公开(公告)号：CN117765526A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311792585.0

申请日：2023-12-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张翔 ,  李宜航 ,  范宗宇 ,  杨崇尚 ,  杨文韬

IPC: G06V20/64 ,  G06V20/52 ,  G06V10/25 ,  G06V10/44 ,  G06V10/52 ,  G06V10/75 ,  G06V10/74

Abstract: 本发明公开了一种基于数字模型的机场飞行器检测方法，包括以下步骤：进行三维数字建模；检测并提取原始图像中的所有飞行器，提取对应型号的飞行器三维模型；将原始图像中的飞行器和飞行器三维模型输入多尺度检测网络；通过多尺度检测网络分别对原始图像中的飞行器和飞行器三维模型进行特征提取，并进行特征匹配；将特征匹配后的飞行器的三维模型在原始图像上进行投影，并进行特征点匹配；根据特征点匹配结果，得到飞行器的航向信息；对原始图像中的飞行器进行完整度检测和背景检测，得到完整度信息和背景信息；将飞行器的航向信息、完整度信息和背景信息作为飞行器的检测结果，本方法可以更准确地预测飞行器的方位和航向。

公开(公告)号：CN103441148A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310350487.1

申请日：2013-08-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  宋洵奕 ,  吴明进 ,  杨文韬 ,  单亚东 ,  顾鸿鸣 ,  宋文龙 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7806

Abstract: 一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明在常规槽栅VDMOS器件槽栅结构两侧的漂移区中分别增加一个有肖特基结金属和体电极导电材料构成的附加结构；其中肖特基结金属上与源极金属接触，下与体电极导电材料接触，其余下表面和侧面部分与漂移区相接触形成肖特基结；体电极导电材料的侧面和底面与漂移区之间隔着一层介质层。本发明与具有相同尺寸的传统槽栅VDMOS器件相比可以在相同的击穿电压下，采用更高的漂移区掺杂浓度，因而导通电阻有明显的降低，同时二极管反向恢复特性有明显的改善。

公开(公告)号：CN102800591A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210315975.4

申请日：2012-08-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  杨文韬 ,  单亚东 ,  夏小军 ,  李长安 ,  张蒙 ,  张金平 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L21/331

Abstract: 一种FS-IGBT器件的制备方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明使用衬底上进行N型杂质注入形成场截止层，然后生长外延层，制作正面图形，然后背部减薄，背部P型集电区注入并退火，背部金属化的方法来制作场截止型晶体管，可以使场截止层杂质充分激活。此外，通过控制热预算及背部减薄的位置，本方法可以在场截止层与P型集电区之间引入N型过渡区，提高器件性能。

公开(公告)号：CN102184854A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110093629.1

申请日：2011-04-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  张超 ,  杨文韬 ,  单亚东 ,  肖璇 ,  吴宽

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/324

Abstract: 一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待背面工艺完成之后将功率器件置于能够溶解有机硅树脂的有机溶剂中去除有机硅树脂。本发明由于在背面热退火之前，在器件正面金属图形表面涂覆并固化了一层耐高温的有机硅树脂，使得在对器件进行背面热退火时，可采用较高的退火温度和较长的退火时间来充分激活背部P区或N区的杂质离子的同时而器件正面金属图形不会遭到破坏。