公开(公告)号：CN113078112A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110335300.5

申请日：2021-03-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钱凌轩 ,  张诚 ,  谭欣月 ,  张万里

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体提供一种氧化物基耗尽型负载反相器的制备方法，用以解决现有耗尽型负载反相器存在的制备工艺复杂、稳定性低、生产成本高等问题。本发明采用负载管(耗尽型晶体管)与驱动管(增强型晶体管)的栅介质层单独制备、氧化物半导体层一步制备的工艺，通过负载管与驱动管的栅介质层制备过程中的氧气含量的控制，实现负载管与驱动管的阈值电压的单独调节，使驱动管的阈值电压为正值、负载管的阈值电压为负值，进而构成氧化物基耗尽型负载反相器。本发明方法制备得氧化物基耗尽型负载反相器的氧化物半导体层一步制备可得，工艺稳定。因此，本发明具备制备工艺简单、稳定性高、制备成本低，利于工业化生产等优势。

公开(公告)号：CN108281509A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810089912.9

申请日：2018-01-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钱凌轩 ,  石雄林 ,  张怡宇 ,  刘兴钊 ,  张万里

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明提供一种提高氧化物半导体基光电探测器性能的方法及所得到的氧化物半导体基光电探测器，该方法对基片上的有源层材料表面进行氟元素掺杂，从而填充制备有源层材料过程中产生的氧空位，然后制作电极形成光电探测器，氟元素掺杂使得光电探测器的探测率提高、恢复时间缩短，有源层材料为氧化物半导体；本发明对氧化物半导体薄膜的表面进行氟元素掺杂来填充氧空位，即电极/半导体之间的界面缺陷，进而改善氧化物半导体基光电探测器性能；氟相较于氧具有更大的电负性，能与镓结合形成更为稳定的化学键，即镓-氟键，因此能更加有效地对氧空位进行填充；氟表面掺杂不会影响到材料内部的晶格结构，且掺杂剂量可控、工艺简单、降低工艺兼容性。

公开(公告)号：CN105742396A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610184674.0

申请日：2016-03-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钱凌轩 ,  吴泽涵 ,  夏勇 ,  盛拓 ,  刘兴钊 ,  张万里 ,  李言荣

IPC: H01L31/101

CPC classification number: H01L31/101

Abstract: 本发明提供一种齐纳二极管辅助型光电导探测器，自下而上依次包括有源层、图形化电极层，图形化电极层包括四个电极，第一电极与第二电极之间连接恒定电流源，第三电极和第四电极之间连接电压测试设备；所述第二电极与第三电极之间、第四电极与第一电极之间，这两个位置中至少一处反向连接齐纳二极管；本发明提出的探测器，与采用叉指电极的传统光电导探测器相比，结构更简单，可降低制备难度，提升产品良率；开口率更高，有利于提高探测效率，实现光电探测器的小型化与芯片级集成；齐纳二极管的采用，能够进一步提高光、暗电压之间的差异，提升探测灵敏度；本发明为制备器件结构简单、开口率高且探测灵敏的光电探测器提供了一种更优的解决方案。