-L)和第三节点(Vc-L)之间，其栅极连接于第二节点(Vmn-R)；第二p沟道型MISFET(P1-R)，连接在上述第二节点和第四节点(Vc-R)之间，其栅极连接于上述第一节点；第一电荷传送MISFET(T2-L)，连接在第一位线(BL-L)和第一节点(Vmn-L)之间；第二电荷传送MISFET(T2-R)，连接在第二位线(BL-R)和第二节点(Vmn-R)之间；第一电容(C5-L)，连接于上述第一节点；以及第二电容(C5-R)，连接于上述第二节点。

公开(公告)号：CN100511471C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200610090428.5

申请日：2006-06-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出泰纪

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供一种特别是在位线方向上集成度高的铁电存储装置，包括：位线BL，在第一方向上延伸；多个第一有源区(112)，在位线的一侧，在第一方向上以规定的间隔配置，分别与位线和第一铁电电容器连接；多个第二有源区(114)，在位线的另一侧，在第一方向上以规定的间隔配置，分别与位线和第二铁电电容器连接；以及第一字线(例如，WL2)，从第一有源区(112)沿第二方向延伸。第一有源区，其一部分与在第一方向上邻接的第二有源区的一部分重叠，而且，在与第一方向交叉的第二方向上与该第二有源区以规定的间隔设置。

公开(公告)号：CN100421174C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200510001763.9

申请日：2005-01-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出泰纪

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/10 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 ,  G11C5/02 ,  G11C8/12 ,  G11C11/22 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11509 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种叠层型的半导体存储装置，其不会使配线或部件复杂化，能提高芯片的成品率。其由多个半导体芯片层(C1～C4)层叠而成，各芯片层具有连接在芯片层之间的芯片选择焊盘(CS1、CS2)，从而将用于选择各芯片层的芯片选择信号共同输入至各芯片层，各芯片层包括：可以编程输出信号的程序电路(PG1、PG2)；以及芯片选择判定电路(10)，其根据所述芯片选择信号和所述程序电路的输出信号判定芯片选择。可以事后在程序电路设定地址信息，因此，在芯片的制造阶段，只需一种芯片。芯片选择信号输入到共用的芯片选择焊盘，因此，不需要针对各芯片的各自的配线。

公开(公告)号：CN101197186A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710187566.X

申请日：2007-12-03

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出泰纪

IPC: G11C11/22

Abstract: 本发明提供了一种铁电存储装置及电子设备，其可以提高铁电存储装置的读出容限，而且，可以提高铁电存储装置的读出特性。其中，该铁电存储装置包括：第一p沟道型MISFET(P1－L)，连接在第一节点(Vmn－L)和第三节点(Vc－L)之间，其栅极连接于第二节点(Vmn－R)；第二p沟道型MISFET(P1－R)，连接在上述第二节点和第四节点(Vc－R)之间，其栅极连接于上述第一节点；第一电荷传送MISFET(T2－L)，连接在第一位线(BL－L)和第一节点(Vmn－L)之间；第二电荷传送MISFET(T2－R)，连接在第二位线(BL－R)和第二节点(Vmn－R)之间；第一电容(C5－L)，连接于上述第一节点；以及第二电容(C5－R)，连接于上述第二节点。

公开(公告)号：CN1885428A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610082893.4

申请日：2006-06-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出泰纪

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  G09G3/20

Abstract: 本发明公开了一种铁电存储装置，尤其是在位线方向上集成度高的铁电存储装置。该铁电存储装置包括：在第一方向上延伸的第一位线；与第一位线连接，用于存储规定的数据的多个第一存储单元；在与第一方向大致相反方向上延伸的第二位线；与第二位线连接，用于存储规定的数据的第二存储单元；与第一位线的一端和第二位线的一端连接，用于对存储在第一存储单元和第二存储单元中的数据进行放大的读出放大器；与第一位线的另一端连接，对读出放大器所放大的数据进行锁存的锁存电路；对使第一存储单元和第二存储单元存储的数据进行传输；以及与第二位线的另一端连接，对是否连接第二位线和数据总线进行切换的第一开关。

公开(公告)号：CN1645610A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510002662.3

申请日：2005-01-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出泰纪

IPC: H01L25/00

CPC classification number: G11C5/06 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/20 ,  G11C2207/105 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种层叠型半导体存储装置，无需复杂的布线和部件，便可提高芯片成品率。该层叠型半导体存储装置由多个半导体芯片层C1～C4层叠而成，在各芯片层具有连接在芯片层之间的芯片选择焊盘CS1、CS2，从而将用于选择各个芯片层的芯片选择信号同时输入至各芯片层。各芯片层具有可对输出信号编程的程序电路PG1、PG2；根据所述芯片选择信号和所述程序电路的输出信号判断芯片选择的芯片选择判断电路(10)。程序电路具有可写入的非易失性存储单元(122)、(124)；与该非易失性存储单元相连接，根据该非易失性存储单元中的记录内容输出不同信号的逻辑电路，且不需要熔丝的熔断工序。

公开(公告)号：CN1645511A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510001763.9

申请日：2005-01-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出泰纪

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/10 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 ,  G11C5/02 ,  G11C8/12 ,  G11C11/22 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11509 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种叠层型的半导体存储装置，其不会使配线或部件复杂化，能提高芯片的成品率。其由多个半导体芯片层(C1～C4)层叠而成，各芯片层具有连接在芯片层之间的芯片选择焊盘(CS1、CS2)，从而将用于选择各芯片层的芯片选择信号共同输入至各芯片层，各芯片层包括：可以编程输出信号的程序电路(PG1、PG2)；以及芯片选择判定电路(10)，其根据所述芯片选择信号和所述程序电路的输出信号判定芯片选择。可以事后在程序电路设定地址信息，因此，在芯片的制造阶段，只需一种芯片。芯片选择信号输入到共用的芯片选择焊盘，因此，不需要针对各芯片的各自的配线。

公开(公告)号：CN1637930A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410097077.1

申请日：2004-12-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出泰纪

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C14/0072 ,  G11C14/00

Abstract: 本发明公开了一种主要用于程序电路等的存储电路，该存储电路能简易、稳定地读出存储数据，其包括：具有第一端和第二端触发器；具有第一铁电电容器和第二铁电电容器，用于存储规定数据的存储部；对所述触发器供给电压，基于所述规定的数据通过控制所述第一端和所述第二端的电位，使所述规定数据保持到所述触发器的控制部；以及基于第一端或第二端的电位，锁存被所述触发器保持的规定的数据的锁存电路。