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公开(公告)号：CN116647259A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310350394.2
申请日：2023-04-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种通过可重构天线单元优化选择的阵列副瓣电平抑制方法，属于宽阵列波束扫描技术领域。本发明通过有效切割扫描波束中不必要的可重构模式元素REP组合，进一步缩小搜索空间，根据波束方向变化自适应地获得较优的REP组合，以较低计算复杂度实现基于可重构天线单元优化选择的阵列副瓣电平抑制。本发明针对具有不同扫描角度的应用需求，自适应匹配与之对应的方向图模式，能够进一步有效降低阵列天线的副瓣，从而实现更宽的扫描角度，增加阵列系统的有效覆盖范围，从而有效提高阵列系统的威力覆盖范围。
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公开(公告)号：CN116632477A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310270788.7
申请日：2023-03-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明属于微波器件技术领域，具体提供一种基于SISL结构的频率及带宽可重构双工器，用以填补现有技术的研究空白。本发明采用SISL技术实现整体结构的小型化和自封装，在可重构三双工器谐振电路的每个通道中采用加载由可变电容的两阶阶梯阻抗混合耦合谐振器，通过加载于近邻短路端的频率调节可变电容实现谐振频率调节，通过加载于两阶谐振器之间的带宽调节可变电容实现带宽调节；由此，本发明提出的基于SISL的频率及带宽可重构双工器以简单的结构和高效的方法实现两者的同时可调，且因其具有带宽可调特性，进而具有更宽的中心频率可调范围，同时对于其余低损耗、自屏蔽双工器以及多工器的研究具有一定的指导意义。
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公开(公告)号：CN116387788B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310660182.4
申请日：2023-06-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于微波器件技术领域，具体提供一种三模复合的一分四功分网络，用以在保证器件易于集成的同时实现具有低损耗特性的三模复合一分四功分传输。本发明包括：沿z轴方向依次层叠设置的下层金属层、下介质基板层、金属地板层、上介质基板层与上层金属层，上层金属层、金属地板层与下层金属层通过金属短路柱相连，共同构成复合波导传输线结构；在复合波导传输线结构的金属地板上开设缝隙，使其具有标准TE10模式、折叠同相TE10模式和折叠反相TE10模式三种传输模式，且实现良好的模式隔离度，实现三模复合；同时，在复合波导传输线末端开设T型缝隙并插入微带线，设计得到复合波导转四路微带线的结构，实现一分四功分功能。
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公开(公告)号：CN109541643B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201811328984.0
申请日：2018-11-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01S19/13
Abstract: 本发明公开了一种阵列天线的副瓣和交叉极化抑制方法，属于天线技术领域。本发明首先分别构建交叉极化抑制的优化模型和副瓣抑制的优化模型；再采用迭代的方式求解所构建的优化模型，在使左右权系数相互逼近的同时，使其值不断逼近最优解，以加快求解速度；同时，通过调谐因子的引入，保证其收敛性。本发明利用凸优化技术，通过对天线权系数的优化选择，设置阵列天线副瓣和交叉极化同时抑制的方法，提高了阵列天线对来自不同卫星的双极化信号的独立接收能力，抑制其相互影响。
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公开(公告)号：CN112713188B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011568133.0
申请日：2020-12-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种GAN基增强型MIS‑HEMT器件，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、应力调控层、GaN沟道层、插入层、AlxGa1‑XN势垒层以及帽层，所述应力调控层是由AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长组成，具体包括AlN晶核层、AlGaN应力控制层、网状结构SiNx薄层及GaN填平层，外延材料方面，本发明应力调控层为AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长复合层，降低了材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升器件的电子迁移率、击穿电压等特性；在器件工艺方面，凹栅槽刻蚀通过两步法刻蚀直到将AlxGa1‑xN势垒层刻蚀完，充分结合了干法刻蚀的高效率特点和湿法刻蚀的低界面损伤优势，此外，本发明的TMAH溶液有效降低由于热氧化不均匀造成的栅极凹槽界面不平整问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112332081B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202011194157.4
申请日：2020-10-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于微带结构的宽波瓣互补源天线，包括介质基板、底层的金属地板，顶层的两端接地的条形微带线以及微带线两侧加载的金属柱阵列；条形微带线分为n份，每份对应一个金属柱，在条形微带线的长边两侧边缘上下交错设置并均匀分布，金属柱穿过介质基板与金属地板连接，金属柱与条形微带线的连接处均存在一个避让圆环；馈电探针从底层垂直穿过介质基板与条形微带线相连。本发明利用寄生加载使微带线产生有效辐射，与寄生单极子共同组成了互补源阵列，利用互补源天线能够构造特殊辐射方向图的特点，结合特殊的激励相位，实现了具有E面宽波束特点的阵列方向图。本发明的特点是高增益，宽波束，设计紧凑，工艺简单，易于集成，成本低。
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公开(公告)号：CN112713190A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011603997.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法，属于微电子技术领域，从下至上依次层叠设置的衬底、石墨烯层、N型氮化镓层、本征氮化镓层、P型氮化镓层、本征氮化镓沟道层、AlN层、AlGaN势垒层以及P帽层，本发明采用石墨烯作为过渡载体上外延氮化镓可以解决氮化镓自支撑衬底昂贵的问题，还可以解决氮化镓自身诸多方面不足的问题，例如散热性能差等问题。传统垂直型GaN基HEMT器件的承受高压主要部分是P型电流阻挡层(CBL)和N型缓冲层组成的PN结，采用PIN结构替代传统的PN结可以有效的提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN112713188A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011568133.0
申请日：2020-12-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种GAN基增强型MIS‑HEMT器件，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、应力调控层、GaN沟道层、插入层、AlxGa1‑XN势垒层以及帽层，所述应力调控层是由AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长组成，具体包括AlN晶核层、AlGaN应力控制层、网状结构SiNx薄层及GaN填平层，外延材料方面，本发明应力调控层为AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长复合层，降低了材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升器件的电子迁移率、击穿电压等特性；在器件工艺方面，凹栅槽刻蚀通过两步法刻蚀直到将AlxGa1‑xN势垒层刻蚀完，充分结合了干法刻蚀的高效率特点和湿法刻蚀的低界面损伤优势，此外，本发明的TMAH溶液有效降低由于热氧化不均匀造成的栅极凹槽界面不平整问题。
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公开(公告)号：CN106887686A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710181191.X
申请日：2017-03-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于分形结构的双频圆极化天线，包括上介质板、上层辐射贴片、下介质板、下层辐射贴片、支撑柱、空气层、底层馈线，上层辐射贴片为Sierpinski三阶分形结构，下层辐射贴片上设有挖空结构，该款天线实现了天线实际应用的小型化要求，既符合当今通信系统要求的双频工作要求，又符合天线传输无线波时需要抗干扰强的圆极化波的要求；两个工作频段之间差距较大，相互之间干扰较小；分形结构设计天线增加了天线的带宽，圆极化带宽至少也有200MHz以上；天线使用渐变结构馈线来产生圆极化波，使得结构简单，馈电简洁，使用微带线馈电方式适合天线安装组合，相较于传统的同轴馈电点馈电或者多个馈电点馈电简化了很多。
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公开(公告)号：CN119315282A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411520273.9
申请日：2024-10-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于极化转换超表面技术领域，具体提供一种具有四阶响应的高频率选择性反射型极化转换超表面，用以实现高极化转换率的极化转换器。本发明由频率选择表面(Frequency Selective Surface,FSS)与耦合层组成，通过底层金属层的L形微带线及通孔组成了耦合的半波长微带谐振器，将响应扩展到高阶，提升了极化转化率和展宽带宽；同时，中间金属层引入极化转化零点，提高传输频带两侧的频率选择特性；并且，该极化超表面的结构旋转对称，具有双极化转换特性，在电磁波极化转换方面具有较高应用价值。
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