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公开(公告)号:CN110923538B
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201911274071.X
申请日:2019-12-12
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及孪晶形成技术领域,尤其涉及一种具有多向退火孪晶的高熵合金及其制备方法。本发明的制备方法,包括以下步骤:将具有面心立方结构的块体高熵合金进行多道次冷轧变形,得到冷轧态高熵合金;所述多道次冷轧变形的累积轧制压下量为80%以上;所述块体高熵合金包括块体CoCrFeNi高熵合金;将所述冷轧态高熵合金进行低温退火处理,得到具有多向退火孪晶的高熵合金;所述低温退火处理的温度为500~600℃,时间为40h以上。采用本发明的方法,可以得到具有多向退火孪晶组织的高熵合金。
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公开(公告)号:CN108490011B
公开(公告)日:2020-08-14
申请号:CN201810186946.X
申请日:2018-03-07
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N23/20008 , G01N23/20058 , G01N23/20 , G01N23/2055
Abstract: 一种透射电镜块体样品已检测区域的定位方法,通过对透射电镜块体样品薄区孔的记录,来测量透射电镜块体样品再检测时相对第一检测时的旋转角度,求出第二次检测时透射电镜块体样品坐标系相对第一次检测时样品坐标系的旋转矩阵,进而根据第一次检测时特征区域的样品台坐标X、Y、Z、α、β来计算第二次检测的新坐标,可快速找到这些特征区域,实现使用透射电镜对同一特征区域进行数据补充,也可用于确保样品在不同透射电镜下检测同一特征区域。本发明具有以下优点:不需要添加硬件设备,操作简单,易行;而且计算简单,易于编程实现,可作为透射电子显微镜精确分析的辅助工具。
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公开(公告)号:CN110986790A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201911287507.9
申请日:2019-12-14
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供一种在透射电镜中测量面心立方晶体样品里孪晶面宽度的方法,包括如下步骤:步骤一、建立面心立方晶体样品里孪晶面的第一模型,所述第一模型是根据投影几何获得的;步骤二、将面心立方透射电镜样品放入电镜后,查找含有孪晶组织的薄区,将所检测晶粒倾转到 晶带轴;步骤三:调节放大倍数,采集孪晶面的投影图像,包括明场图像和暗场图像,并从图像中测量出孪晶面的投影宽度;步骤四:将步骤三中测量的孪晶面的投影宽度值代入第一模型中,确定透射样品中孪晶面的实际宽度。本发明操作简单,仅仅需要将样品倾转到低指数的 晶带轴;计算公式简洁,能够在透射电镜测试过程中快速计算出所孪晶面的实际宽度;不用加装硬件和软件即可测量。
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公开(公告)号:CN110923538A
公开(公告)日:2020-03-27
申请号:CN201911274071.X
申请日:2019-12-12
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及孪晶形成技术领域,尤其涉及一种具有多向退火孪晶的高熵合金及其制备方法。本发明的制备方法,包括以下步骤:将具有面心立方结构的块体高熵合金进行多道次冷轧变形,得到冷轧态高熵合金;所述多道次冷轧变形的累积轧制压下量为80%以上;所述块体高熵合金包括块体CoCrFeNi高熵合金;将所述冷轧态高熵合金进行低温退火处理,得到具有多向退火孪晶的高熵合金;所述低温退火处理的温度为500~600℃,时间为40h以上。采用本发明的方法,可以得到具有多向退火孪晶组织的高熵合金。
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公开(公告)号:CN108490011A
公开(公告)日:2018-09-04
申请号:CN201810186946.X
申请日:2018-03-07
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22 , G01N2223/07 , G01N2223/507
Abstract: 一种透射电镜块体样品已检测区域的定位方法,通过对透射电镜块体样品薄区孔的记录,来测量透射电镜块体样品再检测时相对第一检测时的旋转角度,求出第二次检测时透射电镜块体样品坐标系相对第一次检测时样品坐标系的旋转矩阵,进而根据第一次检测时特征区域的样品台坐标X、Y、Z、α、β来计算第二次检测的新坐标,可快速找到这些特征区域,实现使用透射电镜对同一特征区域进行数据补充,也可用于确保样品在不同透射电镜下检测同一特征区域。本发明具有以下优点:不需要添加硬件设备,操作简单,易行;而且计算简单,易于编程实现,可作为透射电子显微镜精确分析的辅助工具。
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公开(公告)号:CN102660717B
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201210103810.0
申请日:2012-04-11
Applicant: 燕山大学
IPC: C22F1/043
Abstract: 一种提高铝硅合金硬度的方法,主要是将化学成分质量分数wt%为:硅4.0%~6.0%,铜.0%~2.0%,镁0.3~0.7%,锰0.2~0.7%,其余量为铝的铝硅合金放入电阻炉中,加热515~525℃,保温120~150min,出炉水冷;再将上述经过固溶处理的铝硅合金放在六面顶压机上,压力为1~3GPa,加热180~200℃,保温120~150min,断电保压自然冷却至室温。本发明工艺方法简单、操作方便、成本低廉、质量稳定,经本发明处理后铝硅合金的硬度有较大幅度的提高,其硬度与未经过处理的铝硅合金相比提高60~68%,与常规热处理的铝硅合金相比提高8~13%。
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公开(公告)号:CN102644042A
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201210104597.5
申请日:2012-04-11
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种提高熔渗铜铬合金电导率的方法,主要是将铜铬合金放在六面顶压机上进行高压处理,压力为1~3Gpa,加热温度为850~920℃,保温20~30min后,断电保压自然冷却至室温,再将经上述高压处理后的铜铬合金放入电阻炉中加热至470~520℃,保温时间为60~120min,出炉空冷。本发明工艺简单、易于操控、质量稳定,经过该方法处理的铜铬合金可获得较高的电导率,且组织更加均匀致密,与未经过处理的铜铬合金相比电导率可提高30~32%,与经过常规热处理的提高合金相比电导率提高5%。
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