一种易分离的双色荧光硅量子点的合成方法

    公开(公告)号:CN117487539A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311338017.3

    申请日:2023-10-17

    Abstract: 本发明涉及硅量子点技术领域,具体涉及一种易分离的双色荧光硅量子点的合成方法。其中包括PL光谱最大峰值能量在350‑420nm的光致蓝色发光硅量子点(B‑Si QDs),和PL光谱最大峰值能量在650‑900nm的光致红色发光硅量子点(R‑Si QDs)。本发明通过高温热还原法,同时制备出光致蓝色发光和光致红色发光硅量子点,且实验重复性优异;无需长时间的尺寸分离或复杂的改性处理,仅仅通过静置反应后的溶液便可自动分离B‑Si QDs和R‑Si QDs。本发明制备出的B‑Si QDs的荧光在不同波长激发下有激发依赖性,在光开关、生物成像、分子探针领域具有潜在的应用场景,R‑Si QDs的荧光在不同波长激发下没有激发依赖性,在光电子器件领域、生物标记物具有潜在的应用场景。

    铁电存储器用铁电薄膜电容及制备方法

    公开(公告)号:CN117320542A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311357606.6

    申请日:2023-10-18

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,公开了铁电存储器用铁电薄膜电容及制备方法。包括基板,位于基板上的下电极,下电极上的铁电薄膜层以及上方的上层电极结构。本发明还公开了一种铁电薄膜电容刻蚀图形的制备工艺,主要为直流溅射工艺,光刻工艺,刻蚀工艺;对硅基底进行超声清洗工艺;进行直流溅射,制备得到下电极;进行射频溅射,制备得到铁电薄膜;进行光刻和刻蚀工艺,制备图形化的铁电薄膜;最后制备得到上电极。此外本发明的结构工艺比较简单,可靠性比较好,可以适用于集成铁电。本发明的铁电薄膜电容刻蚀图形工艺,制造方法简单,功耗较小,成本较低,有利于集成。

    一种用于钙钛矿/硅叠层电池的凹球状超表面陷光结构

    公开(公告)号:CN117320467A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311451568.0

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明提出了一种用于钙钛矿/硅叠层电池的凹球状超表面陷光结构,该超表面陷光结构由多个相同的圆柱形纳米棒阵列和与纳米棒阵列相对应的方形衬底组成。每个阵列包括一根位于中心的纳米棒和多根中心环绕排列的纳米棒,高度从中心向外递增,高度差形成近似半球形的凹槽。本发明的设计具有纳米级的结构厚度和低缺陷的表面,克服钙钛矿/硅叠层太阳能电池上下结构不适配的问题,实现了钙钛矿/硅叠层太阳能电池上下结构的共形接触,同时提高了全背式电池的光吸收率,后续可以与其他太阳能电池的领域结合来进一步拓宽其应用场景。

    一种智能刀柄薄膜应变计的加工方法

    公开(公告)号:CN117265487A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311246358.8

    申请日:2023-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种智能刀柄薄膜应变计的加工方法,该加工方法所需的刀柄架由连接底板,前端固定件,后端固定件,可调节高度六角螺柱,定位块,定位块固定件组成,前端固定件通过螺丝固定在连接底板左侧上方,后端固定件通过螺丝固定在连接底板右侧上方,四根可调节高度六角螺柱分别通过螺丝固定在连接底板四个角下方,定位块通过螺丝固定在前端固定件正中间的下方,将刀柄安放在前端固定件和后端固定件之间,使定位块插入刀柄定位销中。本发明可确保刀柄溅射时镀膜面水平保证薄膜质地均匀性能稳定,且可以调节靶基距;本发明增添了防潮层,有利于延长刀柄在有冷却液的情况下的寿命保证了应变计的工作性能。

    一种制备分辨率为2nm电子电路的方法

    公开(公告)号:CN116246954A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202211562991.3

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种制备分辨率为2nm电子电路的方法,其包括以下步骤:首先设计需要的电子电路图,基于折纸术原理将一条长链DNA来回折叠成需要的电子电路图框架,设计合适的连接位点,引入大量的短链(订书钉链)对框架进行固定。将所有链进行混合并退火,形成DNA折纸图案。折纸结构受长链长度影响,只能形成几百纳米大小图案,难以直接形成宏观图案。我们通过在硅片上沉积金纳米粒子,进行表面处理形成硫醇金键,使其与图案边缘预先设计的短链碱基互补,将每个DNA图案固定在硅片的特定位置上。不同的折纸图案相互连接合成一副完整的宏观电子电路图。由于DNA螺旋直径约2纳米,因此所绘电子电路图既保证了其宏观特点也实现最小2纳米分辨率。优点:相比于常规的极紫外光刻等方法成本低廉,且分辨率高,为电子信息的发展提供了一种可行性的方法。

    一种基于DNA分子组装纳米图案的方法

    公开(公告)号:CN114084871B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202111366278.7

    申请日:2021-11-18

    Abstract: 本发明提供了一种基于DNA分子组装纳米图案的方法,包括以下步骤:步骤一、在载玻片上通过聚乙二醇添加生物素,形成生物素层;步骤二、培育出可折叠和展开的发夹式DNA,所述发夹式DNA的形态在折叠和展开之间变化,将发夹式DNA转移到生物素层上;步骤三、根据预设的纳米图案,确定生物素层上每个目标点的位置,寻找每个目标点内唯一处于折叠态的发夹式DNA,并使其处于永久折叠状态;步骤四、在处于永久折叠状态下的发夹式DNA上添加纳米颗粒,最终得到预期的纳米图案。本发明的方法可以实现百纳米以内的分辨率设计,为纳米图案、纳米尺寸功能器件的制备提供了一种廉价的、简单的方法。

    一种基于拓扑光子晶体角态模式的Fano共振折射率传感器

    公开(公告)号:CN118010677A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202311451566.1

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明提供了一种基于拓扑光子晶体角态模式的Fano共振折射率传感器,该构由二维拓扑谷光子晶体波导和波导上下两侧的拓扑缺陷腔组成,拓扑直波导和拓扑缺陷腔均由上下两部分不同拓扑性质的圆形谷光子晶体圆孔在介质背景下呈蜂窝状晶格方式周期性排列而形成。波导里的入射光激发出拓扑缺陷腔里的拓扑角态模式,两个角态模式最终干涉耦合形成拓扑Fano共振,形成的Fano共振其Q值为3.3*104,灵敏度为140nm/RIU,FOM值为7489,具有高Q值和对缺陷杂质具有鲁棒性的特点。

    一种降低近红外发射硅量子点的制备温度的方法

    公开(公告)号:CN117946668A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202311451559.1

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明公开了一种降低近红外发射硅量子点的制备温度的方法,其包括以下步骤:1)通过水解‑缩合反应生成干凝胶;2)将干凝胶在三个平台温度下依次进行煅烧,之后将其研磨得到棕色粉末;3)将棕色粉末进行刻蚀,得到氢钝化的硅量子点粉末;4)将氢钝化的硅量子点粉末通过氢化硅烷化反应,得到烷基功能化的硅量子点粉末。优点是相对现有技术,1)降低了近红外发射硅量子点的制备温度,可以实现在720~900℃下制备出近红外发射硅量子点,性能等同于现有技术在1100~1400℃所制备的近红外发射硅量子点;2)对煅烧设备的石英管损耗较小且能耗较小,导致了成本较低,有利于近红外发射硅量子点技术的产业应用和推广。

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