公开(公告)号：CN113805278A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111121510.0

申请日：2018-08-23

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： J·E·罗斯 ,  J·鲍特斯 ,  G·A·菲什

IPC: G02B6/27 ,  G02B6/42 ,  G02B6/34

Abstract: 本公开的实施例涉及包括法拉第旋转器的光学耦合器。设备包括：光旋转层，被配置为接收第一光和第二光，所接收的所述第一光和所接收的所述第二光具有不同的初始偏振，所述光旋转层被配置为将所述第一光和所述第二光旋转到不同的旋转偏振。双折射层，被配置为用于将经旋转的所述第一光和经旋转的所述第二光分离一段距离；以及重定向层，被配置为将经旋转的和经分离的所述第一光重定向到第一重定向路径并且进一步将经旋转和经分离的所述第二光重定向到第二重定向路径。

公开(公告)号：CN107919916B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN201710936341.3

申请日：2017-10-10

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： J·帕克 ,  J·鲍特斯 ,  J·E·罗斯 ,  E·诺伯格 ,  G·A·菲什

IPC: H04B10/572 ,  H04B10/61 ,  H04B10/40

Abstract: 描述了包括不对称Mach‑Zehnder干涉仪(AMZI)和相关检测器的集成波长锁定器的各种配置。各种实施例通过使用AMZI中的主动调谐元件以实现具有高锁定灵敏度的操作位置、使用相干接收机来降低锁定灵敏度的频率依赖性和/或使用温度传感器和/或张力计来计算地校正温度或张力改变的影响来提供改进的波长锁定精度。

公开(公告)号：CN111273395B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202010085291.4

申请日：2016-05-06

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： J·鲍特斯 ,  B·科赫 ,  J·罗斯 ,  G·A·菲什

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/136

Abstract: 本公开涉及波导阵列中的相位调谐。根据各种实施例，可以使用邻近阵列波导设置的一个或多个加热器以赋予波导之间的增量热致相移，来调谐阵列波导光栅的波长色散。备选地，根据各种实施例，可以使用包括一个或多个加热器的束扫描器以使在束扫描器与阵列波导光栅的输入自由传播区域的界面处由束扫描器聚焦的光的横向位置移位，来调谐阵列波导光栅的波长响应。阵列波导光栅、束扫描器和(一个或多个)加热器可以被实现在绝缘体上硅衬底中，绝缘体上硅衬底可以包括在相应加热器下面的一个或多个背部蚀刻区域。

公开(公告)号：CN111384007B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201910567986.3

申请日：2019-06-27

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： E·J·诺伯格 ,  N·达尔凡德 ,  G·A·菲什

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/868 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开的实施例涉及PIN二极管中的高效散热。可以用热传导通孔来减少集成在绝缘体上半导体衬底上的p‑i‑n二极管的热阻抗，该热传导的通孔使热量跨热屏障分流，该热屏障诸如例如通常封装p‑i‑n二极管的厚的顶氧化物包层。在各种实施例中，一个或多个热传导通孔从本征二极管层的顶表面延伸至连接至二极管的掺杂的顶层的金属结构，和/或从该金属结构向下至少延伸至衬底的半导体器件层。