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公开(公告)号：CN111587535B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201880086161.3
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的课题是抑制高阶模。在将多个弹性波谐振器(31～39)中的在电学上最靠近第1端子(101)的弹性波谐振器设为天线端谐振器的情况下，天线端谐振器为第1弹性波谐振器(3A)，多个弹性波谐振器(31～39)中的天线端谐振器以外的至少一个弹性波谐振器为第2弹性波谐振器(3B)。弹性波装置(1)满足第1条件。第1条件为如下的条件，即，第1弹性波谐振器(3A)以及第2弹性波谐振器(3B)的高声速构件(4A、4B)各自包含硅基板，第1弹性波谐振器(3A)的硅基板中的压电体层(6A)侧的面(41A)为(111)面或(110)面，第2弹性波谐振器(3B)的硅基板中的压电体层(6B)侧的面(41B)为(100)面。
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公开(公告)号：CN116488605A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310522621.5
申请日：2018-11-05
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/02 , H03H9/17 , H03H9/10 , H03H9/145 , H03H9/54 , H03H9/72 , H03H9/64 , H03H9/70 , H04B1/10
Abstract: 本发明提供能够抑制由横模造成的杂散的弹性波装置，具备：压电性基板，具有压电体层和高声速构件层，压电体层直接或间接地层叠在高声速构件层上；以及IDT电极，设置在压电性基板上。压电体层由钽酸锂构成。在将弹性波传播方向设为第一方向并将与第一方向正交的方向设为第二方向时，在IDT电极中，沿着第二方向依次配置有中央区域、第一低声速区域、第二低声速区域以及第一高声速区域、第二高声速区域。第一低声速区域、第二低声速区域通过在IDT电极的第一电极指、第二电极指上设置质量附加膜而构成。通过由IDT电极的电极指间距规定的波长对质量附加膜的膜厚进行归一化的波长归一化膜厚与质量附加膜的密度之积为13.4631以下。
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公开(公告)号：CN110011637B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201811553287.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 一种弹性波装置，能够降低频率比基本波高的高次模式的强度。弹性波装置(1)具备压电膜(4)、高声速构件、低声速膜(3)及IDT电极(5)。低声速膜(3)设置在压电膜(4)与高声速构件之间，是与在压电膜(4)传播的弹性波的声速相比所传播的弹性波的声速为低速的膜。IDT电极(5)具有多个电极指(51)。多个电极指(51)相互分离地沿第一方向(D1)并排设置。多个电极指(51)的至少一个具有第一金属层。第一金属层包含第一主体部(52)和第二主体部(59)。凹部(54)形成在电极指(51)的第一方向(D1)上的中央区域，在压电膜(4)的厚度方向(D2)上凹陷。凸部(53)设置为在第一方向(D1)上比第一主体部(52)的至少一部分突出。
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公开(公告)号：CN110166017B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910065845.1
申请日：2019-01-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由高阶模造成的无用波且能够抑制高阶模的频率的变动的弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)；高声速膜(3)，设置在支承基板(2)上；低声速膜(4)，设置在高声速膜(3)上；压电体层(5)，设置在低声速膜(4)上；以及IDT电极(6)，设置在压电体层(5)上。在高声速膜(3)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的弹性波的声速高，在低声速膜(4)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的弹性波的声速低，高声速膜3包含SiNx，且x＜0.67。
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公开(公告)号：CN109802650B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201811309869.9
申请日：2018-11-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制由横模造成的杂散的弹性波装置，具备：压电性基板，具有压电体层和高声速构件层，压电体层直接或间接地层叠在高声速构件层上；以及IDT电极，设置在压电性基板上。压电体层由钽酸锂构成。在将弹性波传播方向设为第一方向并将与第一方向正交的方向设为第二方向时，在IDT电极中，沿着第二方向依次配置有中央区域、第一低声速区域、第二低声速区域以及第一高声速区域、第二高声速区域。第一低声速区域、第二低声速区域通过在IDT电极的第一电极指、第二电极指上设置质量附加膜而构成。通过由IDT电极的电极指间距规定的波长对质量附加膜的膜厚进行归一化的波长归一化膜厚与质量附加膜的密度之积为13.4631以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110383686B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201880016515.7
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岩本英树
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供在由硅构成的支承基板内传播的高次模式的频率位置难以产生偏差的弹性波装置。该弹性波装置(1)具备：由硅构成的支承基板(2)；直接或间接地设置在支承基板(2)上且具有相对置的一对主面的压电体(4)；以及直接或间接地设置在压电体(4)的至少一个主面上且由电极指间距决定的波长为λ的IDT电极(5)，由从下述的式(2)导出的x的解V1、V2、V3中的V1规定的、在支承基板(2)内传播的体波的声速VSi＝(V1)1/2为5500m/秒以上。Ax3+Bx2+Cx+D＝0…式(2)。
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公开(公告)号：CN115023896A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202180011353.X
申请日：2021-02-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 降低在比为了得到特性而使用的激励模式靠高频侧的频带中产生的高阶模式的杂散。弹性波装置(1)具备支承基板、压电体层(3)以及IDT电极(6)。压电体层(3)设置于支承基板。IDT电极(6)设置于压电体层(3)，且具有多个电极指(63)。多个电极指(63)的交叉宽度(W1)为5λ以下。
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公开(公告)号：CN112054780A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010497318.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岩本英树
Abstract: 提供能抑制通带外的杂散的弹性波装置。弹性波装置(1)具备高声速支承基板(3)、设置在高声速支承基板(3)上的低声速膜(4)、设置在低声速膜(4)上的压电体层(5)和设置在压电体层(5)上的IDT电极(6)。在高声速支承基板(3)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的弹性波的声速高。在低声速膜(4)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的体波的声速低。低声速膜(4)具有第1部分(A)和位于比第1部分(A)更靠高声速支承基板(3)侧的第2部分(B)。第1部分(A)及第2部分(B)由同种材料构成。在将低声速膜(4)的第1部分(A)处的密度设为ρ1，将第2部分(B)处的密度设为ρ2时，密度ρ1和密度ρ2不同。
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公开(公告)号：CN111602337A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880086018.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明在抑制通带的特性劣化的同时，减小在比通带靠高频侧产生的高次模式的由温度引起的变化。在弹性波装置(1)中，与第一端子(101)电气上最接近的天线端谐振器是第一弹性波谐振器(3A)。分别在第一弹性波谐振器(3A)及第二弹性波谐振器(3B)中，在将弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。第一弹性波谐振器(3A)和第二弹性波谐振器(3B)满足第一条件、第二条件以及第三条件中的至少一个。第一条件为，第一弹性波谐振器(3A)还包括设置在压电体层与IDT电极之间的电介质膜，第二弹性波谐振器(3B)不包括电介质膜。
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公开(公告)号：CN111448757A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079648.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/187
Abstract: 在将弹性波元件和半导体元件形成为一体来谋求小型化的同时，降低向支承构件的漏电流的产生。电子部件(1)具备支承构件(2)、压电膜(4)和IDT电极(5)。支承构件(2)以硅为主成分。压电膜(4)直接或者间接地设置在支承构件(2)上。IDT电极(5)包含多个电极指(51)。多个电极指(51)相互隔离地排列设置。IDT电极(5)设置在压电膜(4)的主面(41)。在将由IDT电极(5)的电极指间距规定的弹性波的波长设为λ的情况下，压电膜(4)的膜厚(L1)为3.5λ以下。在支承构件(2)中，高杂质浓度区域(27)与低杂质浓度区域(28)相比远离压电膜(4)。
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