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公开(公告)号：CN110128126A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910582274.9
申请日：2019-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋-钛酸钡-锌钛酸铋-铝酸铋高温无铅压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBiFeO3-yBaTiO3-zBi(Ti0.5Zn0.5)O3+tBiAlO3+mP+nMnCO3+2.5％Bi2O3，其中x、y、z、t、m，n表示摩尔分数，且0.6≤x≤0.8,0.15≤y≤0.3,0.05≤z≤0.15,0
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公开(公告)号：CN109133911A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811114758.2
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/602 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/786
Abstract: 一种超低温冷烧结ZnO基陶瓷的方法，其步骤包括：以一定浓度乙酸溶液与ZnO基粉体经研磨分散得到ZnO基粉体的浆料，把浆料放入模具中施加适当的压力，同时将模具加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密ZnO基陶瓷。本发明通过控制乙酸浓度及添加量、施加压力大小、烧结温度和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的ZnO基陶瓷。相比传统的高温烧结陶瓷技术，具有烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于ZnO基陶瓷的超低湿冷烧结制备。
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公开(公告)号：CN115477539A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210921589.3
申请日：2022-08-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种氟化钙透明陶瓷及低温制备方法，以纯CaF2粉体、Nd1‑5at%：CaF2粉体或Yb1‑5at%：CaF2粉体为制品的成型原料，在设定温度、压力下保温保压0.5‑2小时于加压成型模具中成型，升温速率10℃/min，温度范围300‑400℃，压力范围300‑600Mpa，粉体成型原料的粒度20‑200nm，水份控制在1‑15wt%。本发明直接采用高压方式，成型、烧结一次顺序完成，获得更为致密、晶粒细小均匀且透光率高的CaF2基透明陶瓷。本发明具有烧结温度低、工艺简单、节约能源的优势，同时减小产品变形量，有利于保障产品品质。
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公开(公告)号：CN115073165A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210690327.0
申请日：2022-06-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种巨介电常数BaTiO3陶瓷及制备方法，所述BaTiO3陶瓷在结构中具有Vo··‑2Ti′Ti缺陷构型，所述制备方法包括：(1)将20‑200nm尺寸的BaTiO3粉体压制成陶瓷生坯；(2)在还原气氛的混合气体条件下烧结，所述混合气体由0.5‑5％的还原性气体和95‑99.5％的惰性气体组成；(3)在温度1150‑1400℃下烧结，保温时间0.5‑4小时。本发明提供了一种获得巨介电常数BaTiO3陶瓷材料的新方案。
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公开(公告)号：CN109607597B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910042497.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109336595B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811119443.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法，其步骤包括：以纯水或一定浓度的氨水溶液或乙酸溶液与MoO3粉体经研磨分散得到MoO3粉体的浆料，把浆料放入模具中施加一定的压力，同时将模具按一定的升温速率加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密MoO3陶瓷。本发明通过控制纯水或氨水浓度或乙酸及添加量、施加压力和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的MoO3陶瓷。相比传统高温烧结陶瓷技术，其烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于MoO3陶瓷的超低湿冷烧结制备。
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公开(公告)号：CN111359541A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010178071.6
申请日：2020-03-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J6/00 , C04B35/453 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种水热法制备陶瓷装置及方法，水热法制备陶瓷装置中，内壳位于外壳内，且与外壳形成空腔，釜盖覆盖空腔，载物台位于内壳内，陶瓷生坯放置于载物台上，釜盖具有进口和出口，导管与进口和压力泵连通，气体流量调节阀与导管固定连接，安全泄压阀与釜盖固定连接，并与出口连通，温度传感器和压力传感器均固定于内壳内，加热组件环绕内壳四周于空腔内，压力泵、气体流量调节阀、安全泄压阀、温度传感器、压力传感器、加热组件均与控制器电连接。利用水热烧结，将陶瓷生坯在低于400℃的温度下，通过控制压力和保温时间，实现对陶瓷体的水热致密化，获得相对密度大于90％的陶瓷体，具有精准可控、低耗能、可规模化生产的特点。
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公开(公告)号：CN110436918A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910639185.3
申请日：2019-07-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及纳米介电材料制备技术领域，尤其涉及一种酒石酸工艺制备纳米四方相钛酸钡粉体的方法，以四氯化钛为钛源、氯化钡为钡源、酒石酸为沉淀剂及表面活性剂，经滴定沉淀反应、液相均匀反应或陈化处理、洗涤过滤、粉碎干燥、热分解、粉碎后制备得到纳米四方相钛酸钡粉体。本发明的一种酒石酸工艺制备纳米四方相钛酸钡粉体的方法，工艺简单、操作容易，制备得到的四方相纳米钛酸钡粉体四方相高，分散性好，粒径均匀可控，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN109369173A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811530238.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/49 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种四方相钛酸钡粉体的制备方法及产品，属于介电陶瓷材料技术领域，该方法中，首先将钡盐或钡的氢氧化物和钛的氧化物或氢氧化物分开球磨或砂磨，分别获得钡盐或钡的氢氧化物浆料和钛的氧化物或氢氧化物浆料，然后将两种浆料在20-40℃下混匀后进行喷雾干燥，获得混合粉体，再向该混合粉体中加入混合粉体总质量5-90％的陶瓷材料，再次混匀后进行微波处理，最终制得粉体晶粒细小，粒径均匀，分散性良好的四方相钛酸钡粉体。该制备方法工艺简单，易操作，且成本低，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN109336595A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811119443.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法，其步骤包括：以纯水或一定浓度的氨水溶液或乙酸溶液与MoO3粉体经研磨分散得到MoO3粉体的浆料，把浆料放入模具中施加一定的压力，同时将模具按一定的升温速率加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密MoO3陶瓷。本发明通过控制纯水或氨水浓度或乙酸及添加量、施加压力和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的MoO3陶瓷。相比传统高温烧结陶瓷技术，其烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于MoO3陶瓷的超低湿冷烧结制备。
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