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公开(公告)号：CN1854105A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200510048278.7
申请日：2005-12-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/63 , C04B35/468 , C04B35/622 , H01L41/187 , H01G4/12
Abstract: 纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法，属于电子材料技术领域。本发明的纳米级陶瓷材料掺杂剂，其配方表示为：aA·bB·cC·dR2O3·eSiO2；其中，A包括Na2O；B包括MgO、CaO之一种或多种；C包括MnO2、Co3O4之一种或多种；R包括Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu之一种或多种；其中，a、b、c、d、e是系数，以mol％计算,0≤a≤10％,0≤b≤25％，0≤c≤15％，20％≤d≤60％，10％≤e≤50％，b与c不同时为0。本发明的方法得到的介质材料初始颗粒超细，符合MLCC大容量、小型化的趋势，材料配方可调，烧结温度低；介电常数高，介质损耗小，制成的材料均匀性好，性能重复性好，有利于提高电容器的可靠性。
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公开(公告)号：CN1345705A
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN00116134.2
申请日：2000-09-28
Applicant: 电子科技大学 , 成都宏明电子股份有限公司
IPC: C04B35/622 , H01L21/68
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体陶瓷生产过程中的半导化热处理工艺的承烧钵,它是由镍铁合金制作而成。由镍铁合金特性,使得半导体陶瓷的半导化热处理工艺中采用镍铁合金承烧钵取代陶瓷承烧钵,具有明显改善的工艺适应性和良好的经济效益。
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公开(公告)号：CN111517771A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010260085.2
申请日：2020-04-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/195
Abstract: 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。所述陶瓷材料各组分的质量百分比为：MgO为10～16wt％、Al2O3为25～35wt％、SiO2为45～55wt％、TiO2为1～10wt％、ZrO2为0～5wt％、CoO为1～5wt％。本发明工艺简单，原材料成本低，兼具低介电常数、高品质因数、低频率温度系数的优异性能。本发明微波介质陶瓷材料，其介电常数为4～6，品质因数Q×f值为45000～70000GHz，频率温度系数小于±15ppm/℃，烧结温度为1300～1380℃。
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公开(公告)号：CN105384430B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201510896969.6
申请日：2015-12-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/622 , C03C12/00
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷材料及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。所述陶瓷材料由主晶相材料与掺杂相材料经球磨混合、干压成型、烧结制成，包括主晶相MgSiO3和掺杂相硼硅酸盐玻璃、Al2O3、ZnO、La2O3；各组分的质量百分比含量为MgSiO385～97％，硼硅酸盐玻璃1～8％，Al2O31～3％，ZnO0.5～2％，La2O30.5～2％；与现有技术的同类陶瓷材料相比，本发明具有优良的性能：成瓷密度ρ>2.7g/cm3，较低的介电常数(εr 150MPa)；本发明工艺简单、价格低廉、生产重复性能好，使MgSiO3陶瓷基板材料低成本批量化稳定生产成为可能。
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公开(公告)号：CN106009428A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610318668.X
申请日：2016-05-13
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C08K7/26 , C08K2201/003 , C08K2201/006 , C08K2201/011 , C08L27/18
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅填充PTFE复合材料及其制备方法，用以制备低介电常数、低密度的PTFE工程材料，尤其用于轻型复合材料领域。本发明利用胶体碳球作为模板的同时，加入表面活性剂CTAB来增加反应效率，在强碱性条件下制备出中空二氧化硅纳米球形微粒，然后利用此微粒作为填充PTFE复合材料的填充粒子，最终得到中空二氧化硅纳米球形微粒填充PTFE复合材料。本发明制备二氧化硅填充PTFE复合材料，介电常数低2.1～2.8，密度低0.8～1.2g/cm3；其填充的二氧化硅，比表面积700～900m2/g，粒径均匀且处于400nm～1μm，结构中空球形，球壳厚度40～80nm，球形度高，制备效率高。
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公开(公告)号：CN104193326A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410337899.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种CaO-La2O3-TiO2体系LTCC材料及其制备方法，涉及电子材料技术领域。其原料组成为质量百分比91.74％～99.1％的CaO-La2O3-TiO2和质量百分比为0.9％～8.26％的镧硼锌玻璃。CLT系材料的组成为：CaCO3、La2O3、TiO2按照(1-x)CaTiO3-xLa2/3TiO3配料，其中0.25≤x≤0.45；镧硼锌玻璃的原料组成为：45％≤La2O3≤47％、28％≤B2O3≤32％、21％≤ZnO≤25％。将上述组分经过称量、混合球磨、煅烧、粉碎、造粒、成型、排胶和烧结的固相反应工序制得本发明LTCC材料。本发明原材料价格低廉，器件生产成本极低，高的εr使器件尺寸减小，以便于实现电路集成的小型化件的制造，在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN103232235B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310146478.0
申请日：2013-04-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结中等介电常数高品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由Li2O-Nb2O5-TiO2系材料及占主晶相重量百分比为1～10%的复合降烧剂组成，通过固相反应，即可得到本发明材料。Li2O-Nb2O5-TiO2系材料的组成为LiaNbbTicO3，其中：2
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公开(公告)号：CN102775144B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210248673.X
申请日：2012-07-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P7/10 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种微波陶瓷介质材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。材料包含晶相结构和掺杂剂；主晶相为BCZN(BaCo1/3Nb2/3O3-BaZn1/3Nb2/3O3)，副晶相Ba5Nb4O9伴随B′位和B″位原子非化学计量比和原料掺杂产生。主晶相原料为BaCO3、Co2O3、ZnO、Nb2O5；掺杂剂为相当于晶相结构质量的0.1~1.50%的Al2O3和Ta2O5；或者同时包含相当于0.0%~0.5%的CeO2或Y2O3。本发明采用传统固相烧结方法，具有简单、易控、环保和成本低廉的特点；所得材料具有较高Q×f值（~76500GHz），中等介电常数（35±1）和接近于零的频率温度系数（0±10），适用于制作微波器件介质材料，能够满足微波器件制作要求。
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公开(公告)号：CN103408299A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310300297.9
申请日：2013-07-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种钛酸锌钡体系微波介质陶瓷材料及制备方法，涉及电子材料技术。其化学组成为：（1-x）BaTi4O9-xBaZn2Ti4O11-yM，0.15≤x≤0.25（摩尔比），M为降烧剂，0.0531≤y≤0.1005（重量比）。所述降烧剂组分及重量百分比为：Li2CO3：44.25%～53.47%、SiO2：4.82%～9.19%、B2O3：33.24%～37.71%、ZnO：0.88%～0.94%、Al2O3：3.75%～9.83%、添加物MnCO3和CuO：0.3%～1%、两者重量比为3∶4～3∶6。同时提出了制备该材料的具体方法。本发明制备的微波介质陶瓷，其烧结温度低（≤900℃），介电性能优异：介电常数20-30可调，品质因数高，谐振频率温度系数小。可用于低温共烧陶瓷系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
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