公开(公告)号：CN114378713A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111158412.4

申请日：2021-09-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 木下将毅 ,  金马利文 ,  加藤良和 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66 ,  G01B11/06

Abstract: 本发明提供一种使纯水等流体在研磨垫的通孔流动时，能够排除流体的流动对光纤线缆的影响，从而达成高膜厚测定精度的光学式膜厚测定装置及研磨装置。光学式膜厚测定装置具备：与光源(44)连结的投光用光纤线缆(51)、接受来自工件(W)的反射光的受光用光纤线缆(52)、包围投光用光纤线缆(31)和受光用光纤线缆(32)的线缆外壳(55)、以及形成与投光用光纤线缆(31)和受光用光纤线缆(32)相邻的流体流路(57)的流路构造体(58)。投光用光纤线缆(31)和受光用光纤线缆(32)由线缆外壳(55)和流路构造体(58)中的至少一方支承。

公开(公告)号：CN109290940B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201810796740.9

申请日：2018-07-19

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 金马利文 ,  木下将毅 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 提供能够高精度地测定膜厚而不影响晶片的研磨率的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨头(5)，用于将晶片(W)按压于研磨垫；投光光纤(34)，具有顶端(34a)，并且连接于光源(30)，所述顶端配置在研磨台(3)内的流路(7)内；分光仪(26)，根据波长分解来自晶片的反射光并对各波长的反射光的强度进行测定；受光光纤(50)，具有顶端(50a)，并且连接于分光仪，所述顶端配置在流路内；处理部(27)，确定晶片的膜厚；液体供给线路(62)，与流路连通；气体供给线路(63)，与流路连通；液体供给阀(65)，安装于液体供给线路；气体供给阀(67)，安装于气体供给线路；以及动作控制部(71)，控制液体供给阀及气体供给阀的动作。

公开(公告)号：CN113664713A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110520681.4

申请日：2021-05-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 佐鸟博俊 ,  石井游 ,  金马利文 ,  木下将毅

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/013 ,  B24B37/34 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  B24B41/02

Abstract: 本发明提供膜厚测定装置、研磨装置以及膜厚测定方法，即使在膜的膜厚较厚的情况下，也能够抑制来自布线图案的反射光的光量不足。膜厚测定装置(30)应用于对具有包含多个布线图案的膜(202)的基板(200)的膜进行研磨的研磨装置(10)，其中，该膜厚测定装置具备：投光器(43)，该投光器在研磨装置对膜进行研磨期间，投射入射光(L1)；聚光器(44)，该聚光器使从投光器投射的入射光聚集而成为规定的光斑尺寸(D)之后，向膜投射；以及受光器(45)，该受光器接收从膜反射的反射光(L2)，规定的光斑尺寸与构成多个布线图案的各个布线图案的最小宽度相比较小。

公开(公告)号：CN103072072B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201210419599.3

申请日：2012-10-26

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 金马利文

IPC: B24B37/013

CPC classification number: H01L22/26 ,  B24B37/013 ,  B24B37/20 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供能够在基板的研磨过程中获取硅层的正确厚度，根据得到的硅层的厚度正确确定基板的研磨终点的研磨方法以及研磨装置。本研磨方法将从基板反射的红外线的强度除以规定的基准强度，以计算出相对反射率，生成表示相对反射率与红外线的波长之间的关系的光谱波形，对光谱波形实施傅里叶变换处理，确定硅层的厚度以及对应的频率成分的强度，在所述确定的频率成分的强度比规定的阈值高的情况下，将所述确定的硅层厚度认定为可靠性高的测定值，根据该可靠性高的测定值达到规定的目标值的时刻，确定基板的研磨终点。

公开(公告)号：CN118254094A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311793004.5

申请日：2023-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 盐川阳一 ,  木下将毅 ,  渡边夕贵 ,  金马利文 ,  田上景太

IPC: B24B37/005 ,  B24B41/00 ,  B24B49/16

Abstract: 提供一种能够提高与膜厚测定值相对应的位置坐标的精度的研磨装置。研磨装置具备：测定研磨垫(1)的厚度的垫厚度测定装置；对于基板倾斜地照射光，决定测定点的膜厚测定值的光学式膜厚测定装置(30)；以及将表示测定点的位置的测定坐标与膜厚测定值相对应的控制装置(50)，基于表示研磨垫的厚度与测定坐标的移动量的关系的相关数据，决定与研磨垫(1)的厚度的测定值相对应的测定坐标的移动量，基于所决定的测定坐标的移动量来修正与膜厚测定值相对应的测定坐标。

公开(公告)号：CN116745067A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202280010809.5

申请日：2022-01-05

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 大岛浩平 ,  松尾尚典 ,  金马利文 ,  高田畅行

IPC: B24B37/005 ,  B24B49/00

Abstract: 本发明关于用于研磨半导体晶片等基板的研磨垫的表面性状测量装置、研磨垫的表面性状测量方法及研磨垫的表面性状判定方法。表面性状测量装置(30)具备：投光部(32)，该在从研磨垫(2)的研磨面(2a)观看研磨垫(2)时，该投光部能够从多个照射角度照射光至研磨垫(2)；及受光部(35)，该受光部能够接收由研磨垫(2)的表面反射的多个方向的反射光。

公开(公告)号：CN110052961B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201910043492.5

申请日：2019-01-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 金马利文 ,  高桥信行 ,  木下将毅

IPC: B24B49/12 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34

Abstract: 提供一种研磨装置，能够通过对照射到晶片的光量进行调整而进行正确的膜厚测定。研磨装置具备：光源(30)；投光光纤(34)，该投光光纤具有配置于研磨台(3)内的不同位置的多个顶端(34a、34b)；以及受光光纤(50)，该受光光纤(50)具有配置于研磨台(3)内的不同位置的多个顶端(50a、50b)。投光光纤(34)具有第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)，第一减光器(70)安装于第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)，第二减光器(72)安装于第一投光光纤(36)和第二投光光纤(37)中的至少一个。

公开(公告)号：CN108942640B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201810461546.5

申请日：2018-05-15

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 金马利文 ,  木下将毅

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  B24B37/005 ,  H01L21/66

Abstract: 提供一种能够准确地确定光源的寿命，并且不需要进行光学式膜厚测定装置的校正而准确地测定晶片等基板的膜厚的研磨装置。研磨装置具有：发出光的光源(30)；具有配置于研磨台(3)内的规定的位置的顶端，与光源(30)连接的投光光纤(34)；根据波长对来自晶片(W)的反射光进行分解，而测定在各波长下的反射光的强度的分光器(26)；具有配置在研磨台(3)内的上述规定的位置的顶端，并与分光器(26)连接的受光光纤(50)；基于表示反射光的强度与波长的关系的分光波形确定晶片(W)的膜厚的处理部(27)；与光源(30)连接的内部光纤(72)；选择性地将受光光纤(50)和内部光纤(72)中的任一方与分光器(26)连接的光路选择机构(70)。

公开(公告)号：CN106239352A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610382395.5

申请日：2016-06-01

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 金马利文

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12

Abstract: 本发明提供一种不使用光纤的光程切换器，而使用多个光传感器能够测定晶圆膜厚的研磨装置，该研磨装置具备：具有配置于研磨台(3)中不同位置的多个顶端(34a、34b)的投光光纤各波长的反射光强度的分光器(26)；具有配置于研磨台(3)中不同位置的多个顶端(50a、50b)的受光光纤50)；以及生成表示反射光的强度与波长的关系的分光波形的处理部(27)。处理部(27)根据分光波形确定膜厚。(34)；按照波长分解来自晶圆W的反射光，并测定

公开(公告)号：CN104117903A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410172021.1

申请日：2014-04-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 金马利文

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B1/00 ,  B24B49/12

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30625 ,  B24B37/005 ,  B24B37/042

Abstract: 一种研磨方法，在基板的研磨中接受从该基板反射的光，根据该反射光生成光谱波形，对光谱波形进行傅里叶变换处理，确定基板的膜的厚度以及所对应的频率成分的强度，在频率成分的强度高于规定的阈值的情况下，将确定的膜的厚度认定为可靠性高的测量值，在确定的频率成分的强度为规定的阈值以下的情况下，将确定的膜的厚度认定为可靠性低的测量值，根据可靠性高的测量值达到规定的目标值的时刻而确定基板的研磨终点，使所述规定阈值根据不良数据率而变化。采用本发明，能在基板的研磨中取得形成在基板上的膜的正确厚度，并根据得到的膜的厚度而能准确地确定基板的研磨终点。