一种芯片刻蚀工艺优化方法及系统

    公开(公告)号:CN118588605A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202411062449.0

    申请日:2024-08-05

    Abstract: 本发明属于芯片刻蚀管理技术领域,具体是一种芯片刻蚀工艺优化方法及系统,包括处理器、刻蚀采集传输模块、刻蚀优化决策模块、优化方案执行模块、优化管理评估模块以及刻蚀监管端;本发明通过刻蚀采集传输模块实时采集芯片刻蚀过程中的各项参数,刻蚀优化决策模块基于芯片刻蚀过程中的各项参数数据进行分析以生成相对应的优化方案,优化方案执行模块基于优化方案对刻蚀过程进行适应性调控,实现对刻蚀工艺参数的精确控制和动态调整,且通过优化效果评估模块合理分析并准确判断检测时期内针对芯片的刻蚀表现状况,以及时提醒管理人员作出相应改善措施,从而保证后续的芯片刻蚀效果和生产效率,智能化程度高。

    混合拓扑数据中心网络的业务部署方法、系统、介质、设备

    公开(公告)号:CN117336185A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311351280.6

    申请日:2023-10-18

    Abstract: 本发明涉及网络业务部署技术领域,公开一种混合拓扑数据中心网络的业务部署方法、系统、介质、设备,包括:构建包括Spine层和Leaf层的混合拓扑组成的数据中心网络,Spine层包括多个电交换节点,Leaf层包括多个混合交换节点和多个电交换节点,混合交换节点包括光交换节点和电交换节点;Leaf层中的混合交换节点间进行信息交换,Leaf层中的混合交换节点和电交换节点均和Spine层中的电交换节点进行信息交换;在混合拓扑组成的数据中心网络中,根据Leaf层中的节点的潜在计算资源选择主节点,在主节点的邻居节点内选择满足AI业务需求的节点进行AI业务的部署。本发明可以提高AI业务的部署效率、降低网络阻塞概率。

    一种芯片老化测试设备

    公开(公告)号:CN117092495A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311357771.1

    申请日:2023-10-19

    Abstract: 本发明涉及芯片老化测试技术领域,尤其是指一种芯片老化测试设备,包括恒温恒湿检测箱,所述恒温恒湿检测箱的前端靠上方开设有检测槽,所述恒温恒湿检测箱的前端转动连接有防护盖,所述检测槽内侧设置有测试电板,所述测试电板的顶面上连接有用于连接各种芯片的连接插条,所述测试电板的外侧设置有移动组件,所述移动组件用于带动测试电板水平移动,所述恒温恒湿检测箱的前端靠下方设置有检测模块,所述检测模块用于对芯片进行通电测试,所述恒温恒湿检测箱的外侧设置有连接组件,所述连接组件用于将测试盘与检测模块连接,通过此种设置,让芯片的老化测试过程,全程由设备进行操作,在漫长的时间周期中自行记录老化数据。

    一种晶圆匀胶设备
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117066060A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311091525.6

    申请日:2023-08-28

    Abstract: 本发明涉及一种晶圆匀胶设备。本发明包括箱体;所述箱体的内部固接有第一伸缩杆,所述箱体的内部固接有连接板,所述连接板的顶部设置有固定组件,所述固定组件包括限位架,所述限位架设置有三个,且所述限位架对称固接在连接板的顶部,所述限位架的顶部固接有吸盘,所述连接板的顶部设置有支撑板,所述支撑板的内部滑动连接有第二限位座,所述连接板的顶部固接有支撑座,所述支撑座的内部转动连接有弧形板,通过弧形板和支撑座之间的转动连接,使弧形板转动时推动晶圆进行移动,利用三个弧形板实现对晶圆同步推动效果,保证晶圆处于限位架的顶部,同时弧形板推动晶圆作用力超过吸盘对晶圆的吸引力,保证晶圆的移动效果。

    一种芯片封装设备
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117013358A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202311272964.7

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 本发明涉及芯片技术领域,尤其是指一种芯片封装设备,包括工作台,所述工作台的上端面转动连接有转动轴,所述转动轴的端部与电机输出部连接,电机安装在工作台内部,所述转动轴的上端面固接有封装座,封装座的形状为圆形,所述封装座的上端面固接有多个放置部,每个放置部内部均设置有夹紧机构,夹紧机构用以对待封装的芯片进行夹紧,所述工作台靠近封装座的一侧固接有侧支杆,所述侧支杆靠近放置部的端部设置有控制部,通过夹紧机构可确保芯片在封胶过程中的稳定性,而且避免了芯片在封胶完成之后,封胶头与芯片上方接触,由于黏性的存在,由于封胶头在离开芯片时,其会将芯片带离放置部的问题,方便了对芯片的后续操作。

    一种基于光学检测的芯片表面精准打孔工艺及系统

    公开(公告)号:CN118832323B

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411166068.7

    申请日:2024-08-23

    Abstract: 本发明属于芯片加工监管技术领域,具体是一种基于光学检测的芯片表面精准打孔工艺及系统,其中,该系统包括处理器、芯片设计模块、芯片打孔模块、光学检测模块、比对修正补偿模块和触摸式显示预警模块;本发明通过位置精准性校验模块和区域影响校验模块在打孔前将待打孔芯片的位置精准性和打孔操作区域内影响芯片打孔的不利因素进行分析,在生成位置高精准信号和区域低影响信号时对芯片表面进行逐一打孔,比对修正补偿模块基于打完孔的芯片图像以识别出伪通孔,并使激光打孔设备对芯片表面进行补偿式打孔,提高芯片的通孔率,保证芯片表面打孔的精度和一致性,显著提升产品质量和芯片生产效率,智能化和自动化水平高。

    用于晶圆表面处理的薄膜均质化沉积方法及装置

    公开(公告)号:CN118996380A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411497357.5

    申请日:2024-10-25

    Abstract: 本发明公开了用于晶圆表面处理的薄膜均质化沉积方法及装置,涉及晶圆处理技术领域,该方法包括:根据图像采集设备对晶圆进行状态校验,生成晶圆装载指令;根据所述晶圆装载指令,获得装载晶圆;进行沉积环境期望处理,确定沉积期望反应腔;进行薄膜沉积决策,获得满足晶圆薄膜沉积均质约束的薄膜均质化沉积策略;根据所述化学气相沉积设备的沉积控制模块对所述装载晶圆进行薄膜沉积。本发明解决了现有技术中晶圆表面处理过程中薄膜均质性控制不足,薄膜沉积的质量及工艺可靠性低下的技术问题,达到实现了晶圆表面处理过程中薄膜沉积的高均质性和高质量,极大提升了沉积工艺的可靠性和产出质量的技术效果。

    芯片加工用激光刻蚀的智能控制方法及装置

    公开(公告)号:CN118989620A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411477669.X

    申请日:2024-10-22

    Abstract: 本申请提供了芯片加工用激光刻蚀的智能控制方法及装置,涉及激光刻蚀技术领域,包括:获取芯片激光刻蚀加工的激光控制参数空间,随机生成激光控制参数;对芯片基材进行集成模拟激光刻蚀微槽图像的生成,并识别获得多个微槽底部粗糙度;分别进行个体微槽电气性能影响分析,进行连续微槽电气性能影响分析,获得连续电气性能影响参数;计算获得激光控制参数的刻蚀评分,进行激光控制参数的优化,获得最优激光刻蚀参数,进行芯片激光刻蚀加工控制。通过本申请可以解决现有技术中存在刻蚀过程中无法准确控制微槽粗糙度的技术问题,实现对激光刻蚀参数与微槽电气性能之间关系的精准分析和优化的技术目标,达到有效控制微槽底部粗糙度的技术效果。

    多粒度全光交换网络的“业务-模态”适配传输方法

    公开(公告)号:CN117641160A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311352457.4

    申请日:2023-10-18

    Abstract: 本发明涉及一种多粒度全光交换网络的“业务‑模态”适配传输方法,包括:构建多粒度全光交换网络;寻找待传输业务源节点与目的节点之间的最短路径;根据传输速率大小、到达时间、持续时间与发生概率,获取待传输业务的带宽、最低传输时延与传输质量要求,判断业务类型:若为一般性业务,计算利用不同交换粒度类型在最短路径上传输的传输成本,令传输成本最低的为目标交换粒度;若为确定性时延业务,计算利用不同交换粒度类型在最短路径上传输的传输时延,令传输时延最短的为目标交换粒度;若为高可靠性业务,计算利用不同交换粒度类型在最短路径上传输的插入损耗,令插入损耗最小的为目标交换粒度;根据目标交换粒度,建立传输光路进行业务传输。

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