硬质皮膜形成部件以及硬质皮膜的形成方法

    公开(公告)号:CN103168113B

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201180050474.1

    申请日:2011-10-20

    Abstract: 本发明提供一种第1硬质皮膜形成部件,在基材上交替层叠A层和B层,A层满足组成为TiaCrbAlcSidYe(BuCvNw)(其中,a、b、c、d、e、u、v、w为特定量的原子比),B层满足组成为TifCrgAlh(BxCyNz)(其中,f、g、h、x、y、z为特定量的原子比),在设A层和B层的1组的层叠构造为1单位时,该1单位的厚度为10~50nm,且硬质皮膜的膜厚为1~5μm。另外,本发明还提供一种第2硬质皮膜形成部件,其隔着厚度为0.5μm以下的中间层或不隔着中间层而在所述B层上面层叠所述A层,A层的厚度为0.5~5.0μm,B层的厚度为0.05~3.0μm。

    半导体检测装置用接触式探针

    公开(公告)号:CN102023241B

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN201010273558.9

    申请日:2010-09-03

    CPC classification number: G01R3/00 G01R1/06761 H01R13/03

    Abstract: 目的在于提供一种半导体检测装置用接触式探针,其是在探针与焊料接触时,防止作为焊料主要成分的锡粘着在探针的接触部,而将抗锡粘着性优异的非晶碳系导电性皮膜形成于基材表面而成的半导体检测装置用接触式探针。一种在导电性基材表面形成非晶碳系导电性皮膜而成的半导体检测装置用接触式探针,其特征在于,所述非晶碳系导电性皮膜具有如下外表面:在原子力显微镜下4μm2的扫描范围中,表面粗糙度(Ra)为6.0nm以下,均方根斜率(RΔq)为0.28以下,表面形态的凸部的前端曲率半径的平均值(R)为180nm以上。

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