磁记录介质用溅射靶
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109923610A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201780067434.5

    申请日:2017-10-11

    Abstract: 本发明提供能够制作在维持良好的磁特性的同时实现磁性晶粒的微细化以及磁性晶粒的中心间距离的减小的磁性薄膜的磁记录介质用溅射靶。所述磁记录介质用溅射靶是含有金属Pt和氧化物、余量由金属Co和不可避免的杂质构成的磁记录介质用溅射靶,其中,相对于上述磁记录介质用溅射靶的金属成分的合计,含有70原子%以上且90原子%以下的金属Co,含有10原子%以上且30原子%以下的金属Pt,相对于上述磁记录介质用溅射靶的整体,含有26体积%以上且40体积%以下的上述氧化物,并且,上述氧化物由B2O3和熔点为1470℃以上且2800℃以下的一种以上的高熔点氧化物构成。

    密封式交流负荷用继电器以及其中使用的Ag系接点元件材料

    公开(公告)号:CN1820335A

    公开(公告)日:2006-08-16

    申请号:CN200580000687.8

    申请日:2005-06-17

    CPC classification number: C22C5/06 H01H1/0237

    Abstract: 提供了对于交流电压80V~300V、额定电流5~25A的电阻负荷,可实现优良的耐久性的密封式交流负荷用继电器,特别提供了在高温下耐久性也非常优良的密封式交流负荷用继电器。本发明是通过在密封空间内配置的Ag系接点元件来控制交流电压80V~300V、额定电流5~25A的电阻负荷的密封式交流负荷用继电器,所述继电器使用了含有铁的氧化物4.0~20.0重量%的,或者含有选自镁、铝、铟、镧、铈、钐的一种或两种以上的氧化物0.1~2.5重量%且余分为Ag的Ag系接点元件。

    电触点材料及开关
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1244939C

    公开(公告)日:2006-03-08

    申请号:CN200410045702.8

    申请日:2004-05-27

    Abstract: 本发明为电触点材料,该电触点材料通过使在Ag-Cu合金中添加Te或Bi,再添加可改善加工性的In或Zn而形成的合金发生内部氧化制得。在Ag-Cu合金中所添加的Te或Bi不仅保持Ag-CuO系电触点材料的接触电阻稳定性,而且提高耐熔敷性、耐消耗性。合金中各成分的浓度较好为Cu:0.5~10.0重量%,Te或Bi:0.01~1.0重量%,In或Zn:0.5~10.0重量%。

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