公开(公告)号：CN102971807B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180034573.0

申请日：2011-07-08

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  李金望

IPC: H01B13/00 ,  C01G55/00 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/2206 ,  C01G55/00 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种前体组合物，其用于通过简易的液相工艺来形成显示高导电性、同时即使加热至高温也稳定维持非晶体结构的导电性氧化物膜。本发明的前体组合物含有选自镧系元素（其中，排除铈）的羧酸盐、硝酸盐和硫酸盐中的至少1种，选自钌、铱或铑的羧酸盐、亚硝酰羧酸盐、亚硝酰硝酸盐和亚硝酰硫酸盐中的至少1种，与含有选自羧酸、醇和酮中的至少1种的溶剂。

公开(公告)号：CN100585882C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510091746.9

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 古泽昌宏 ,  关俊一 ,  宫下悟 ,  下田达也 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L31/18

Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。

公开(公告)号：CN1294626C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN00800438.2

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 关俊一 ,  下田达也 ,  宫下悟 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: C23C18/06 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  C23C18/08 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/6675 ,  H01L51/0005 ,  Y02P20/582

Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。

公开(公告)号：CN1722475A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510091746.9

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 古泽昌宏 ,  关俊一 ,  宫下悟 ,  下田达也 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L31/18

Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。