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公开(公告)号：CN211150565U
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202020082994.7
申请日：2020-01-15
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管。该绝缘栅双极型晶体管包括圆形元胞，多个圆形元胞阵列排布并且栅极相互连通。圆形元胞包括：沟槽栅，沟槽栅呈环形且沿圆形元胞的外周周向分布；N+有源区，N+有源区呈圆柱状，其位于沟槽栅的环形以内；以及P阱，P阱呈圆柱状，其位于沟槽栅的环形以内，且P阱位于N+有源区的下方。由于采用了圆形元胞结构，绝缘栅双极型晶体管的N+有源区面积大、沟槽栅密度大、电流密度高且导通压降小，使得绝缘栅双极型晶体管面积小且工作时耗损小，有利于降低芯片面积和提高绝缘栅双极型晶体管的使用寿命。
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