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公开(公告)号:CN114916234A
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN202080039920.8
申请日:2020-12-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及镀覆装置以及镀覆处理方法。本发明提供一种能够抑制因滞留在隔膜的下表面的工艺气体而导致基板的镀覆品质变差的技术。镀覆装置(1000)具备:镀覆槽(10),在阳极室(13)配置有阳极(11);和基板保持件(30),配置于比阳极室靠上方的位置,并保持作为阴极的基板(Wf),阳极具有沿上下方向延伸的圆筒形状,镀覆装置还具备:气体存积部(60),以在与阳极之间具有空间,并且覆盖阳极的上端、外周面以及内周面的方式设置于阳极室,存积从阳极产生的工艺气体;和排出机构(70),使存积于气体存积部的工艺气体排出到镀覆槽的外部。
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公开(公告)号:CN114752976A
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202210460141.6
申请日:2022-04-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供对基板高效地进行前置处理的预湿模块、脱气液循环系统和预湿方法。预湿模块(200)包括:脱气槽(210),其收容脱气液;处理装置(258),其包括喷嘴(268),其对被处理面向上的基板的被处理面供给清洗液;基板保持架(220),其具有配置于脱气槽与处理装置之间且保持第1基板的第1保持构件(222)和保持第2基板的第2保持构件(224);以及驱动机构(230),其使基板保持架旋转和升降,驱动机构(230)包括:旋转机构(240),其使基板保持架在使第1基板的被处理面与脱气槽内的脱气液相向的第1状态和使第2基板的被处理面与脱气槽内的脱气液相向的第2状态之间旋转;和升降机构(248),其使基板保持架升降。
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公开(公告)号:CN106029297B
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201580008700.8
申请日:2015-02-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B21/00 , B24B9/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种研磨晶圆等基板的研磨装置及研磨方法,特别涉及一种用研磨带研磨晶圆的边缘部的研磨装置及研磨方法。本发明的研磨装置,具备:基板保持部(1),保持并旋转基板(W);以及研磨单元(7),用研磨带(5)来研磨基板(W)的边缘部。研磨单元(7)具有:圆盘头(12),具有支撑研磨带(5)的外周面;以及头移动装置(50),使圆盘头(12)移动至基板(W)的切线方向,使圆盘头(12)的外周面上的研磨带(5)接触基板(W)的边缘部。
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公开(公告)号:CN106029297A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201580008700.8
申请日:2015-02-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B21/00 , B24B9/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种研磨晶圆等基板的研磨装置及研磨方法,特别涉及一种用研磨带研磨晶圆的边缘部的研磨装置及研磨方法。本发明的研磨装置,具备:基板保持部(1),保持并旋转基板(W);以及研磨单元(7),用研磨带(5)来研磨基板(W)的边缘部。研磨单元(7)具有:圆盘头(12),具有支撑研磨带(5)的外周面;以及头移动装置(50),使圆盘头(12)移动至基板(W)的切线方向,使圆盘头(12)的外周面上的研磨带(5)接触基板(W)的边缘部。
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公开(公告)号:CN102941522A
公开(公告)日:2013-02-27
申请号:CN201210398644.1
申请日:2008-12-02
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B21/00 , B24B21/18 , B24B21/20 , H01L21/304
CPC classification number: B24B21/002 , B24B9/065 , B24B21/004 , B24B21/008 , B24B21/20 , B24B27/0076 , B24B37/042 , B24B37/30 , B24B41/068 , B24B49/00 , Y10T428/24777
Abstract: 本发明提供一种用于抛光基片的外周的抛光装置。该抛光装置包括配置成水平地保持基片并转动基片的旋转保持机构、设置在基片周围的多个抛光头组件、配置成将抛光带供给到多个抛光头组件并从多个抛光头组件收回抛光带的多个带供给与收回机构、以及配置成沿旋转保持机构保持的基片的径向方向移动多个抛光头组件的多个移动机构。所述带供给与收回机构沿着基片径向方向设置在多个抛光头组件的外侧,且所述带供给与收回机构被固定在位。
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公开(公告)号:CN101784369A
公开(公告)日:2010-07-21
申请号:CN200880102861.3
申请日:2008-07-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B9/065
Abstract: 本发明为一种研磨装置,是使研磨工具(41)与基板(W)的周缘部(坡口部、缺口部、切缘部)滑动接触而研磨该周缘部的研磨装置。该研磨装置具备:基板保持部(20),对基板(W)进行保持;和研磨头(42),利用研磨工具(41)来对基板保持部(20)所保持的基板(W)的周缘部进行研磨。该研磨头(42)具有:加压垫(50),将研磨工具(41)按压到基板(W)的周缘部上;和线性电动机(90),使加压垫(50)往复运动。
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公开(公告)号:CN101164148A
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200680013140.6
申请日:2006-04-18
IPC: H01L21/304 , B24B9/00
Abstract: 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置,其包括:晶片载置台,用于保持晶片;晶片载置台单元,包括用于使晶片载置台转动的装置,使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动,并平行于该表面移动晶片载置台;凹口研磨部分,用于研磨晶片上的凹口;以及斜面研磨部分,用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。
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公开(公告)号:CN118756273A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202410826087.1
申请日:2022-04-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供对基板高效地进行前置处理的预湿模块、脱气液循环系统和预湿方法。预湿模块(200)包括:脱气槽(210),其收容脱气液;处理装置(258),其包括喷嘴(268),其对被处理面向上的基板的被处理面供给清洗液;基板保持架(220),其具有配置于脱气槽与处理装置之间且保持第1基板的第1保持构件(222)和保持第2基板的第2保持构件(224);以及驱动机构(230),其使基板保持架旋转和升降,驱动机构(230)包括:旋转机构(240),其使基板保持架在使第1基板的被处理面与脱气槽内的脱气液相向的第1状态和使第2基板的被处理面与脱气槽内的脱气液相向的第2状态之间旋转;和升降机构(248),其使基板保持架升降。
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公开(公告)号:CN113825860B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202080035595.8
申请日:2020-07-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及基板保持器及具备该基板保持器的基板镀覆装置、以及电接点。本发明提供一种用于对基板的表面进行镀覆的基板保持器,该基板具备能够容易地进行更换的电接点。基板保持器(1)的特征在于,具备:第一保持部件(2);第二保持部件(3),具有用于使基板(W)的表面露出的开口部(3a),与第一保持部件(2)一起夹住并保持基板(W);多个卡合轴部(36),在末端部具有膨头状的头部(36b),沿第二保持部件(3)的周向配置;以及电接点(32),具有与基板(W)的边缘部抵接的接点部(32a),且具有与相邻的卡合轴部(36)卡合并沿着第二保持部件(3)的开口部(3a)的周围排列的切口状的卡合承接部(32b)。
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公开(公告)号:CN115119515B
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN202180003254.7
申请日:2021-01-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供能够在镀覆处理时测定基板的膜厚的技术。镀覆装置(1000)具备:镀覆槽(10);基板保持架(20);旋转机构(30);接触部件(50),配置于基板保持架,并且在基板保持架的周向上配置有多个,与基板的下表面的外周缘接触,在镀覆处理时向基板供电;线圈(60),构成为通过基于因在镀覆处理时与基板保持架一起旋转的接触部件流动的电流而产生的磁场的电磁感应来产生电流;电流传感器(65),对在线圈产生的电流进行检测;以及膜厚测定装置(70),在镀覆处理时,基于电流传感器检测出的电流来对基板的膜厚进行测定。
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