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公开(公告)号：CN107112140A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005099.1
申请日：2016-02-23
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
Abstract: 一种敏化染料染色液，其具有混合溶剂和敏化染料，其中，所述混合溶剂含有(A)含氮溶剂、(B)醇类溶剂及(C)含硫溶剂，并以1mM以上的浓度溶解有所述敏化染料。一种光电极的制造方法，其包括下述工序：通过使所述敏化染料染色液接触形成于基材上的半导体膜，利用所述敏化染料对所述半导体膜进行染色。
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公开(公告)号：CN107004511A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680004061.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
Abstract: 一种光电转换元件及光电转换元件的制造方法。该光电转换元件具有第一电极和第二电极，该第一电极具有第一基板、在该第一基板上成膜的导电膜、在所述导电膜的表面与所述导电膜可导通地配置且表面被保护膜覆盖的导通材料、在所述导电膜上成膜的半导体多孔质膜，第二电极具有第二基板、和在该第二基板上成膜的相对导电膜，所述第一电极和所述第二电极以所述导电膜与所述相对导电膜相对的方式配置。
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公开(公告)号：CN104508183A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201480001982.4
申请日：2014-01-22
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: C23C24/04 , H01G9/2031 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的制膜方法包括：使用如下凝聚粒子，经过将所述凝聚粒子中包含的所述微粒彼此的结合强化的工序而制作多孔质粒子，将所述多孔质粒子向基材喷吹，使所述基材与所述多孔质粒子接合，并且使所述多孔质粒子彼此接合，由此在所述基材上制造包含所述无机物质的多孔质膜；所述凝聚粒子是在含有原料化合物的溶剂中合成以所述原料化合物为原料的无机物质的微粒、并且使所述微粒凝聚而成的。
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公开(公告)号：CN104428858A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380036748.0
申请日：2013-03-21
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2068 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供一种电气模块，其是具有配置在同一面上的多个单元的电气模块，包括第一电极和与所述该第一电极相对配置的第二电极，在这些所述第一电极与所述第二电极之间夹设有电解质地粘贴，并且具备与所述第一电极连接的第一电极端子和与所述第二电极连接的第二电极端子，所述电气模块使用了第一结构与第二结构中的至少一者，该第一结构是通过沿厚度方向贯穿所述第一电极而设置的开口部将连接于所述第二电极的所述第二电极端子向所述第一电极的外部表面侧取出，该第二结构是通过沿厚度方向贯穿所述第二电极而设置的开口部将连接于所述第一电极的所述第一电极端子向所述第二电极的外部表面侧取出。
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公开(公告)号：CN103035516A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210554751.9
申请日：2009-03-04
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/32137
Abstract: 本发明可抑制基底膜的蚀刻，且没有残渣且高速率地对硅或氧化硅的含硅膜进行蚀刻。本发明中使含有氟系反应成分和氧化性反应成分的处理气体与被处理物(90)接触，对基底膜(92)上的含硅膜(93)进行蚀刻。利用流速调节机构(60)，根据蚀刻的进行使处理气体在被处理物(90)上的流速发生变化。优选调节处理气体的流量使气体流速发生变化。更优选在处理气体供给体系(10)中混合流速调节用气体或停止混合，调节处理气体的流量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102132386B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200980132762.4
申请日：2009-03-04
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137
Abstract: 本发明可抑制基底膜的蚀刻，且没有残渣且高速率地对硅或氧化硅的含硅膜进行蚀刻。本发明中使含有氟系反应成分和氧化性反应成分的处理气体与被处理物(90)接触，对基底膜(92)上的含硅膜(93)进行蚀刻。利用流速调节机构(60)，根据蚀刻的进行使处理气体在被处理物(90)上的流速发生变化。优选调节处理气体的流量使气体流速发生变化。更优选在处理气体供给体系(10)中混合流速调节用气体或停止混合，调节处理气体的流量。
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公开(公告)号：CN101124663A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200580023196.5
申请日：2005-07-08
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/306 , C23F4/00
Abstract: 一种用于处理基板的外周的方法和装置，在用于从基板的外周部去除不需要的膜时能够避免对基板中心部分的损坏。作为吸热装置的冷却介质室(4)形成在台(10)内，且诸如水的冷却介质填充到其中。晶片(90)被支撑在台(10)的支撑表面(10a)上。晶片(90)的外周部通过加热器(20)被加热，且用于去除不需要的膜的反应性气体从反应性气体出口(30b)供到晶片的被加热部分。另一方面，晶片(90)的在所述外周部的内侧的部分内的热量通过吸热装置吸收。
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公开(公告)号：CN107256802B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710249352.4
申请日：2013-03-21
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
Abstract: 电气模块具有配置于同一面的多个单元，包括第一电极、第二电极、夹设于第一电极与第二电极之间的电解质、与第一电极连接的第一电极端子和与第二电极连接的第二电极端子，通过沿厚度方向贯穿第一电极的开口部将连接于第二电极的第二电极端子向第一电极的外部表面侧取出，在第一电极形成有形成第一及第二舌片的切口，第一及第二舌片在形成有第一及第二舌片的第一电极的外部表面折回，在折回的第一舌片的外部表面设有第二电极端子，不将第一电极端子从通过折回第一舌片而形成的第一开口部取出，在折回的第二舌片的外部表面不设置第二电极端子，从通过折回第二舌片而形成的第二开口部取出连接于与第二开口部相对的第二电极的第一电极端子。
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公开(公告)号：CN105723481B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201580002551.4
申请日：2015-03-19
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01G9/2068 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02B10/12 , Y02E10/542
Abstract: 一种色素敏化型太阳能电池单元的嵌入构造，具有将至少具有光电极、与该光电极相对设置的相对电极的色素敏化型太阳能电池单元插入到一对基材之间的构造，所述一对基材中的至少一方的内面侧构成为具有导电性的导电层，将所述导电层和所述光电极或所述相对电极电连接。
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公开(公告)号：CN107923183A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680050431.6
申请日：2016-12-07
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 带太阳能电池室内用具(1)具备：作为家具以及内部装饰中的一者的室内用具(1A)；以及设置于所述室内用具(1A)的色素敏化太阳能电池(30)。
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