一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源

    公开(公告)号:CN206292654U

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201621454868.X

    申请日:2016-12-28

    Abstract: 本实用新型公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路;启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点;IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置;温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。本实用新型具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。

    一种正反馈隔离动态锁存比较器

    公开(公告)号:CN205792494U

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201620523513.5

    申请日:2016-06-01

    Abstract: 本实用新型公开一种正反馈隔离动态锁存比较器,包括交叉耦合输入单元、输入复位单元、CMOS隔离开关单元、交叉耦合锁存结构单元、锁存复位单元、输出整形单元和正反馈单元。交叉耦合输入将输入电压信号转换成电流,交叉耦合锁存结构和锁存复位完成比较功能;CMOS隔离开关将交叉耦合输入和交叉耦合锁存结构在复位阶段隔离,降低踢回噪声的影响;输入复位在复位阶段将交叉耦合输入的输出端复位;正反馈由输出整形的输出控制,在比较阶段增大放电电流;CLK和NCLK为两相不交叠时钟,为整个动态锁存比较器提供时序。本实用新型能够显著提高动态锁存比较器的速度和精度,并使得功耗有所改善。

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