公开(公告)号：CN104779375B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510108922.9

申请日：2015-03-12

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  杨坤 ,  董建英 ,  芦磊

IPC: H01M4/36 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00

Abstract: 一种基于硒掺杂的硫代锂离子超导体，其是一种分子式为Li10Ge1‑xMxP2S12‑2xSe2x(M＝Sn，Si)或Li10Ge1‑xMxP2S12‑2xSe1.5x(M＝Al)的物质，式中：0＜x≤1。上述基于硒掺杂的硫代锂离子超导体的制备方法主要是将含S和含Se的相关原料在行星球磨机中短时间球磨，再进行烧结，以0.5℃/分钟速率缓慢升温至500‑600℃，保温48小时，然后以1℃/分钟速率缓慢冷却形成固体晶态电解质材料即基于硒掺杂的硫代锂离子超导体。本发明制备工艺简单，制得的超导体材料不仅提高了离子电导率，降低了激活能，还拓宽了材料的电化学窗口。

公开(公告)号：CN106532023A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611094641.3

申请日：2016-12-02

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  张德超

IPC: H01M4/38

CPC classification number: H01M4/381

Abstract: 一种钠快离子导体，它的化学成分为单质的Na、Sb、S，其摩尔比为Na:Sb:S＝6.99～7.01:3:10.99～11.01；上述钠快离子导体的制备方法主要是将上述原料放入到坩埚中，将坩埚放入一端封闭的石英管中，抽真空至0.1Pa，烧封石英管，放入马弗炉中，以0.3℃/分钟的升温速率加热到550～900℃，保温8～20小时后冷却至室温，将块体从石英管中取出，在手套箱中用研钵手动研磨成粉末，或用球磨机对其进行研磨成粉末，制得Na7Sb3S11钠快离子导体。本发明制备工艺简单、可重复性高，制得的Na7Sb3S11钠快离子导体具有极高的离子电导率，其室温电导率数值超过4.56×10-3S/cm。