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公开(公告)号：CN106154410A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610778208.5
申请日：2016-08-30
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/036 , C03B37/025
CPC classification number: G02B6/03627 , C03B37/025
Abstract: 本发明公开了一种单模光纤及其制造方法，单模光纤的裸光纤由内至外依次为纤芯层、内包层和外包层，纤芯层和内包层材质均为掺锗和掺氟的石英玻璃，外包层的材质为掺氟的石英玻璃，外包层采用MCVD工艺制作，纤芯层和内包层均采用PCVD沉积法制作。本发明，通过在少量掺锗的纤芯层中精确掺杂氟，以确保纤芯层与包层粘度匹配，从而降低纤芯层与包层间的应力，而且由于结构类似常规单模光纤，可以替代常规单模光纤进行长距离传输，因此可以在降低光纤损耗的同时，实现与常规单模光纤的良好兼容。
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公开(公告)号：CN104793285A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510217081.5
申请日：2015-04-29
Applicant: 武汉邮电科学研究院 , 烽火通信科技股份有限公司
CPC classification number: G02B6/03666 , G02B6/0288
Abstract: 本发明公开了一种低损耗少模光纤，涉及光通信及相关传感器件技术领域，所述少模光纤自内而外依次包括芯层、掺氟石英内包层、掺氟石英第二芯层、掺氟石英下陷包层以及掺氟石英外包层；所述芯层中未掺杂锗元素，该芯层的折射率呈渐变分布，且分布为幂指数分布；芯层与掺氟石英内包层的相对折射率差最大值为0.3％～0.9％；掺氟石英内包层相对合成石英的相对折射率差为-0.3％～-0.5％；掺氟石英第二芯层与掺氟石英内包层相对折射率差为0.05％～0.2％；掺氟石英下陷包层与掺氟石英内包层的相对折射率差为-0.1％～-0.5％；掺氟石英外包层相对合成石英的相对折射率差为-0.3％～-0.5％。本发明降低了少模光纤所支持线偏振模式光信号的传输损耗及中继成本。
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公开(公告)号：CN118621303A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410701216.4
申请日：2024-05-31
Applicant: 烽火藤仓光纤科技有限公司 , 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C23C16/511
Abstract: 本申请公开了一种微波等离子体沉积组件及微波等离子体沉积装置。本申请涉及微波沉积技术领域，所述微波等离子体沉积组件，包括加热炉、玻璃反应管以及谐振腔，所述玻璃反应管，设于所述加热炉内，所述谐振腔，套设于所述玻璃反应管外，呈环状腔体设置，其中，所述谐振腔在所述玻璃反应管的径向上的环状截面中，内环和外环均为方形。通过谐振腔在所述玻璃反应管的径向上呈方形的环状设置，使得微波分布由椭圆形变为方形，激发的等离子体分布的形状也变成方形，等离子体在轴向和径向上分布更均匀，提高了等离子分布的均匀性，减少了多模光纤折射率分布幂指数α值的波动，同时减少了单模光纤预制棒相对折射率的波动。
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公开(公告)号：CN115728863A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211566672.X
申请日：2022-12-07
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种低损耗反谐振空芯光纤，其包括纤芯区域和包层区域；包层区域包括由外到内依次布置的外包层、第一反谐振层和第二反谐振层；第一反谐振层包括多个旋转对称分布的第一椭圆毛细管，且第一椭圆毛细管与外包层相切；第二反谐振层包括多个旋转对称分布的第二椭圆毛细管，且第二椭圆毛细管与第一椭圆毛细管相切，第二椭圆毛细管与第一椭圆毛细管交错排列；以及，第一反谐振层和第二反谐振层的边界围绕而成的区域为纤芯区域。本申请将空芯光纤中的圆型包层管改为椭圆形包层管，通过减小包层管的曲率半径，抑制高阶模的影响，从而可以降低基模限制损耗。而相切的两层椭圆毛细管相互支撑，可以避免其在制备过程中发生形变，提高制备精度。
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公开(公告)号：CN109574491B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910101344.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司
IPC: C03B37/025 , C03B37/012
Abstract: 本发明公开了一种耐辐射光纤的制备方法，涉及光纤制造领域，该方法包括如下步骤：对光纤预制棒依次进行退火、载氢以及预辐照预处理；对经预处理后的光纤预制棒进行拉丝，制得耐辐射单模光纤或耐辐射多模光纤。本发明方法可以从整体消除石英玻璃内部的材料缺陷、抑制光纤预制棒内部应力分布不均匀的情况、降低所拉制光纤的衰减；同时可以有效降低光纤的辐照敏感程度，有助于实现耐辐射光纤的快速制备；还可以整体提高拉制光纤的耐辐射水平，有利于实现耐辐射光纤的大规模制造。此外，本发明方法对光纤预制棒的种类不作限制，适用范围广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108469648B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810453514.0
申请日：2018-05-14
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/02 , G02B6/036 , C03B37/018 , C03B37/027
Abstract: 本发明公开了一种超低损耗大有效面积单模光纤及制造方法，其裸光纤由内到外依次包括芯层和包层，所述芯层包括由内而外依次设置的内芯层和外芯层，所述内芯层的半径R1为1.5～3μm，所述内芯层的相对折射率差Δ1为‑0.01％≤Δ1≤0，所述外芯层的半径R2为5～6μm，所述外芯层的相对折射率差Δ2为0≤Δ2≤0.05％；所述芯层几乎不掺锗，所述芯层为氟与碱金属氧化物共掺的二氧化硅玻璃层；所述包层包括由内而外依次设置的下陷包层和外包层，所述下陷包层的半径R3为40～50μm，所述下陷包层的相对折射率差Δ3为‑0.25％≤Δ3≤‑0.15％，所述下陷包层半径R3与所述外芯层半径R2的比例R3/R2≥8，所述外包层半径R4为62.5μm，所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明能够降低衰减系数，增大有效面积。
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公开(公告)号：CN109574491A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910101344.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司
IPC: C03B37/025 , C03B37/012
Abstract: 本发明公开了一种耐辐射光纤的制备方法，涉及光纤制造领域，该方法包括如下步骤：对光纤预制棒依次进行退火、载氢以及预辐照预处理；对经预处理后的光纤预制棒进行拉丝，制得耐辐射单模光纤或耐辐射多模光纤。本发明方法可以从整体消除石英玻璃内部的材料缺陷、抑制光纤预制棒内部应力分布不均匀的情况、降低所拉制光纤的衰减；同时可以有效降低光纤的辐照敏感程度，有助于实现耐辐射光纤的快速制备；还可以整体提高拉制光纤的耐辐射水平，有利于实现耐辐射光纤的大规模制造。此外，本发明方法对光纤预制棒的种类不作限制，适用范围广。
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公开(公告)号：CN107179579A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710428285.2
申请日：2017-06-08
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/01853 , C03B37/025
Abstract: 本发明公开了一种低损耗光纤及其制造方法，低损耗光纤由内至外依次包括芯层和相邻包层，芯层不含锗，芯层中氟的含量小于或等于0.1wt％，芯层的相对折射率差小于或等于0.05％，相邻包层中氟的含量为1～2wt％，相邻包层的相对折射率差小于或等于‑0.28％；芯层和相邻包层中掺有碱金属卤代物。本发明，在满足芯包折射率设计前提下，在缩棒过程中，通过加入碱金属卤代物，既可以降低1383nm波长处由氢氧根引起的衰减，同时通过优化锗、氟、钾离子掺杂浓度，可以匹配芯层和包层的粘度，从而有效降低了拉丝过程中纤芯应力集中所造成的光纤衰减增加。
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公开(公告)号：CN115420466A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211042520.X
申请日：2022-08-29
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G01M11/00
Abstract: 本发明公开了低温衰减测试合格光纤、测试方法、测试工具及测试系统，该方法包括：将光纤以预定大小的承绕张力缠绕在光纤低温衰减性能测试盘上，在预定的试验条件下对成盘光纤进行传输特性测试，其中，光纤低温衰减性能测试盘包括轴体和组设于轴体两侧的挡板，轴体上设有缓冲材料。本发明提供的测试方法、测试工具和测试系统可对长距离光纤进行可靠的低温衰减性能测试，避免了现有国标测试方法中光纤被截短至2公里长度造成浪费的问题；本发明提供的低温衰减性能合格的光纤在较长距离上每处都低温衰减合格，适用于极寒极热或者昼夜温差极大等环境恶劣地区的长距离信息传输。
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公开(公告)号：CN111443419B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202010247474.1
申请日：2020-03-31
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/02
Abstract: 本申请涉及一种大模场抗弯多芯少模光纤，包括多个少模单元、多个空气孔以及多芯光纤包层；少模单元包括少模纤芯以及包围少模纤芯的下陷包层，多芯光纤包层包围各个少模单元以及各个空气孔，多芯光纤包层的相对折射率高于下陷包层且低于少模纤芯；少模单元按正三角形点阵排列，形成形的少模单元点阵区；空气孔与相邻的少模单元或空气孔按正三角形点阵排列，形成两个关于光纤中心对称的空气孔点阵区，空气孔点阵区与少模单元点阵区组成以光纤中心为中心的正六边形点阵区。本申请向正六边形光纤阵列中引入空气孔，破坏了高阶模式的导模条件，消除了不期望的高阶模数量，通过增加纤芯数量，大幅提高了空间集成维数密度，增加了光纤的传输容量。
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