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公开(公告)号：CN117405737A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311190969.5
申请日：2023-09-15
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种检测直拉单晶硅中实际掺杂剂含量的方法，包括：测试晶棒去除头尾后的总长度；测试距离晶棒头部多个位置处的电阻率；假定晶棒中所含的掺杂剂种类和各自的掺杂总量，根据分凝公式模拟晶棒在不同位置处的有效掺杂量并拟合出电阻率分布；将模拟的电阻率分布曲线与实际测试的电阻率分布曲线进行拟合，通过不断修正各种掺杂剂的初始掺杂总量，使两条曲线尽可能重合，最终得到的各自掺杂剂初始掺杂总量即为实际的总掺杂量。最后将得到的各种掺杂剂的总掺杂量代入各自的分凝公式中，得到直拉单晶硅沿轴向不同位置处的掺杂剂的实际含量。该方法仅需对晶棒进行电阻率测试和数据拟合，无需繁琐复杂的化学制样与表征分析，方法简便快捷。
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公开(公告)号：CN116190491B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310163751.4
申请日：2023-02-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/115
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开一种纯无机铅卤钙钛矿异质结及其制备方法和应用，制备方法包括将导电衬底置于双温区管式炉的低温区，将前驱体粉末置于双温区管式炉高温区作为蒸发源；石英管抽真空后，将所述低温区和高温区分别升温至80～300℃和400～660℃，通入载气，保温30～180mins，经过两轮气相沉积过程得到所述钙钛矿双层异质结吸收层。基于该异质结所制备的器件X射线探测灵敏度高，检测极限低，同时具有较好的稳定性和极低的暗电流，适用于X射线探测及成像应用。
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公开(公告)号：CN115161762B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210900279.3
申请日：2022-07-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅晶锭的方法，包括以下步骤：提供锗硅碳三元合金固体；基于PVT法将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，从而得到掺锗的碳化硅晶锭。本发明通过将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，使得最终可以获得掺杂锗元素均匀的碳化硅晶锭，有利于提高掺锗碳化硅产品的良率。
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公开(公告)号：CN113964223B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202111201864.6
申请日：2021-10-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种抑制切割边缘漏电的晶体硅太阳能电池片、电池组件及其制备方法，制备过程中，采用经过清洗和制绒的p型或n型硅片，在硅片正面形成pn结之后，在将要进行激光划片的硅片中线附近区域内先形成一层掺杂类型与硅片基体相同的扩散前驱体层，然后通过退火、激光处理、电流注入或离子注入等方式将该区域覆盖的发射极的掺杂类型转变为与硅片基体相同，最后经过电池工艺形成电池片。利用本发明，获得的半片电池的切割边缘将不存在pn结，避免了切割边缘pn结漏电引起的电学性能损失，从而可以获得更高转换效率的半片电池及更高输出功率的太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN113964222B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202111201762.4
申请日：2021-10-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种低漏电的晶体硅太阳能电池片、电池组件及其制备方法，属于太阳能电池领域；制备过程中，采用经过清洗和制绒的p型或n型硅片，在硅片正面的中线区域设置pn结阻挡层，在硅片正面的剩余区域设置pn结；所述硅片正面的中线区域与激光切割划片的区域对应。本发明中，pn结阻挡层将该区域内的p区和n区分隔开，从而避免了激光划片后裸露的pn结区引起的漏电，从而经过切割后可以获得更高转换效率的小片电池及更高输出功率的太阳能电池组件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116130635B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310154101.3
申请日：2023-02-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/36 , H01M10/0525 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/62
Abstract: 本发明公开了一种硅碳/共价有机框架复合材料的制备方法，包括：步骤一：将含醛基的原料A与有机溶剂A混合得到溶液A；将含胺基的原料B与有机溶剂B混合得到溶液B；含醛基的原料A选自苯‑1,3,5‑三甲醛和/或2,4,6‑三甲酰基均苯三酚；含胺基的原料B选自三(4‑氨基苯基)胺和/或对苯二胺；步骤二：将溶液A与硅碳复合材料共混搅拌，再将溶液B加入共混搅拌得到混合溶液，最后加入催化剂进行充分反应，经后处理得到硅碳/共价有机框架复合材料；硅碳复合材料中硅的沉积含量为5～15wt％。本发明制备得到的产品可以有效缓解硅碳复合材料循环过程中硅颗粒的粉化，显著提高负极的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN116761477A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310516041.5
申请日：2023-05-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种诱导钙钛矿薄膜取向成核的方法和应用，属于光伏材料技术领域，本发明首先制备特定组分的钙钛矿前驱体溶液，再将钙钛矿前驱体溶液沉积到基底上，分阶段加热制备得到钙钛矿薄膜。通过将含烷基脒结构的化合物作为钙钛矿前驱体溶液中的添加剂，降低了晶体成核过程中的(100)面晶面能，减缓了成核过程，进而制得具有(100)面取向的钙钛矿薄膜，进一步的，对应的钙钛矿薄膜能够用于制备具有高光电转换效率的光电器件。本发明操作简单，效果显著，可重复性高，适用于大规模商业化生产。
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公开(公告)号：CN116555899A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310534059.8
申请日：2023-05-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请公开了一种单晶生长装置，单晶生长装置包括坩埚、感应加热器、至少一个感应加热体以及石墨桶；石墨桶设置在坩埚内部，感应加热器设置在坩埚外周侧，感应加热器用于对坩埚以及石墨桶内的原料进行加热，感应加热器包括感应线圈以及为感应线圈供电的电源；至少一个感应加热体设置在石墨桶内部，感应加热体用于辅助感应加热器对石墨桶内的原料进行加热，感应加热体为导体，感应加热体的加热源为感应加热器。石墨桶可以起到热传递以及热均衡的作用。本申请提供的单晶生长装置通过感应加热体对内部原料进行加热，使第一放料空间以及第二放料空间的温度保持近似相同，以获取更均匀的加热以及升华效果。
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公开(公告)号：CN114167138B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111528881.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法、系统及存储介质，通过向碳化硅晶圆施加一个固定电压，来形成碳化硅晶圆的EL光谱强度分布图像，再建立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电阻分布方程，然后通过联立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、平均电子浓度方程，计算得到碳化硅晶圆平均电子浓度与EL光谱强度的函数关系，来生成载流子浓度分布图像；最后生成精确、完整的碳化硅晶圆的电阻分布图像。相比传统方法，本发明一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法比电阻仪的速度快一个数量级以上，且图像连续完整等优点，适用于大规模工业化生产中的碳化硅晶圆表征。
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公开(公告)号：CN116334753A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310291611.5
申请日：2023-03-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种在高L‑Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法，属于硅外延片生长技术领域。所述方法包括：(1)将高L‑Pits硅单晶衬底置于外延炉中，升温至1200～1250℃，通入HCl气体去除硅单晶衬底近表面L‑Pits聚集物；(2)降温至800～1100℃，继续通入HCl气体清洁硅单晶衬底表面，得到预处理衬底；(3)调节温度至外延生长工艺温度生长外延层，制得低密度缺陷外延片。本发明通过对高L‑Pits硅单晶衬底表面进行高低温预处理，实现硅衬底表面L‑Pits缺陷减少或消除。利用本发明制备方法获得的硅外延片具有低密度的表面微缺陷，表面颗粒极少分布，达到硅外延片质量提升的目的。
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