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公开(公告)号：CN107949805A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680040756.6
申请日：2016-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/137 , G02F1/13318 , G02F1/133377 , G02F1/134309 , G02F1/1347 , G02F1/13718 , G02F2001/13312 , G02F2001/13478 , G02F2203/01 , G02F2203/02
Abstract: 本公开的实施例提供一种能够执行信息显示功能和镜像功能的显示装置。提供了一种显示处于关闭状态的预定对象的显示装置。提供了一种显示装置，其包括设置在胆甾型液晶显示设备的电极之间的空间中的分隔壁。还提供一种通过使用胆甾型液晶而改善可视性的透明显示装置。根据公开的实施例的显示装置显示面板和辅助面板，所述辅助面板设置在显示面板的前表面上，用于在显示面板的端部驱动时显示预定物体。
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公开(公告)号：CN107209611A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580060338.9
申请日：2015-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F3/0488
Abstract: 触摸屏面板可以包括：液晶；设置在液晶的两侧的第一透明电极和第二透明电极；以及控制器，被配置为在第一模式下将图像数据传送到第一透明电极和第二透明电极，并且在第二模式下感测用户对第一透明电极和第二透明电极中的至少一个的触摸。
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公开(公告)号：CN101300628A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680040836.8
申请日：2006-12-20
IPC: G11B7/125
CPC classification number: G11B7/005 , G11B7/1267
Abstract: 一种确定记录在光学记录介质上的标记的最佳再现条件的方法，其中，至少一个所述标记的长度小于拾取器的分辨率。所述方法包括：获得具有接近于拾取器的分辨率的长度的标记的最佳再现条件；和使用获得的最佳再现条件确定标记的最佳再现条件。
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公开(公告)号：CN1993750A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026119.5
申请日：2005-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/2432
Abstract: 本发明公开了一种超分辨率信息存储介质、向该介质记录数据的方法和装置和/或从该介质再现数据的方法和装置，该超分辨率信息存储介质被设计为能够再现小于入射束的分辨率极限的信息记录标记，并包括：基底；记录层，形成在基底上，并具有由于入射束聚焦的部分的热分解而形成的记录标记；超分辨率层，利用熔点低于记录层的热分解温度的材料形成在记录层上。该超分辨率信息存储介质具有由熔点低于记录层的热分解温度的材料制成的超分辨率层，使得记录层不因采用读出束的重复的照射而受到不利的影响，从而提供了改进的读出性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1771545A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200580000264.6
申请日：2005-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/24 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明提供了一种超解析信息存储介质和使再现信号稳定的方法以及用于将数据记录在超解析信息存储介质上和/或从超解析信息存储介质再现数据的设备。在该信息存储介质上信息被记录为小于入射光束的分辨率的标记，该信息存储介质包括：基底；超解析层，形成在基底上并在入射光束聚焦的部分上产生热反应；相变层，形成在超解析层的上方或下方，并在再现记录标记前结晶。
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公开(公告)号：CN1771540A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200580000173.2
申请日：2005-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/005
CPC classification number: G11B7/1267
Abstract: 本发明提供了一种用于通过积极地检测根据超分辨率信息存储介质(SRISM)的反射率而变化的阈域，使用实际上适于再现的适当实际再现功率来再现记录在SRISM中的信息的方法和设备。从SRISM再现信息的方法包括：将光束发射到SRISM上，同时改变激光光束的再现功率，接收被SRISM反射的光束，并从接收的光束检测再现信号电平的变化；基于再现信号电平的变化，计算再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率；和基于参考再现功率设置实际再现功率。用于从SRISM再现信息的设备包括光学拾取单元和信号处理单元。该光学拾取单元包括光源和光电检测器，其中光源将具有一定范围的功率的光束发射到SRISM上，光电检测器接收从SRISM反射的光束，并从接收的光束检测再现信号；该信号处理单元根据被光源发射到SRISM上的光束的再现功率的变化来检测再现信号电平的变化，并基于再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率设置从光源发射的光束的实际再现功率。
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公开(公告)号：CN107077037A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580050278.2
申请日：2015-04-24
IPC: G02F1/137 , G02F1/1334
Abstract: 提供了每个像素具有相同的工作电压的显示装置及其制造方法。根据一个方面的显示装置包括：第一基板；第二基板；以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间并且具有多个子区的液晶层，其中所述多个子区包括经硬化的聚合物以固定胆甾醇型液晶和所述胆甾醇型液晶的螺距。
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公开(公告)号：CN100418146C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200580000264.6
申请日：2005-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/24 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明提供了一种超解析信息存储介质和使再现信号稳定的方法以及用于将数据记录在超解析信息存储介质上和/或从超解析信息存储介质再现数据的设备。在该信息存储介质上信息被记录为小于入射光束的分辨率的标记，该信息存储介质包括：基底；超解析层，形成在基底上并在入射光束聚焦的部分上产生热反应；相变层，形成在超解析层的上方或下方，并在再现记录标记前结晶。
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