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公开(公告)号：CN114895102A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210181074.4
申请日：2022-02-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R21/133
Abstract: 本发明公开了一种高隔离度输入输出级大动态范围功率检测电路，涉及射频通信领域，解决现有检测电路输入输出级不能同时检测，以及体积大，成本高，且校准复杂的技术问题，本申请文件采用的一种高隔离度输入输出级大动态范围功率检测电路，包括射频信号采集预处理模块1和功率检测模块之间进行信号传输，所述功率检测模块包括功率选段单元2，信号转换单元3，显示及控制单元4；本发明通过将信号功率调整到功率电压转换芯片和A/D转换芯片的线性区，调高检测的精准度，而且调整功率耦合模块的耦合度，减小耦合度时，可测量射频功率上下限整体下调，相反则上调。
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公开(公告)号：CN114257213A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111496307.1
申请日：2021-12-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可调型带通调谐选频电路、电调滤波器及其调节方法，涉及微波通信技术领域，解决现有电路体积大、结构复杂不可调的技术问题，可调型带通调谐选频电路包括两个以对称分布方式级联的谐振电路，谐振电路包括三个电感、一组变容二极管，其中一个电感通过变容二极管接地，且变容二极管输入端接入控制电压；两个谐振电路中通过变容二极管接地的电感互相耦合。本发明不仅整体结构简单、易于加工，且体积小、成本低，且具有调试功能：通过调节耦合电感的距离即可调节耦合系数，从而完成带宽调节，提升了调节方便性，减小了调试难度；并通过改变电感L3与电感L4电感值，可以调节中心频率；改变电感L2和电感L5，即可调节带内插损与驻波。
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公开(公告)号：CN113922783A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111157046.0
申请日：2021-09-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种声表面滤波器的封装结构，解决了传统技术中气密性无法达到封装要求、工艺难度较高，工序复杂的问题，其包括基板，所述基板的顶部设置有叉指换能器与叉指电极，所述基板的顶部固定设置有光刻胶侧壁，所述光刻胶侧壁的顶部固定设置有盖帽层，所述光刻胶侧壁与所述盖帽层形成空腔，所述叉指换能器、叉指电极置于所述空腔内部，实现了简化声表滤波器的封装流程，降低成本，同时保证封装的气密性的技术效果。
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公开(公告)号：CN109889181B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910230149.1
申请日：2019-03-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种复合柔性体声波谐振器，包括由下至上依次设置的基底、底电极、压电层和顶电极，所述基底为聚酰亚胺和氮化硼复合的复合柔性薄膜基底。本发明还公开一种复合柔性体声波谐振器的制备方法。本发明的复合柔性材料具有较低的声阻抗，无需传统的空腔结构或布拉格反射层结构，并且相比于单一的柔性基底，复合柔性基底具有高的热导率和低的介电常数。同时本发明提出的复合柔性体声波谐振器能够优化体声波谐振器的工作稳定性，为后续的滤波器、双工器的高功率容量奠定了基础。
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公开(公告)号：CN108832905A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810555471.7
申请日：2018-06-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明公开一种基于单个VGA芯片的多模式增益控制电路，属于射频通信技术领域，包括VGA芯片、耦合器、检波器、窄带滤波器、单片机、LDO和继电器；AGC结构包括依次连接的单片机、LDO、滤波器、检波器、耦合器和VGA芯片；MGC结构包括单片机和VGA芯片；单片机设有：DAC接口、LDO使能接口、用于控制继电器开关状态的继电器使能接口；单片机DAC接口连接VGA芯片，单片机LDO使能接口连接LDO；耦合器的一端连接VGA芯片的OUT接口，另一端连接窄带滤波器。本发明解决现有的目前没有一种电路可以同时实现AGC功能和MGC功能的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107425864A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710517804.2
申请日：2017-06-29
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H04B1/04 , H03G3/20 , H04B2001/0416
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度自动增益控制电路，包括在主路上的输入端依次电连接有DGA芯片和20dB耦合器，且20dB耦合器作为输出端输出；以及在支路上依次电连接于20dB耦合器的窄带SAW、对数放大器、ADC芯片和单片机，且单片机的输出端连接于DGA芯片的输入端，构成增益控制反馈回路。本发明的主要改进点在于，采用了窄带SAW和ADC芯片，将之按照上述方式与DGA芯片、20dB耦合器、对数放大器、单片机等结合，构成一种新的增益控制反馈回路，解决了现有技术对较差信噪比信号的抗干扰能力差的技术问题，并具有灵敏度高的和电路结构简单的特点。
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公开(公告)号：CN103873010B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410097731.2
申请日：2014-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法，包括衬底、空气腔、底电极层、压电层与顶电极层。该谐振器使用石墨烯作为器件的电极层，在该器件结构中无需使用支撑层，石墨烯底电极层与衬底的凹槽形成空气腔。底电极层上设置压电层，压电层上设置顶电极层。同时，使用本发明所述牺牲层制备工艺，能克服传统工艺中对高精度化学机械抛光设备的依赖，缩短研磨时间，快速得到平整的牺牲层表面。该新型压电薄膜体声波谐振器结构新颖，能够制备出高Q值，高机电耦合系数的压电薄膜体声波谐振器，可用于后续射频通信系统中滤波器、双工器以及多工器的制作，也可与不同的敏感薄膜相结合制作各种高性能传感器。
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公开(公告)号：CN103986419B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410205680.0
申请日：2014-05-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明公开了一种短波宽带双平衡混频器，包括RF宽带阻抗变换器、RF宽带巴伦、LO阻抗变换器、LO宽带巴伦、IF宽带阻抗变换器、IF宽带巴伦、RF/IF宽带巴伦、开关混频级电路。其中宽带阻抗变换器采用双线传输线变压器实现，宽带巴伦采用三线传输线变压器实现，开关混频级电路由八个NMOS管组成。本结构利用阻抗变换器进行宽带匹配，利用巴伦进行输入输出信号非平衡-平衡转换，利用场效应管的开关特性实现无源混频。本发明的混频器在不增加现有混频器损耗和功耗的前提下，利用改进的平衡结构提高混频器的线性性能。
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公开(公告)号：CN101465628B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910058139.0
申请日：2009-01-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器，包括衬底、缓冲层、压电层和电极，其特征在于：①衬底上端面设置有平滑的凹槽和缓冲层，所述缓冲层跨越凹槽与衬底形成一具有平滑上凸边缘的空气隙并完全覆盖该空气隙，所述空气隙下顶面的高度低于衬底，具有平整的表面和平缓变化的边界；②所述缓冲层的与空气隙接触面且临近衬底的边缘为平滑外凸形状，缓冲层上设置所述压电层，电极包括底电极和顶电极，所述底电极设置在缓冲层上压电层内，所述顶电极设置在压电层的上面。该体声波谐振器结构新颖，该方法能够在衬底上制作出结构稳定、损耗小的FBAR，且无需采用CMP工艺，有利于集成于CMOS芯片中。
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公开(公告)号：CN101217266A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810045142.4
申请日：2008-01-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型体声波谐振器，包括衬底、压电膜层、上层金属电极层和下层金属电极层，其特征在于：还包括设置在所述衬底上的薄膜支撑层，该薄膜支撑层与所述衬底的接触面上设置有空气气隙结构；从所述薄膜支撑层、下层金属电极层、压电膜层和上层金属电极层向上依次重叠形成谐振区域。该谐振器克服了现有技术中所存在的缺点，利用表面微加工工艺和牺牲层技术，无需对硅衬底进行凹槽刻蚀工艺，无需进行化学机械抛光工艺，能极大地提高了工艺制备的可行性，很大程度上降低了生产成本，并且仍具有较高的Q值，保证了谐振器的特性。
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