包括法拉第旋转器的光学耦合器

    公开(公告)号:CN113805278A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202111121510.0

    申请日:2018-08-23

    Abstract: 本公开的实施例涉及包括法拉第旋转器的光学耦合器。设备包括:光旋转层,被配置为接收第一光和第二光,所接收的所述第一光和所接收的所述第二光具有不同的初始偏振,所述光旋转层被配置为将所述第一光和所述第二光旋转到不同的旋转偏振。双折射层,被配置为用于将经旋转的所述第一光和经旋转的所述第二光分离一段距离;以及重定向层,被配置为将经旋转的和经分离的所述第一光重定向到第一重定向路径并且进一步将经旋转和经分离的所述第二光重定向到第二重定向路径。

    集成波长锁定器
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107919916B

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN201710936341.3

    申请日:2017-10-10

    Abstract: 描述了包括不对称Mach‑Zehnder干涉仪(AMZI)和相关检测器的集成波长锁定器的各种配置。各种实施例通过使用AMZI中的主动调谐元件以实现具有高锁定灵敏度的操作位置、使用相干接收机来降低锁定灵敏度的频率依赖性和/或使用温度传感器和/或张力计来计算地校正温度或张力改变的影响来提供改进的波长锁定精度。

    波导阵列中的相位调谐

    公开(公告)号:CN111273395B

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202010085291.4

    申请日:2016-05-06

    Abstract: 本公开涉及波导阵列中的相位调谐。根据各种实施例,可以使用邻近阵列波导设置的一个或多个加热器以赋予波导之间的增量热致相移,来调谐阵列波导光栅的波长色散。备选地,根据各种实施例,可以使用包括一个或多个加热器的束扫描器以使在束扫描器与阵列波导光栅的输入自由传播区域的界面处由束扫描器聚焦的光的横向位置移位,来调谐阵列波导光栅的波长响应。阵列波导光栅、束扫描器和(一个或多个)加热器可以被实现在绝缘体上硅衬底中,绝缘体上硅衬底可以包括在相应加热器下面的一个或多个背部蚀刻区域。

    平滑波导结构和制造方法

    公开(公告)号:CN113176630A

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202110438985.6

    申请日:2018-08-14

    Abstract: 本公开涉及平滑波导结构和制造方法。在被实现在绝缘体上半导体衬底中的集成光学结构(例如,硅‑氮化硅模式转换器)中,其侧壁基本上由与晶面一致的部分组成并且未横向延伸超过线波导的顶表面的线波导在性能和/或制造需要方面提供益处。这种线波导可以通过以下被制造:例如使用将半导体器件层向下干式蚀刻到绝缘体层以形成具有暴露侧壁的线波导,跟随有平滑结晶湿式蚀刻。

    光子输入/输出耦合器对准

    公开(公告)号:CN110412692A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910243516.1

    申请日:2019-03-28

    Abstract: 本公开的实施例涉及光子输入/输出耦合器对准。光连接器与光子集成电路的输入/输出耦合器的光学对准可以通过以下方式来实现:首先将光连接器与形成在PIC的光子芯片中的光学不相连于PIC的两个环回对准特征连续地主动对准,并且然后基于环回对准特征相对于PIC的输入/输出耦合器的位置的精确知识,将光连接器移动到与PIC的输入/输出耦合器对准的位置并且将其锁定就位。

    平滑波导结构和制造方法

    公开(公告)号:CN109425931A

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201810922621.3

    申请日:2018-08-14

    Abstract: 本公开涉及平滑波导结构和制造方法。在被实现在绝缘体上半导体衬底中的集成光学结构(例如,硅-氮化硅模式转换器)中,其侧壁基本上由与晶面一致的部分组成并且未横向延伸超过线波导的顶表面的线波导在性能和/或制造需要方面提供益处。这种线波导可以通过以下被制造:例如使用将半导体器件层向下干式蚀刻到绝缘体层以形成具有暴露侧壁的线波导,跟随有平滑结晶湿式蚀刻。

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