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公开(公告)号：CN118039730A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211382920.5
申请日：2022-11-07
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种TOPCon太阳能电池及其制备方法和应用，所述制备方法主要包括：在制备得到隧穿氧化硅层之后，进行退火处理；其中，所述退火处理的介质为臭氧与保护气体的混合气体，所述混合气体的流量为0.5SLM‑5SLM，所述臭氧在所述混合气体中的体积分数为5％‑20％，所述退火处理的温度为300℃‑500℃，时间为1min‑10min。本发明制备方法得到的隧穿氧化硅层的硅原子中，Si4+的原子含量在95％以上，且所述隧穿氧化硅层与硅基体之间的界面态密度在3×1010cm‑2eV‑1以下，晶化率在80％以上。因此，本发明所述制备方法得到的TOPCon太阳能电池中隧穿氧化硅层的钝化效果优异，进而能够有效提升TOPCon太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN114823981B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210515353.X
申请日：2022-05-11
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供了一种提高表面氧化层契合度的方法和应用，所述方法包括以下步骤：将退火后的太阳能电池硅片依次进行进舟、升温、一步抽真空、催化提纯、二步抽真空、回压和降温出舟；其中，所述催化提纯的气氛包括氯化烷烃、氯硅烷和笑气，本发明通过采用含氯介质，在高温，低压的氛围中催化提纯氧化层接合面的杂质，降低表面复合度，增加氧化层契合度，从而提升效率，改善PID等。
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公开(公告)号：CN119947292A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411851659.8
申请日：2024-12-16
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及TOPCon电池背面钝化方法、TOPCon电池生产方法和TOPCon电池，方法包括：利用激光开窗工艺在所述TOPCon电池背面的重掺杂多晶硅层表面形成Finger区域的图形；采用湿法刻蚀工艺对所述TOPCon电池背面finger区域进行刻蚀，漏出N型硅基底；在所述N型硅基底表面形成氧化铝钝化层；在所述氧化铝钝化层表面形成氮化硅减反射膜。通过氧化铝和氮化硅相结合的钝化层解决了背面finger区陷光吸收及反射率高的问题和激光‑湿法刻蚀后少子寿命下降及存在钝化缺陷的问题。最终实现提升电池整体转换效率和提升电池双面率的目的。
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公开(公告)号：CN119604074B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510138252.9
申请日：2025-02-08
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H10F71/00 , H10F77/70 , H10F10/14 , H10F77/1223
Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种抛光无高度差隔离区TBC电池的制备方法。本发明借助紫外激光氧化工艺以及通过巧妙合理的步骤设计，可使硅片基底在碱清洗或碱洗制绒过程中免受碱腐蚀，从而确保隔离区表面的p区、隔离区和n区高度齐平且为抛光面结构，有利于提升电池性能，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN119789600A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411720599.6
申请日：2024-11-28
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括硅片，所述硅片的正面包括依次叠层设置的第一隧穿层、第二隧穿层、第一硼掺多晶硅层、第三隧穿层、第二硼掺多晶硅层、钝化层以及减反射层；其中，所述第一隧穿层及第三隧穿层均为二氧化硅隧穿层，所述第二隧穿层为氧化铝隧穿层及氮化硅隧穿层中的至少一种；所述第二硼掺多晶硅层的正面为绒面。本发明提供的太阳能电池有效提高电池正面的钝化性能及接触性能，具有优异的电池转化效率，应用前景广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119451239A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310975523.7
申请日：2023-08-04
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H10F10/14 , H10F71/00 , H10F77/70 , H10F77/122
Abstract: 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请中的太阳电池包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；空穴传输层和电子传输层，空穴传输层和电子传输层间隔设置于第一表面上，空穴传输层的材料包括氧化钒，电子传输层的材料包括氧化钛；第一钝化层，第一钝化层位于空穴传输层的远离半导体衬底的表面上；第二钝化层，第二钝化层覆盖第一钝化层的远离半导体衬底的表面、电子传输层远离半导体衬底的表面以及第一表面。该太阳电池能够实现电极与半导体区域之间较好的电接触效果，进而实现较高的IBC太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN119181741A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310741812.0
申请日：2023-06-21
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种N型晶硅电池的缺陷修复方法，包括：对N型晶硅电池片进行检测，筛选出具有类交叉隐裂的缺陷电池片；将缺陷电池片进行预升温处理，预升温处理温度为270℃～310℃，保温时间为330s～430s；进行电注入处理，电注入处理温度为270℃～310℃，保温时间为2640s～3440s，电注入电流为10A～12A；冷却后完成修复。本发明还提供N型晶硅电池的制备方法。本发明提供的N型晶硅电池的缺陷修复方法，在目前工厂洁净度达不到更高要求的情况下，只需在N型晶硅电池片的原有制备工艺基础上，再增加一步电注入处理即可对类交叉隐裂缺陷进行针对性修复，从而能够有效提高N型晶硅电池的良率，且修复方法简单，效率高。
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公开(公告)号：CN118899369A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411399557.7
申请日：2024-10-09
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种激光晶化制备TBC太阳能电池的方法。本发明方法先生成磷扩散层，再沉积硼掺杂非晶硅层，然后借助局域激光晶化将硼掺杂非晶硅转化为硼掺杂多晶硅层，可有效提升晶化率并降低接触电阻，进而提升电池性能。本发明方法可有效避免常规工艺高温硼扩散过程中磷原子内扩严重现象，为当前TBC太阳能电池制备工艺提供了另一种新路径。
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公开(公告)号：CN118867033A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310460134.0
申请日：2023-04-26
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明提供了一种IBC电池及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)对原始硅片进行制绒处理后，进行保护层镀膜，对保护层刻蚀修饰处理；(2)将修饰后的硅片进行抛光处理，将抛光后硅片进入LPCVD生长TOPCon电池结构后进行激光开窗；(3)将激光开窗后硅片进行多晶硅层和保护层的清洗，制备钝化层后经金属化制作得到所述IBC电池，本发明关注现有技术中忽视的硅片正面出绒和背面抛光问题，在IBC电池的制备过程中设置保护层，同时满足正面绒面背面抛光面的需要。
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公开(公告)号：CN118841486A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411324326.X
申请日：2024-09-23
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/054 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种具有抛光隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法。首先，本发明将具有金字塔绒面的常规隔离区结构改进为凸出于硅片背面的抛光隔离区结构，可增加入射光在硅基体内的反射，从而提升电池Isc，同时，由于初始隔离区被掩膜层保护住，后续不受湿法腐蚀破坏，可使隔离区与硼/磷扩散层高度差较小，有利于硅基底内部载流子横向传输，提升FF，其次，本发明通过优化工艺步骤，实现了单次沉积本征多晶硅层即可得到TBC太阳能电池，可有效提升产品的性能和良品率，并同时显著降低生产成本。
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